• 支持BC1.2 DCP, QC2.0，QC3.0，PE， AFC，F(xiàn)CP, SCP, VOOC, APPLE 2.4A 快充 協(xié)議;兼容市面上幾乎所有快充手機(jī)

• 雙 A 口隨機(jī)快充: 每個(gè) A 口都支持 BC1.2 DCP / QC2.O / QC3.0 / PE1.0 / AFC / FCP / Apple 2.4A 協(xié) 議。（雙口同時(shí)插入負(fù)載時(shí)退出快充，變成 5V）

• 額定功率及過流點(diǎn)： 任意 A 口: 18W (5V/3.4A, 9V/2.3A, 12V/1.8A) (AC 口同時(shí)插入轉(zhuǎn)普通充電： 5V/3.4A)

• 輸出電壓：3.8 ~ 12V

AC-DC 前端：

• 輸出額定功率：18W

• 要求副邊反饋

• INPUT REF 電壓: 2.5V

• 過流，過壓/欠壓，短路保護(hù)

1．IC 下面需敷銅散熱（IC 襯底要連接到 PGND),散熱面積盡量大，襯底焊盤打通孔到PCB 底層，并適當(dāng)露銅皮增強(qiáng)散熱。

2．LDO18 腳的 10uF 電容要靠近芯片管腳; AGND 用單點(diǎn)接連的方式回到 PGND。

3．采樣電阻 CSP, CSN 端 Layout 應(yīng)遵循如下規(guī)則：

a) CSP，CSN 走線要盡量避開干擾源器件比如電感，環(huán)路 MOS, Vout 等;

b) CSP, CSN 走線盡量在同一層，減少打孔的情況;

c) CSP, CSN 兩條線都必須靠近采樣電阻，從采樣電阻兩端平行走線接入芯片且盡量靠近芯片; 采樣電阻到芯片端之間的連線不得過電流. 同樣原理 CSN 也是不可以直接和 PGND 相連。

4． 大電流通路（升降壓環(huán)路部分電路： BAT – 電感 – MOS -- VOUT）: 盡量走在同一層，而且盡量粗短，同時(shí)地的面積也盡量增大且要完整. 這樣可以增加散熱，減小紋波并降低EMC 干擾.

5, USB 口外殼不可以直接接 GND. 因?yàn)槟承?USB 線負(fù)極是與外殼相連的，而采樣電阻是需要接在接口負(fù)極與 GND 中間，若兩者相連則相當(dāng)于采樣電阻短路了.

6， 為保證散熱，EMC 等性能最佳，推薦使用四層板。