引言

UltraRAM 原語（也稱為 URAM）可在 Xilinx UltraScale +? 架構(gòu)中使用，而且可用來高效地實(shí)現(xiàn)大容量深存儲(chǔ)器。

由于大小和性能方面的要求，通常這類存儲(chǔ)器不適合使用其他存儲(chǔ)器資源來實(shí)現(xiàn)。

URAM 原語具有實(shí)現(xiàn)高速內(nèi)存訪問所需的可配置流水線屬性和專用級(jí)聯(lián)連接。流水線階段和級(jí)聯(lián)連接是使用原語上的屬性來配置的。

本篇博文描述的是通過將 URAM 矩陣配置為使用流水線寄存器來實(shí)現(xiàn)最佳時(shí)序性能的方法。

注意：本文由 Pradip K Kar、Satyaprakash Pareek 和 Chaithanya Dudha 共同撰寫。

流水線需求：

通過在矩陣結(jié)構(gòu)中連接多個(gè) URAM，從可用的 URAM 原語實(shí)現(xiàn)大容量深存儲(chǔ)器。

矩陣由 URAM 的行和列組成。一列中的 URAM 使用內(nèi)置級(jí)聯(lián)電路級(jí)聯(lián)，且多列 URAM 通過外部級(jí)聯(lián)電路互連，這被稱為水平級(jí)聯(lián)電路。

作為示例，圖 1 示出了針對(duì) 64K 深 x 72 位寬存儲(chǔ)器的 4x4 URAM 矩陣的矩陣分解。

圖 1：4 行 4 列的 URAM 矩陣（可實(shí)現(xiàn) 64K 深 72 位寬的存儲(chǔ)器）

在沒有流水線設(shè)計(jì)的情況下，深度聯(lián)結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存訪問出現(xiàn)大的時(shí)鐘輸出延遲。例如，在默認(rèn)情況下，上述 URAM 矩陣可以達(dá)到約 350 MHz。要以更快的速度訪問內(nèi)存，應(yīng)插入流水線。如果在網(wǎng)表中指定了一定數(shù)量的輸出時(shí)延，Vivado Synthesis 即會(huì)自動(dòng)實(shí)現(xiàn)此功能。

指定 RTL 設(shè)計(jì)中的流水線：

有兩種方法可以用來指定 RTL 設(shè)計(jì)中的流水線的用途，可以通過使用 XPM 流程，也可以通過行為 RTL 來推斷內(nèi)存。

如果 RTL 設(shè)計(jì)通過 XPM 流程來創(chuàng)建 URAM 內(nèi)存，則用戶可以將對(duì)流水線的要求指定為 XPM 實(shí)例的參數(shù)。參數(shù)“READ_LATENCY_A/B”用于捕獲內(nèi)存的時(shí)延要求。

可用的流水線階段數(shù)是 LATENCY 值減去 2。例如，如果 Latency 設(shè)置為 10，則允許 8 個(gè)寄存器階段用于流水線操作。另外兩個(gè)寄存器可用來創(chuàng)建 URAM 本身。

圖 2：使用 XPM 設(shè)置流水線設(shè)計(jì)

如果用戶使用 Vivado 用戶指南中提供的模板來編寫 RTL，并通過此方法來創(chuàng)建 URAM，那么，他們可以在 URAM 的輸出時(shí)創(chuàng)建盡可能多的寄存器階段。唯一的要求是，與數(shù)據(jù)一起，流水線寄存器的啟用也需要流水線化。

圖 ３：URAM 塊輸出時(shí)的數(shù)據(jù)及流水線啟用規(guī)范

圖 3 顯示數(shù)據(jù)和流水線的啟用

圖 4 示出了 RTL 級(jí) RAM 流水線設(shè)計(jì)示例。

圖 4：用來指定數(shù)據(jù)和流水線啟用的 verilog 模板

分析日志文件：

Vivado Synthesis 根據(jù)上下文環(huán)境和場(chǎng)景發(fā)布與 URAM 流水線相關(guān)的不同消息。下表說明要在 vivado.log文件中查找的一些消息和要采取的相應(yīng)操作。

請(qǐng)注意，推薦的流水線階段基于可實(shí)現(xiàn)最高性能(800 MHz+)的完全流水線化的矩陣。此建議不受實(shí)際時(shí)序約束的限制。

時(shí)間性能估計(jì)：

下表說明流水線寄存器的數(shù)量與可實(shí)現(xiàn)的最大估計(jì)頻率之間的關(guān)系。

請(qǐng)注意，實(shí)際的時(shí)間數(shù)仍將取決于最終地點(diǎn)和路線結(jié)果。

下列數(shù)字基于 speedgrade-2 Virtex? UltraScale+? 部件以及我們使用 4x4 矩陣實(shí)現(xiàn)的 64K x 72 URAM示例工程。

數(shù)據(jù)路徑延遲具有以下一個(gè)或多個(gè)組件。

Tco = 1.38 ns, Clk To CascadeOut on URAM

Tco = 0.82 ns, Clk To CascadeOut on URAM with OREG=true

Tco = 0.726 ns, Clk to Dataout on URAM with OREG=true, CASCADE_ORDER = LAST

URAM -> URAM級(jí)聯(lián)延遲= 0.2 ns

URAM -> LUT信號(hào)網(wǎng)絡(luò)延遲= 0.3 ns

LUT傳輸延遲= 0.125 ns

LUT -> LUT信號(hào)網(wǎng)絡(luò)延遲= 0.2 ns

LUT5 -> FF延遲= 0.05

結(jié)論：

URAM 原語是創(chuàng)建容量非常大的 RAM 結(jié)構(gòu)的有效方法。它們被設(shè)置為易于級(jí)聯(lián)以便在您的設(shè)計(jì)中創(chuàng)建容量更大的 RAM。

但是，太多這類結(jié)構(gòu)級(jí)聯(lián)在一起可能會(huì)通過 RAM 產(chǎn)生很大的延遲。從長遠(yuǎn)來看，花時(shí)間讓您的 RAM 完全流水線化會(huì)帶來很多好處。

URAM 原語是創(chuàng)建容量非常大的 RAM 結(jié)構(gòu)的有效方法。它們被設(shè)置為易于級(jí)聯(lián)以便在您的設(shè)計(jì)中創(chuàng)建容量更大的 RAM。

但是，太多這類結(jié)構(gòu)級(jí)聯(lián)在一起可能會(huì)通過 RAM 產(chǎn)生很大的延遲。從長遠(yuǎn)來看，花時(shí)間讓您的 RAM 完全流水線化會(huì)帶來很多好處。