在論壇的圓桌論壇環(huán)節(jié)，F(xiàn)D-SOI產(chǎn)業(yè)鏈大佬們集聚一堂共話FD-SOI未來，當然，大家對FD-SOI未來都很樂觀，但是對于FD-SOI工藝真正大爆發(fā)稍有異議，Handel Jones認為需要3年左右會有大爆發(fā)，他的觀點是一年IP ，一年設計，一年制造迎來這個工藝爆發(fā)。

不過SOI晶圓主要提供者Soitec CEO Paul Boudre則表示他認為后年1Q左右就可以迎來FD-SOI工藝大爆發(fā)，也許他有三星和GF晶圓的forecast所以比較樂觀吧，在我會后對Soitec高管的采訪中，他們都表示三星相比GF更激進，對晶圓有很大的需求，同時他們也表示，SOI晶圓供應充足，足以應付 即將到來的大爆發(fā)。

在私下與本土IC業(yè)者的交流中，很多人表示已經(jīng)在GF或者三星流片基于FD-SOI工藝的芯片，但是在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。

在論壇上的多位專家也談到FD-SOI工藝的IP問題，怎么辦呢？芯原微電子戴偉民博士表示FD-SOI生態(tài)系統(tǒng)還需要加快建設，尤其在IP方面，目前芯原和GF、三星聯(lián)合開發(fā)了很多FD-SOI接口，如IMIPI、USB等接口IP，也包括ADC、收發(fā)器等模擬產(chǎn)品，還包括PLL甚至溫度傳感器IP等。“但這是一個過程，F(xiàn)D-SOI聯(lián)盟都有制定計劃，這兩年的目標都是完成的?！彼硎?。

作為FD-SOI工藝最熱心的推手之一，戴博士一直希望本土IC公司能利用這個工藝實現(xiàn)差異化突破，他說芯原幫助客戶設計的用于汽車自動駕駛的L4 ADAS SoC芯片已經(jīng)流片，由于采用了FD-SOI工藝，這顆芯片功耗大大降低！

他認為物聯(lián)網(wǎng)時代本土IC廠商的機會很大，通過FD-SOI工藝可以獲得成本性能的競爭優(yōu)勢，“FD-SOI可以集成RF部件，又有低功耗優(yōu)勢，利用這個工藝可以實現(xiàn)完整的物聯(lián)網(wǎng)方案，大家不一定都要去采用FinFET工藝，可以兩條腿走路。”他強調(diào)。目前在中國已經(jīng)形成了FD-SOI完整產(chǎn)業(yè)鏈。

在論壇上，我感覺到大家都還是希望FD-SOI領域出現(xiàn)一只領頭羊，尤其在中國（因為中美貿(mào)易戰(zhàn)的緣故），目前格芯成都12寸廠被大家寄予厚望，這座投資百億美元的晶圓廠預計2019年將開始量產(chǎn)FD-SOI器件，因此與會者都迫切希望知道這個計劃是不是可以如期進行，GF的Morgenstern在演講中也特別談到了GF在中國的戰(zhàn)略，特別指出GF將于成都緊密合作促進22FDX中國順利量產(chǎn)！

可以說，隨著FD-SOI逐漸被產(chǎn)業(yè)接受，目前全球FD-SOI都在看中國，而中國在看GF格芯廠！不過，據(jù)老張私下消息，近日就將有關于格芯成都廠的利好消息發(fā)布，大家靜候佳音！