ASML在IEDM 2019大會(huì)上披露，截至2019年，總共已經(jīng)使用EUV設(shè)備處理了450萬片晶圓。該公司最新的NXE：3400C系統(tǒng)每小時(shí)可生產(chǎn)170個(gè)晶圓。

從2011年到2018年末，通過ASML的EUV工具累計(jì)運(yùn)行的450萬片晶圓中，絕大部分（250萬片）僅發(fā)生在2018年，自2016年初的60萬片以來，每年大約翻一番。每年要有1200萬個(gè)晶圓，盡管應(yīng)該注意的是，晶圓在其制造過程中可能會(huì)經(jīng)歷數(shù)十次光刻曝光。

由于三星和臺(tái)積電都已開始生產(chǎn)其7nm和N7 +工藝，因此EUV加工的晶圓數(shù)量在2019年可能還會(huì)增加?；贓UV的芯片包括三星Exynos 9825，麒麟990 5G，以及明年，高通的 5G Snapdragon芯片組和AMD的Zen3。英特爾將在2021年采用7nm的EUV。

截至2018年第二季度，NXE：3400B系統(tǒng)的安裝基數(shù)達(dá)到38個(gè)，幾乎是2017年的四倍。這表明EUV的采用正在增長，并且客戶對該技術(shù)充滿信心。2019年第三季度ASML獲得了23份EUV訂單（并表示它將在2020年交付約35個(gè)系統(tǒng)），包括多個(gè)DRAM系統(tǒng)。所有這些訂單都是針對新的NXE：3400C系統(tǒng)的，該系統(tǒng)也將于第三季度開始發(fā)貨。

NXE：3400C更新

盡管EUV的延遲甚至比英特爾的10納米工藝還要長，但ASML強(qiáng)調(diào)了它在EUV吞吐量方面取得的進(jìn)展，這是限制其經(jīng)濟(jì)可行性的主要因素。五年來增長了17倍以上。最新的NXE：3400C每小時(shí)可生產(chǎn)170個(gè)晶圓。但是，基于暴露劑量和系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間，商業(yè)部署的吞吐量可能會(huì)更低。

NXE：3400C的另一項(xiàng)改進(jìn)是其模塊化容器，該容器提高了可維修性，從而顯著減少了平均維修時(shí)間（MTTR），從而提高了可用性指標(biāo)，據(jù)AnandTech稱，這一指標(biāo)已達(dá)到75％至85％。

吞吐量和可用性指標(biāo)顯示EUV 在過去一年中在商業(yè)可行性方面的穩(wěn)步進(jìn)步。

NXE：3400C將在2023年推出EXE：5000系列，其數(shù)值孔徑（NA）為0.55（前者為0.33NA），與多重圖案化EUV相比，分辨率提高67％，有效晶圓產(chǎn)量提高更多0.33NA系統(tǒng)。