M57959L/M57962L厚膜驅動電路

M57959L/M57962L厚膜驅動電路采用雙電源（+15V，-10V）供電，輸出負偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短路/過載保護和封閉性短路保護功能，同時具有延時保護特性。

其分別適合于驅動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅動中小功率的IGBT時，驅動效果和各項性能表現優(yōu)良，但當其工作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信號的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內部采用印刷電路板設計，散熱不是很好，容易因過熱造成內部器件的燒毀。

日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅動。其最高頻率也達40KHz，采用雙電源供電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有以下特點：

（1）采用光耦實現電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關運行，光耦的原邊已串聯限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入側。

（2）如果采用雙電源驅動技術，輸出負柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，一般取+15V/-10V.

（3）信號傳輸延遲時間短，低電平-高電平的傳輸延時以及高電平-低電平的傳輸延時時間都在1.5μs以下。

（4）具有過流保護功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會將對IGBT實施軟關斷，并輸出過流故障信號。

（5）M57959的內部結構如圖所示，這一電路的驅動部分與EXB系列相仿，但是過流保護方面有所不同。過流檢測仍采用電壓采樣，電路特點是采用柵壓緩降，實現IGBT軟關斷避免了關斷中過電壓和大電流沖擊;另外，在關斷過程中，輸入控制信號的狀態(tài)失去作用，既保護關斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當保護開始時，立即送出故障信號，目的是切斷控制信號，包括電路中其它有源器件。