91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

先進(jìn)的制程工藝提升對(duì)于CPU性能提升影響明顯

SwM2_ChinaAET ? 來源:lq ? 2019-10-01 17:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

CPU的生產(chǎn)是需要經(jīng)過硅提純、切割晶圓、影印、蝕刻、分層、封裝、測(cè)試7個(gè)工序,這個(gè)過程中要進(jìn)行加工各種電路和電子元件,制造導(dǎo)線連接各個(gè)元器件。其工藝的先進(jìn)與否關(guān)系到CPU內(nèi)能塞進(jìn)多少個(gè)晶體管,還有CPU所能達(dá)到的頻率還有它的功耗。1978年Intel推出了第一顆CPU--8086,它采用3μm(3000nm)工藝生產(chǎn),只有29000個(gè)晶體管,工作頻率也只有5MHz,而現(xiàn)在晶體管數(shù)量最多的單芯片CPU應(yīng)該是Intel的28核Skylake-SP Xeon處理器,它擁有超過80億個(gè)晶體管,而頻率最高的則是Core i9-9900K,最大睿頻能到5GHz,它們都是用Intel的14nm工藝生產(chǎn)的。

先進(jìn)的制程工藝提升對(duì)于 CPU 性能提升影響明顯。工藝提升帶來的作用有頻率提升以及架構(gòu)優(yōu)化兩個(gè)方面。一方面,工藝的提升與頻率緊密相連,使得芯片主頻得以提升;另一方面工藝提升帶來晶體管規(guī)模的提升,從而支持更加復(fù)雜的微架構(gòu)或核心,帶來架構(gòu)的提升。根據(jù) CPUDB 的數(shù)據(jù),可以看出在芯片發(fā)展歷史上,工藝提升顯著帶來了頻率提升和架構(gòu)提升的作用。隨著制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)步,可以發(fā)現(xiàn)頻率隨工藝增長(zhǎng)的斜率已經(jīng)減緩,由于登德爾縮放定律的失效以及隨之而來的散熱問題,單純持續(xù)提高 CPU 時(shí)鐘頻率變得不再現(xiàn)實(shí),廠商也逐漸轉(zhuǎn)而向低頻多核架構(gòu)的研究。

AMD 先前代工廠商 GlobalFoundries14nmLPP 技術(shù)授權(quán)自三星,工藝水平低于 Intel 14nm,但同價(jià)位產(chǎn)品多線程性能更高。以 AMD 目前最新的 Ryzen 系列處理器為例,Ryzen系列于 2017 年 3 月上市,采用 ZEN 架構(gòu),制作工藝采用 GlobalFoundries 14nmLPP,事實(shí)上 GlobalFoundries 14nmFinFET 技術(shù)于 2014 年購(gòu)買自三星,在柵極間距(Gatelength)/CPP(ContactedPolyPitch)、鰭片間距(FinPitch)、第一層金屬間距(MetalPitch)等參數(shù)上 AMD 14nm 處理器均弱于 Intel 14nm 處理器。根據(jù) Anandtech 性能測(cè)試結(jié)果,AMDRyzen 系列 CPU 在單線程性能方面弱于同價(jià)位 IntelCPU,但由于采用了堆積更多核心的設(shè)計(jì),實(shí)際多線程性能強(qiáng)于同價(jià)位 IntelCPU,因而 AMD RyzenCPU 實(shí)際擁有更高性價(jià)比。

目前服務(wù)器市場(chǎng)英特爾占據(jù)約 99%市場(chǎng)、AMD 約 1%;桌面級(jí)市場(chǎng)英特爾約占 91%、AMD 約 9%。AMD 在 CPU 市場(chǎng)長(zhǎng)期位于市場(chǎng)第二,近幾年來市場(chǎng)份額有顯著下降。但自2017 年 AMD 發(fā)布 Ryzen 新系列之后,新品獲得較好反響,市場(chǎng)份額開始好轉(zhuǎn)。2018 年AMD 服務(wù)器 CPU 市場(chǎng)份額已回升超過 1%,個(gè)人電腦 CPU 市場(chǎng)份額亦回升至 10%左右。

