新能源汽車已上升為國(guó)家戰(zhàn)略。來(lái)自中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2016年，國(guó)內(nèi)新能源汽車產(chǎn)銷分別達(dá)到51.7萬(wàn)輛和50.7萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)51.7%和53%，連續(xù)兩年保持全球第一，中國(guó)已然成為全球第一大新能源汽車市場(chǎng)。據(jù)悉，到2020年，要新增集中式充電站超過(guò)1.2萬(wàn)座、分散式充電樁超過(guò)480萬(wàn)個(gè)，以滿足全國(guó)500萬(wàn)輛電動(dòng)汽車充電需求。

功率半導(dǎo)體作為新能源汽車、開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件，是降低功耗的關(guān)鍵。隨著新能源汽車火熱發(fā)展，功率器件的需求必將大幅提升，華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹宏力”）對(duì)此已有全面布局。華虹宏力現(xiàn)已推出第三代深溝槽超級(jí)結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）工藝平臺(tái)，技術(shù)參數(shù)達(dá)業(yè)界一流水平，它的超低導(dǎo)通電阻，超高開關(guān)速度的特性可以幫助客戶實(shí)現(xiàn)超低功耗和超小體積的電源管理系統(tǒng)，高度契合當(dāng)前熱門的大功率新能源汽車充電樁、快充電源以及LED照明電源的應(yīng)用需求。
作為全球首家提供FS IGBT量產(chǎn)技術(shù)的200mm代工廠，華虹宏力憑借不斷研發(fā)創(chuàng)新，陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，并擁有背面薄片、離子注入、激光退火等一系列特色工藝，其IGBT工藝平臺(tái)的技術(shù)參數(shù)完全可與國(guó)際領(lǐng)先者的相比肩。憑借國(guó)內(nèi)最全、最先進(jìn)的全套IGBT背面制程代工技術(shù)，華虹宏力可為綠色能源應(yīng)用提供從低電壓到高電壓的全系列解決方案，并可根據(jù)客戶要求定制各種功率器件，在晶圓代工領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。
華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，華虹宏力在汽車電子領(lǐng)域有著長(zhǎng)期的經(jīng)驗(yàn)積累和獨(dú)具特色的工藝能力，并建立了零缺陷管理模式，自2005年起就通過(guò)了ISO/TS16949認(rèn)證和多家客戶的VDA 6.3（德國(guó)汽車質(zhì)量流程審計(jì)標(biāo)準(zhǔn)）標(biāo)準(zhǔn)審計(jì)，公司客戶的MOSFET、DT-SJ（深溝槽超級(jí)結(jié)）都已成功應(yīng)用到汽車電子領(lǐng)域。

華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士

持續(xù)改進(jìn)的產(chǎn)品制造流程加上嚴(yán)格的質(zhì)量管控，不僅讓華虹宏力的功率器件享譽(yù)市場(chǎng)，也鑄就了其嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)的高可靠性與高性價(jià)比。憑借著在eNVM技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，華虹宏力可支持包括物聯(lián)網(wǎng)、汽車、消費(fèi)電子等各領(lǐng)域的8~32位MCU產(chǎn)品。
現(xiàn)在終端產(chǎn)品的功能愈來(lái)愈多，芯片設(shè)計(jì)需要愈來(lái)愈復(fù)雜，對(duì)低功耗的要求也愈來(lái)愈高，因此MCU面臨不少挑戰(zhàn)。而華虹宏力經(jīng)創(chuàng)新、優(yōu)化后的成熟技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)與低成本CMOS射頻技術(shù)的結(jié)合，通過(guò)將快閃存儲(chǔ)器技術(shù)和高壓技術(shù)做整合，進(jìn)一步降低了成本和縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，使華虹宏力贏得了客戶的充分認(rèn)可。
孔蔚然博士強(qiáng)調(diào)，華虹宏力不僅擁有全球領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)，還可提供經(jīng)驗(yàn)豐富的嵌入式存儲(chǔ)器IP設(shè)計(jì)和測(cè)試團(tuán)隊(duì)，助力客戶發(fā)展高規(guī)格的MCU產(chǎn)品線，以積極響應(yīng)MCU在物聯(lián)網(wǎng)及車用電子等市場(chǎng)應(yīng)用的巨大商機(jī)。
華虹宏力極具競(jìng)爭(zhēng)力的0.11微米超低漏電 (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺(tái)，其N/P管靜態(tài)漏電<1pA/μm，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，面對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，提供低電壓操作模式，兼顧動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。
作為國(guó)內(nèi)唯一享有汽車級(jí)eFlash工藝平臺(tái)的純晶圓代工廠，華虹宏力擁有符合汽車電子AEC-Q100 Grade-I標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性eFlash技術(shù)，可配合EEC糾正電路，自帶BIST/BISR測(cè)試；可支持AEC-Q100 Grade-I標(biāo)準(zhǔn)的汽車電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。此外，公司嵌入式存儲(chǔ)器平臺(tái)上的代工產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于安全氣囊、引擎控制、 信息娛樂系統(tǒng)、 車載動(dòng)力等領(lǐng)域。
孔蔚然博士表示，華虹宏力在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖上，定位細(xì)分市場(chǎng)，專注于差異化特色工藝，汽車電子無(wú)疑是我們的戰(zhàn)略重點(diǎn)之一。未來(lái)，華虹宏力將攜手客戶及合作伙伴，以期通過(guò)更具特色的技術(shù)、更廣泛的服務(wù)、更優(yōu)的品質(zhì)，贏得汽車電子領(lǐng)域的信賴與支持。