前工程——制作帶有電路的芯片

　　6.涂抹光刻膠

　　買回來的硅圓片經過檢查無破損后即可投入生產線上，前期可能還有各種成膜工藝，然后就進入到涂抹光刻膠環(huán)節(jié)。微影光刻工藝是一種圖形影印技術，也是集成電路制造工藝中一項關鍵工藝。首先將光刻膠（感光性樹脂）滴在硅晶圓片上，通過高速旋轉均勻涂抹成光刻膠薄膜，并施加以適當的溫度固化光刻膠薄膜。

　　光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發(fā)生化學性質的改變，這是整個工藝的基礎。

　　7.紫外線曝光

　　就單項技術工藝來說，光刻工藝環(huán)節(jié)是最為復雜的，成本最為高昂的。因為光刻模板、透鏡、光源共同決定了“印”在光刻膠上晶體管的尺寸大小。

　　將涂好光刻膠的晶圓放入步進重復曝光機的曝光裝置中進行掩模圖形的“復制”。掩模中有預先設計好的電路圖案，紫外線透過掩模經過特制透鏡折射后，在光刻膠層上形成掩模中的電路圖案。一般來說在晶圓上得到的電路圖案是掩模上的圖案1/10、1/5、1/4，因此步進重復曝光機也稱為“縮小投影曝光裝置”。

　　一般來說，決定步進重復曝光機性能有兩大要素：一個是光的波長，另一個是透鏡的數值孔徑。如果想要縮小晶圓上的晶體管尺寸，就需要尋找能合理使用的波長更短的光（EUV，極紫外線）和數值孔徑更大的透鏡（受透鏡材質影響，有極限值）。

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