加利福尼亞州圣何塞＆＃151; MagnaChip半導體有限公司和Tezzaron半導體公司預計將宣布合作伙伴關系，該公司聲稱這些產品是世界上第一個真正的三維（3D）芯片。預計Tezzaron還將宣布該公司聲稱是世界上第一個可重新編程的3D RAM芯片。該器件由Tezzaron銷售和銷售，已經過高于500-MHz的時鐘速率測試，延遲小于2 ns。

該器件基于Tezzaron的3D晶圓堆疊技術（伊利諾伊州內珀維爾），一家無晶圓廠芯片設計公司。 RAM設備以及來自Tezzaron的未來3D芯片將由MagnaChip（韓國首爾）在鑄造廠生產。

新形成的MagnaChip研發(fā)部高級副總裁Jeong-Gun Lee表示，3D RAM目前正在采用標準的0.18微米鑄造工藝制造。 MagnaChip是韓國海力士半導體公司的前非存儲芯片部門。海力士的非存儲芯片部門最近被出售給由花旗集團風險資本股權合伙公司LP和CVC亞太有限公司組建的新成立的韓國公司。見10月5日的故事）。

最初，MagnaChip在代工廠的基礎上為Tezzaron構建了一個基于RAM的寄存器文件。 “這是一種相對原始的設備，”Tezzaron首席技術官羅伯特帕蒂說。 “但我們相信這將迎來半導體的新時代?！?/p>

Tezzaron本身計劃開發(fā)和銷售一系列3D“定制設備”，Patti說。 3D芯片在手機，手持設備和其他產品的速度，密度和低功耗要求方面都有很大前景，他告訴 Silicon Strategies。。

其他人也在奔波開發(fā)和運送3D芯片。例如，MagnaChip發(fā)布了關于開發(fā)3D零件的提示。 “我們的主要興趣是開發(fā)3D IC的工藝技術，”Lee說。 “我們也對3D傳感器感興趣。”

本月早些時候，3D半導體存儲器開發(fā)商Matrix Semiconductor公司表示，它已經遷移了多層，基于反熔絲的ROM，從0.25微米制造工藝到0.15微米工藝。

Matrix已推出采用0.25微米制造工藝制造的基于8層反熔絲的512-Mbit PROM，運行時間約為一年。該公司補充說，它在不到四個月的大規(guī)模生產中已經出貨了100萬臺3D內存（見11月8日的報道）。

堆疊甲板

Tezzaron聲稱需要另一種3D設計方法。該公司的FaStack技術通過堆疊整個半導體晶圓并將其與銅結合以在電路層之間建立連接來構建3D芯片。目前的工藝將8英寸晶圓與小于1微米的精度對齊，從而實現極高密度的晶圓間連接。

然后將晶圓堆疊切割成單獨的芯片，每個芯片都是完全集成的3D IC。該過程可以擴展到多個晶圓。因為每個添加的晶圓都被減薄到僅僅10微米，所以多達32層可以適合標準芯片封裝。

該公司的可重新編程RAM器件是作為3D IC構建的 - 兩層電路具有垂直互連，允許它們作為單個器件運行。據該公司稱，該技術預計比現有芯片的性能提高3到10倍，因為垂直互連很小，只有10微米長。

MagnaChip在標準“批量”半導體晶圓上構建了Tezzaron的RAM設計，并根據需要提供了額外的處理。 Tezzaron董事長兼首席執(zhí)行官詹姆斯·艾爾斯（James Ayers，Jr。）表示，兩家公司打算繼續(xù)建立更多3D設備。 “除了3D RAM之外，我們的產品路線圖還包括許多其他商業(yè)3D設備，這些設備將在FaStack大規(guī)模生產時宣布推出?！彼f。

MagnaChip總裁兼首席執(zhí)行官Youm Huh也是看好3D芯片。 “隨著數碼相機應用，手機和便攜式消費電子產品的增長，3D RAM有望成為增長最快的IC領域之一，”他說。 “制造商的好處包括提高性能，降低擁有成本，縮短產品上市時間和提高產品性能。”