AMD轉(zhuǎn)投臺(tái)積電后,工藝水平趕超英特爾,有望持續(xù)擴(kuò)張市場(chǎng)份額。近期 AMD 宣布在 7nm 節(jié)點(diǎn)采用臺(tái)積電工藝,其長(zhǎng)期合作的代工廠 GlobalFoundries 放棄 7nm 研發(fā)。一方面,由此可見賽道壁壘持續(xù)提高,GlobalFoundries 7nm 技術(shù)進(jìn)展已無法滿足 AMD 需求,臺(tái)積電在有限的未來先進(jìn)工藝代工中難以看到對(duì)手。另一方面,CPU 已經(jīng)進(jìn)入 Fabless + Foundry 階段,英特爾與 AMD 之間的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)質(zhì)上變?yōu)橛⑻貭栕鳛?IDM 與臺(tái)積電代工工藝的競(jìng)爭(zhēng)。由于臺(tái)積電 2018 年 Q2 已量產(chǎn) 7nm 工藝,AMD 有望從 2019 年上半年逐漸出貨7nmCPU 產(chǎn)品,而英特爾 10nm 預(yù)計(jì) 2019 下半年量產(chǎn),實(shí)際出貨恐延后至 2020 年。AMD有望工藝領(lǐng)先 Intel 一年左右,未來一年內(nèi)在服務(wù)器端和個(gè)人電腦端 AMD 有望持續(xù)擴(kuò)張市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì) AMD 與臺(tái)積電雙雙獲益。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • amd
    amd
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    5682

    瀏覽量

    139941
  • cpu
    cpu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    11277

    瀏覽量

    224954
  • 先進(jìn)制程
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    92

    瀏覽量

    9006

原文標(biāo)題:【AET原創(chuàng)】先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)已成為影響CPU的決定因素

文章出處:【微信號(hào):ChinaAET,微信公眾號(hào):電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    如何確保CAT.1模組的高性能與低功耗?

    確保CAT.1模組實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的完美平衡,是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行和降低運(yùn)維成本的關(guān)鍵。基于我們采用的華為海思最新Hi2131芯片方案,我們通過以下四大核心技術(shù)維度實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo): 1. 先進(jìn)制程
    發(fā)表于 03-05 11:41

    晶圓工藝制程清洗方法

    晶圓工藝制程清洗是半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),直接決定芯片良率與器件性能,需針對(duì)不同污染物(顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物)和制程需求,采用物理、化學(xué)、干法、復(fù)合等多類技術(shù),適配從成熟
    的頭像 發(fā)表于 02-26 13:42 ?169次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>制程</b>清洗方法

    濕法清洗和干法清洗,哪種工藝更適合先進(jìn)制程的硅片

    先進(jìn)制程的硅片清洗工藝中,濕法清洗與干法清洗各有技術(shù)特性,適配場(chǎng)景差異顯著,并不存在絕對(duì)的“最優(yōu)解”,而是需要結(jié)合制程節(jié)點(diǎn)、結(jié)構(gòu)復(fù)雜度、污染物類型等核心需求綜合判斷。以下從技術(shù)特性、制程
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:04 ?127次閱讀
    濕法清洗和干法清洗,哪種<b class='flag-5'>工藝</b>更適合<b class='flag-5'>先進(jìn)制程</b>的硅片

    國(guó)產(chǎn)高性能ONFI IP解決方案全解析

    不同供應(yīng)鏈選擇下的靈活性:? 全節(jié)點(diǎn)覆蓋:產(chǎn)品線已實(shí)現(xiàn)從成熟工藝先進(jìn)制程的廣泛覆蓋,助力多領(lǐng)域存算需求。? 深度生態(tài)合作:通過與多家全球知名Foundry的長(zhǎng)期戰(zhàn)略協(xié)作,相關(guān)IP已在多個(gè)先進(jìn)
    發(fā)表于 01-13 16:15

    n型TOPCon電池中通過氘化/氫化混合策略提升鈍化性能

    在晶體硅太陽能電池領(lǐng)域,隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)是突破效率瓶頸的關(guān)鍵方向,其鈍化性能直接決定電池效率。目前,TOPCon結(jié)構(gòu)的制備嚴(yán)重依賴氫化工藝來中和缺陷,但傳統(tǒng)方法面臨鈍化效果提升
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:03 ?416次閱讀
    n型TOPCon電池中通過氘化/氫化混合策略<b class='flag-5'>提升</b>鈍化<b class='flag-5'>性能</b>

    那么龍芯CPU性能如何呢?

