資料來源：Kioxia

Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元和每個單元更多的存儲空間，這可以顯著提高每個單元的存儲密度。

Kioxia（原為東芝存儲）創(chuàng)造了3D NAND閃存存儲的潛在繼任者

上周四，Kioxia宣布了世界上第一個“三維半圓形分裂柵閃存單元結(jié)構(gòu)”，稱為Twin BiCS Flash。這與Kioxia的其他產(chǎn)品BiCS5 Flash不同。BiCS5閃存使用圓形電荷陷阱單元，而Twin BiCS閃存使用半圓形浮柵單元。新的結(jié)構(gòu)擴(kuò)大了對單元進(jìn)行編程的窗口，盡管與CT技術(shù)相比，單元在物理上更小。

Twin BiCS閃存是目前在QLC NAND技術(shù)中成功的最佳選擇，盡管該芯片的未來實(shí)現(xiàn)方式仍然未知。盡管目前存在三種糾正方法，但這種更新的芯片顯著增加了閃存的存儲量，這對于制造商來說是一個大問題。

制造商已經(jīng)設(shè)想了增加NAND閃存密度的一種流行方法，一種增加存儲層的方法，已經(jīng)設(shè)想了500和800層NAND芯片。制造商最近通過了96層NAND閃存芯片，并實(shí)現(xiàn)了128位NAND閃存芯片。增加NAND閃存密度的另一種方法是減小單元的大小，這允許將更多的單元裝入單個層中。

增加NAND閃存密度的最后一種方法是提高每個單元的總位，這是制造商最常用的。這種方式給了我們SLC，MLC，TLC和最新的QLC NAND，與以前的技術(shù)相比，每個單元的bit數(shù)增加了一個。

資料來源：Kioxia

Twin BiCS Flash是這項(xiàng)較新的技術(shù)，目前仍處于研發(fā)階段，距離實(shí)施還差很多年。盡管計(jì)劃在2020年發(fā)布BiCS5 128層NAND閃存芯片，但制造商SK海力士和三星能夠在2019年初通過128層4D NAND和V-NAND v6突破100層里程碑。