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英創(chuàng)信息技術(shù)EM9170的USB-OTG接口注意事項(xiàng)

英創(chuàng)信息技術(shù) ? 來(lái)源:英創(chuàng)信息技術(shù) ? 作者:英創(chuàng)信息技術(shù) ? 2020-01-15 15:26 ? 次閱讀
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在使用EM9170的過(guò)程中,常常會(huì)出現(xiàn)不明的原因使CPU發(fā)熱且部份功能損壞,主要表現(xiàn)的現(xiàn)象是:系統(tǒng)能正常啟動(dòng)、外設(shè)大部份功能正常、CPU發(fā)熱嚴(yán)重。

經(jīng)我們翻閱相關(guān)資料及實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn),造成這種結(jié)果的主要原因是:USB-OTG接口PCB接通時(shí),由于物理連接器及其它原因,偶爾會(huì)在USB_VBUS及GND信號(hào)上產(chǎn)生一個(gè)浪涌脈沖。正是由于這樣一個(gè)浪涌脈沖的存在,可能使CPU內(nèi)部的一部份功能電路損壞。為了消除USB連接時(shí)的浪涌脈沖對(duì)系統(tǒng)的影響,需要在USB連接器及系統(tǒng)之間的USB_VBUS及GND信號(hào)上串入一個(gè)磁珠,從而起到對(duì)系統(tǒng)的相對(duì)保護(hù)作用。

磁珠在圖中的連接方式如下圖所示:

上圖中的ZE1及ZE2就是串入的磁珠PBY160808T-600Y-S,它在100MHz頻率時(shí)的阻抗為60歐母。在我們的測(cè)試中,串入了磁珠以后,對(duì)系統(tǒng)的保護(hù)有明顯的改善。

因此,客戶在使用過(guò)程中如需要使用到USB OTG接口,強(qiáng)烈推薦按上圖方式對(duì)VBUS電源進(jìn)行必要的處理,以降低隨機(jī)的浪涌電壓對(duì)系統(tǒng)可能的損壞。同時(shí)建議客戶檢查并確認(rèn)基于EM9170的應(yīng)用底板上是否已這樣處理過(guò),如沒(méi)有串入磁珠,則盡可能地進(jìn)行修改完善PCB。在EM9170EVB中,該USB-OTG接口的大概位置如下圖片中紅圈內(nèi)所示:

沒(méi)有加磁珠的PCB

已添加磁珠的PCB

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