一種可擴(kuò)展的存儲器自修復(fù)算法
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標(biāo)簽：存儲器(162589)自修復(fù)(7515)
隨著微電子工藝的不斷進(jìn)步，SoC芯片設(shè)計(jì)中SRAM所占面積越來越大，SRAM的缺陷率成為影響芯片成品率的重要因素。提出了一種可擴(kuò)展的存儲器自修復(fù)算法（ SMBISR），在對冗余的SRAM進(jìn)行修復(fù)時，可擴(kuò)展利用存儲器訪問通路中校驗(yàn)碼的糾錯能力，在不改變SRAM結(jié)構(gòu)的前提下能夠進(jìn)一步提高存儲器的容錯能力，進(jìn)而提高芯片成品率。最后對該算法進(jìn)行了RTL設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。后端設(shè)計(jì)評估表明，該算法能夠工作在1 GHz頻率，面積開銷僅增加1.5%。
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