    · ? 3A6000 ?:采用LA464架構(gòu),4核8線程設(shè)計(jì),實(shí)測(cè)單核性能與英特爾10代酷睿i3-10100F持平,多核性能提升60%以上其每GHz性能表現(xiàn)甚至超越AMD Zen3架
    的頭像 發(fā)表于 12-03 13:42 ?1014次閱讀

    一個(gè)提升蜂鳥E203性能的方法:乘除法器優(yōu)化

    性能十分低下。 對(duì)于乘法操作,為了減少乘法操作所需的周期數(shù), MDV 對(duì)乘法采用基 (Radix-4 ) 的Booth 編碼,進(jìn)行一次乘法操作需要17個(gè)時(shí)鐘周期。 對(duì)于除法操作,采用普通的加減交替法
    發(fā)表于 10-27 07:16

    低 ESR 設(shè)計(jì)降損耗:車規(guī)鋁電解電容提升電機(jī)驅(qū)動(dòng) EMC 性能

    低ESR車規(guī)鋁電解電容通過優(yōu)化材料、結(jié)構(gòu)與工藝,顯著降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電磁干擾(EMI)和能量損耗,提升電磁兼容性(EMC)性能,成為高壓環(huán)境下的關(guān)鍵解決方案。 以下從技術(shù)原理、性能優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 10-20 16:54 ?802次閱讀
    低 ESR 設(shè)計(jì)降損耗:車規(guī)鋁電解電容<b class='flag-5'>提升</b>電機(jī)驅(qū)動(dòng) EMC <b class='flag-5'>性能</b>

    目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平介紹

    1.8nm)制程 技術(shù)亮點(diǎn):這是英特爾首個(gè)2納米級(jí)別制程節(jié)點(diǎn),采用了全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around, GAA)和背面供電網(wǎng)絡(luò)(Backside Power Delivery Network)。與Intel 3制程
    的頭像 發(fā)表于 10-15 13:58 ?2008次閱讀

    樹莓派5超頻指南:安全高效地提升性能!

    為什么要對(duì)樹莓派5進(jìn)行超頻?對(duì)樹莓派進(jìn)行超頻,可通過提高CPU和GPU的時(shí)鐘頻率來釋放額外的性能。在需要額外處理能力以提高響應(yīng)速度、減少延遲或處理更繁重工作負(fù)載的場(chǎng)景中,超頻尤其有益。性能提升
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:45 ?2541次閱讀
    樹莓派5超頻指南:安全高效地<b class='flag-5'>提升</b><b class='flag-5'>性能</b>!

    Arm KleidiAI與XNNPack集成實(shí)現(xiàn)AI性能提升

    INT4 矩陣乘法 (matmul) 優(yōu)化以增強(qiáng) Google Gemma 2 模型性能開始,到后續(xù)完成多項(xiàng)底層技術(shù)增強(qiáng),Arm 在 XNNPack 上實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升。
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:19 ?2801次閱讀
    Arm KleidiAI與XNNPack集成實(shí)現(xiàn)AI<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>提升</b>

    基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

    摘要:本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì)晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制,分析其對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響路
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:12 ?540次閱讀
    基于納米流體強(qiáng)化的切割液<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>提升</b>與晶圓 TTV 均勻性控制

    淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割深度過大引發(fā)應(yīng)力集中、振動(dòng)等問題,導(dǎo)致晶圓
    的頭像 發(fā)表于 07-11 09:59 ?603次閱讀
    淺切多道切割<b class='flag-5'>工藝</b>對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的<b class='flag-5'>提升</b>機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

    快手上線鴻蒙應(yīng)用高性能解決方案:數(shù)據(jù)反序列化性能提升90%

    近日,快手在Gitee平臺(tái)上線了鴻蒙應(yīng)用性能優(yōu)化解決方案“QuickTransformer”,該方案針對(duì)鴻蒙應(yīng)用開發(fā)中廣泛使用的三方庫(kù)“class-transformer”進(jìn)行了深度優(yōu)化,有效提升
    發(fā)表于 05-15 10:01

    5G網(wǎng)絡(luò)中,信令測(cè)試儀如何幫助提升用戶體驗(yàn)?

    在5G網(wǎng)絡(luò)中,信令測(cè)試儀通過全面、深入地測(cè)試和分析信令流程,為提升用戶體驗(yàn)提供了有力支持。具體來說,信令測(cè)試儀在以下幾個(gè)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用:一、高效診斷和優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)性能 實(shí)時(shí)捕捉和分析信令信息: 信
    發(fā)表于 03-21 14:33