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USB PD拐點(diǎn)已現(xiàn) GaN能否為其打開一扇盈利之窗?

漁翁先生 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Allen Yin ? 2019-07-27 00:02 ? 次閱讀
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26日消息,在今日PI的財報會議上,PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示,由于智能手機(jī)市場快充技術(shù)的持續(xù)擴(kuò)張,USB PD將在未來幾年成為其收入增長的驅(qū)動力。因?yàn)镻I推出的基于GaN基InnoSwitch新器件不僅可以解決移動設(shè)備快充效率、散熱問題,而且體積可以做的足夠小。

據(jù)其介紹,Power Integrations(以下簡稱“PI”)第二季度收入比上一季度增長了15%至1.029億美元。其中終端市場業(yè)務(wù)收入貢獻(xiàn)值是37%消費(fèi)類,33%工業(yè),24%通信及6%的計(jì)算機(jī)業(yè)務(wù)。

據(jù)悉,在這四大終端應(yīng)用中今年二季度PI最大的貢獻(xiàn)者來自通信市場,它比上一季度增長了50%以上,其原因主要得益于智能手機(jī)快充市場蓬勃興起。另外,移動設(shè)備市場顯然正受到多種融合趨勢的推動。

首先是新USB PD充電標(biāo)準(zhǔn)搭配Type-C連接器可以為任何移動設(shè)備提供高達(dá)100W的功率。其次,原始設(shè)備制造商(OEM)正在其設(shè)備中加入容量更大的電池,以便隨著使用量的不斷增加而延長電池續(xù)航時間。這種趨勢會隨著5G手機(jī)被采用而持續(xù)。

第三、隨著手機(jī)品牌商不斷推出各式各樣的旗艦機(jī)爭奪市占率,許多OEM現(xiàn)將充電速度視為差異化的標(biāo)志。盡管OEM對充電速度的重視程度各不相同,但很明顯,更快的充電是整個行業(yè)的趨勢,將在未來幾年內(nèi)爆發(fā)。

“我們相信我們擁有市場上最好的技術(shù)來應(yīng)對快速充電趨勢,我們認(rèn)為隨著功率水平的不斷提高,PI的技術(shù)優(yōu)勢將會增加?!盉alu Balakrishnan表示。效率在快速充電中至關(guān)重要,因?yàn)橥庑翁∪菀自斐缮岵缓?,而集成也很關(guān)鍵,因?yàn)楦吖β食潆娖魍ǔ>哂懈叩膹?fù)雜度和更多的元件數(shù)。而PI的 InnoSwitch產(chǎn)品恰好可以彌補(bǔ)這一缺陷。

據(jù)其今日官方消息,InnoSwitch家族又再添新成員——InnoSwitch 3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC。新IC可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供95%的高效率,并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。

Power Integrations總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示?!癙I是目前唯一家大批量生產(chǎn)高壓GaN基產(chǎn)品的公司。實(shí)際上,幾款采用GaN基產(chǎn)品的充電器已經(jīng)在零售市場上廣泛銷售,其中包括極小尺寸的30W USB PD充電器,可輕松插入襯衫口袋。”

這款基于GaN的InnoSwitch器件具有優(yōu)異的高效能,可實(shí)現(xiàn)極小的外形尺寸,從而實(shí)現(xiàn)硅開關(guān)無法達(dá)到的功率密度水平。Balu Balakrishnan指出,“雖然這些新產(chǎn)品是針對移動設(shè)備的高功率充電器,但GaN基在未來幾年的產(chǎn)品路線圖中會扮演重要角色,公司計(jì)劃推出一系列新產(chǎn)品,將GaN的優(yōu)越性能帶入將來市場產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用中。”

對于PI而言,GaN技術(shù)的重要性不言而喻,它不僅適用于適配器,還適用于功率轉(zhuǎn)換。它希望將這項(xiàng)技術(shù)推廣到更多新產(chǎn)品中。譬如在30W或40W的產(chǎn)品中使用這項(xiàng)技術(shù),原因有二:一是PI 的GaN技術(shù)與業(yè)界一直談?wù)摰乃衅渌鸊aN技術(shù)完全不同。因?yàn)樗菍S械摹I將這項(xiàng)技術(shù)專注于電源轉(zhuǎn)換,它是專門為此而設(shè)計(jì)的。二是GaN作為一種尚未商業(yè)化的技術(shù)是因?yàn)镚aN分立器件非常難以使用。業(yè)界很難去駕馭它。保護(hù)它,因?yàn)檫^高的電流會損壞器件。但是這個問題,PI已經(jīng)徹底攻克,它可以完全集成在PI系統(tǒng)級芯片中。

也許有人會問為什么PI選擇GaN而不是碳化硅?Balu Balakrishnan給出的解釋是,GaN和碳化硅都是一種非常有價值的技術(shù),但后者更適用于使用1,200V和1,700V的高壓時。在600V,700V的情況下,它將很難與氮化鎵技術(shù)競爭。

展望未來,PI預(yù)計(jì)第三季度收入將達(dá)到1.14億美元,上下浮動300萬美元。其中大部分增長來自通信和工業(yè)市場。其中通信市場的增長主要來源于移動設(shè)備USB PD業(yè)務(wù)。

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