系統(tǒng)級封裝 (SiP) 是一種用于將多個集成電路 (IC) 和無源元件捆綁到一個封裝中的方法，它們在該封裝下協(xié)同工作。這與片上系統(tǒng) (SoC) 形成對比，而這些芯片上的功能集成到同一芯片中。

圖 1：SiP 示例 包含基于各種工藝節(jié)點（CMOS、SiGe、BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在基板上。該封裝包含一條內部布線，可將所有管芯連接在一起形成一個功能系統(tǒng)。引線鍵合或凸塊技術通常用于系統(tǒng)級封裝解決方案中。 ?系統(tǒng)級封裝類似于片上系統(tǒng)，但集成度較低，并且不是使用單個半導體芯片制造的。一個普通的SiP解決方案可能會采用多種封裝技術，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級封裝等。 ?封裝在系統(tǒng)級封裝中的集成電路和其他組件的數量在理論上是無限的，因此，工程師基本上可以將整個系統(tǒng)集成到一個封裝中。

系統(tǒng)級封裝的簡史

在 1980 年代，SiP 以多芯片模塊的形式出現(xiàn)。他們不是將芯片放在印刷電路板上，而是可以通過將芯片組合到一個封裝中來降低成本或縮短電信號需要傳輸的距離，而連接在歷史上是通過引線鍵合實現(xiàn)的。 集成是半導體開發(fā)和使用背后的主要推動力。從 SSI（小規(guī)模集成——單個芯片上的幾個晶體管）開始，該行業(yè)已轉向 MSI（中等規(guī)模集成——單個芯片上數百個晶體管）、LSI（大規(guī)模集成——單個芯片上數萬個晶體管）芯片）、ULSI（超大規(guī)模集成——單個芯片上超過一百萬個晶體管）、VLSI（超大規(guī)模集成——單個芯片上數十億個晶體管）和最后的 WSI（晶圓級集成——整個晶圓變成單個超級芯片）。 所有這些都是物理集成指標，沒有考慮所需的功能集成。因此，出現(xiàn)了幾個術語來填補空白，例如 ASIC（專用集成電路）和 SoC（片上系統(tǒng)），它們將重點轉移到更多的系統(tǒng)集成上。

圖 2：SOC 示例 – 內部視圖 至于最初對 SiP 的需求，我們無需再看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產要求與模擬電路、電源管理設備或存儲設備的要求有很大不同。這導致了系統(tǒng)級集成度的明顯提高。 盡管 SiP 這個詞相對較新，但實際上 SiP 長期以來一直是半導體行業(yè)的一部分。 在 1970 年代，它以自由布線、多芯片模塊 (MCM) 和混合集成電路 (HIC) 的形式出現(xiàn)。 ? ? 在 1990 年代，它被用作 Intel 的 Pentium Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP 已轉變?yōu)閷⒍鄠€芯片集成到單個封裝中以減少空間和成本的解決方案。

系統(tǒng)級封裝的好處

SiP 和 SoC 之間的主要區(qū)別在于 SoC 將所需的每個組件都集成在同一芯片上，而 SiP 方法采用異構組件并將它們連接到一個或多個芯片載體封裝中。 例如，SoC 會將 CPU、GPU、內存接口、HDD 和 USB 連接、RAM/ROM 和/或它們的控制器集成在單個硅片上，然后將其封裝到單個芯片中。相比之下，等效的 SiP 將采用來自不同工藝節(jié)點（CMOS、SiGe、高功率）的獨立管芯，將它們連接并組合成單個封裝到單個基板 (PCB) 上?？紤]到這一點，很容易看出與類似的 SoC 相比，SiP 的集成度較低，因此，SiP 的采用速度很慢。 不過最近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術和封裝技術的進步讓人們對使用 SiP 提供的可能性有了新的認識。 有幾個主要因素推動了當前用 SiP 取代 SoC 的趨勢

天線、MEMS 傳感器、無源元件（例如：大電感）等外部設備無法裝入 SoC。因此，工程師需要使用 SiP 技術為其客戶提供完整的解決方案。

交付模塊而不是芯片是一種趨勢，因為無線應用（例如藍牙模塊）可以幫助客戶快速進入市場，而無需從頭開始設計。相反，他們使用由整個系統(tǒng)組成的 SiP 模塊。

除了上述因素外，SiP 還具有以下優(yōu)勢：

小型化，降低成本，簡化設計流程，良率更高，可靠性更好。

不過，為了全面了解，我們必須承認 SiP 也有一些缺點。以下是在選擇 SiP 作為設計理念之前需要考慮的一些主要缺點：

缺乏靈活性

難以定制

不同的設計方法

圖 4：使用系統(tǒng)級封裝的優(yōu)缺點

編輯：黃飛

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