如何保證EMI兼容性 - 如何減少前端模擬器件的電磁干擾EMI
2012年11月06日 15:35 來(lái)源:電子發(fā)燒友 作者:灰色天空 我要評(píng)論(0)
汽車應(yīng)用對(duì)EMI事件尤其敏感,而在由中央電池、捆綁線束、各種感性負(fù)載、天線以及與汽車相關(guān)的外部干擾構(gòu)成的嘈雜電氣環(huán)境中,后者卻是無(wú)法避免的。由于安全氣囊配置、巡航控制、剎車和懸架等多種關(guān)鍵功能控制都涉及到電子設(shè)備,因此必須保證EMI兼容性,絕不容許因外部干擾而出現(xiàn)誤報(bào)或誤觸發(fā)。早先,EMI兼容性測(cè)試是汽車應(yīng)用中的最后一項(xiàng)測(cè)試。如果出現(xiàn)差錯(cuò),設(shè)計(jì)人員就必須在倉(cāng)促之間找出解決方案,而這往往涉及到改變電路板布局、額外添加濾波器,甚至是更換器件。
這種不確定性極大提高了設(shè)計(jì)成本,并給工程師造成了很多麻煩。一直以來(lái),汽車行業(yè)都在采取切實(shí)措施來(lái)改善EMI兼容性。由于設(shè)備必須符合EMI標(biāo)準(zhǔn),汽車OEM廠商現(xiàn)在要求半導(dǎo)體制造商(如ADI公司)必須在器件級(jí)執(zhí)行EMI測(cè)試,然后才會(huì)考慮采用其生產(chǎn)的器件?,F(xiàn)在,這一流程已經(jīng)普及,所有IC制造商都使用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格來(lái)測(cè)試器件的EMI兼容性。
如欲了解各類型集成電路的標(biāo)準(zhǔn)EMI測(cè)試要求,請(qǐng)向國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)購(gòu)買獲取相關(guān)文檔。通過(guò)IEC 62132和IEC 61967等文檔則可以了解EMI和EMC,其中非常詳細(xì)地描述了如何使用業(yè)界公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)測(cè)試特定集成電路。上述各種測(cè)試都是根據(jù)這些指南說(shuō)明進(jìn)行的。
具體而言,這些測(cè)試都采用 “直接功率注入法”完成,這是一種通過(guò)電容將RF信號(hào)耦合至特定器件引腳的方法。根據(jù)待測(cè)IC的類型,針對(duì)不同的RF信號(hào)功率水平和頻率范圍,測(cè)試器件的每路輸入。圖4顯示了在特定引腳上執(zhí)行直接功率注入測(cè)試的原理示意圖。

圖4. 直接功率注入
這些標(biāo)準(zhǔn)中包含電路配置、布局方法和監(jiān)控技術(shù)方面的大量必要信息,有助于正確理解器件測(cè)試成功與否。更為完整的IEC標(biāo)準(zhǔn)原理圖如圖5所示。

圖5. EMI耐受性測(cè)試原理圖
總結(jié)
集成電路的EMI兼容性是電子設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵所在。本文僅從放大器是否內(nèi)置EMI濾波器出發(fā),介紹了兩款非常類似的放大器執(zhí)行直流測(cè)量時(shí),在RF環(huán)境中的直流性能有何顯著差別。在汽車應(yīng)用中,考慮到安全性和可靠性時(shí),EMI是一個(gè)非常重要的方面。如今,在設(shè)計(jì)和測(cè)試針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的器件時(shí),IC制造商(如ADI公司)日益重視EMI耐受性方面的考慮因素。IEC標(biāo)準(zhǔn)非常詳細(xì)地說(shuō)明了有用的相關(guān)指導(dǎo)原則。對(duì)于汽車應(yīng)用市場(chǎng),AD8207,AD8208和AD8209等電流檢測(cè)器件都通過(guò)了EMI測(cè)試。鋰離子電池安全監(jiān)控器AD8280 和數(shù)字式可編程傳感器信號(hào)放大器AD8556等新款器件經(jīng)過(guò)專門(mén)設(shè)計(jì)和測(cè)試,符合EMI相關(guān)要求。
附錄
AD8208的更多詳情:AD8203(圖A)是一款單電源差動(dòng)放大器,非常適合在大共模電壓情況下放大和低通濾波小差分電壓。采用+5 V單電源供電時(shí),輸入共模電壓范圍為-2 V至+45 V。該款放大器提供增強(qiáng)的輸入過(guò)壓和ESD保護(hù),并內(nèi)置EMI濾波功能。

圖A. AD8208差動(dòng)放大器
AD8208具有出色的交流和直流性能,且通過(guò)相關(guān)認(rèn)證,適合要求采用穩(wěn)定可靠的精密器件來(lái)改善系統(tǒng)控制的汽車應(yīng)用。失調(diào)和增益漂移典型值分別小于5 µV/°C和10 ppm/°C。該器件提供SOIC和MSOP兩種封裝,在DC至10 kHz范圍內(nèi)共模抑制比(CMR)最小值為80 dB。
另外提供一個(gè)外部可用的100kΩ電阻,可用來(lái)進(jìn)行低通濾波以及建立20以外的增益。
本文導(dǎo)航
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