關(guān)于STM32片上Flash讀寫操作，之前很多朋友遇到過坑，也問過很多相關(guān)的問題，這里再簡單總結(jié)一下。

1寫在前面

STM32片上Flash除了存儲我們的代碼，多余的空間還可以供我自己編程（讀寫）。比如，存儲標(biāo)志位、字庫等。

如果對片上Flash讀寫操作不當(dāng)，將會導(dǎo)致不可挽回的結(jié)局。比如：修改了應(yīng)用程序代碼導(dǎo)致程序跑飛，非對其操作導(dǎo)致異常中斷等。

因此，我們對片上Flash讀寫操作時，一定要避免一些錯誤的做法。下面將講述一些關(guān)于STM32片上Flash的知識，讓大家掌握更多相關(guān)知識。

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Flash閃存接口

STM32片上Flash閃存接口是在AHB協(xié)議上實(shí)現(xiàn)了對指令和數(shù)據(jù)的訪問，它通過對存儲器的預(yù)取緩存，加快了存儲器的訪問；

閃存接口還實(shí)現(xiàn)了在所有工作電壓下對閃存編程和擦除所需的邏輯電路，這里還包括訪問和寫入保護(hù)以及選項(xiàng)字節(jié)的控制。

內(nèi)置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，任何32位數(shù)據(jù)的讀操作都能訪問閃存模塊的內(nèi)容并得到相應(yīng)的數(shù)據(jù)。

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STM32片上Flash容量

STM32片上Flash容量大小與芯片的型號有關(guān)，具體大小可以參看命名規(guī)則：

而我們也可以通過讀取Flash容量寄存器，或通過STM32 ST-LINK Utility工具獲取芯片容量。具體可以參看我的另一篇文章《關(guān)于STM32的這幾個寄存器》

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Flash閃存模塊的組織

STM32的Flash，有的是分頁，而有的卻是分塊，具體可以查閱“參考手冊”。

比如：STM32F0、 F1、 F3、 L1等就是按Page頁來劃分的，如下圖：

而像STM32F2、F4等就是按Sector扇區(qū)來劃分，如下圖：

所以，如果移植代碼，從Page頁移植到Sector扇區(qū)，或者從Sector扇區(qū)移植到Page頁，這部分底層代碼必須要修改才行。

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非對其寫操作

STM32為32位的MCU，即4個字節(jié)。如果不是按照4個字節(jié)的寫Flash，將導(dǎo)致Faults異常。

寫Flash過程：

這里大家可以參看我之前分享的文章：

1.位帶別名區(qū)最低有效位

2.談?wù)凷TM32（CM3）的Faults異常

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寫操作不響應(yīng)代碼或數(shù)據(jù)讀取

對STM32內(nèi)部FLash的寫操作，相對于執(zhí)行指令是比較耗時的。從數(shù)據(jù)手冊可以得出16位數(shù)據(jù)編程時間再40 --- 70us。

從STM32編程手冊中，可以知道：在進(jìn)行寫或擦除操作時，不能進(jìn)行代碼或數(shù)據(jù)的讀取操作。

比如：你在寫Flash期間有接收串口數(shù)據(jù)，很有可能會丟串口數(shù)據(jù)。

因?yàn)楸容^耗時，所以，在寫數(shù)據(jù)時，CPU不會執(zhí)行其他操作。

簡單說：在寫Flash時，CPU 不能取指令，導(dǎo)致中斷得不到及時響應(yīng)，從而發(fā)生接收到的數(shù)據(jù)未及時讀走而被覆蓋的現(xiàn)象。

遇到這種情況，解決的辦法：使用DMA。DMA不需要CPU干預(yù)，一旦 USART 有數(shù)據(jù)接收到，由 DMA 負(fù)責(zé)將其傳輸至循環(huán)緩沖區(qū)中。軟件定期檢測循環(huán)緩沖區(qū)中是否有接收到的數(shù)據(jù)，如果有則加以處理。

提示：

如果你的代碼會反復(fù)讀Flash，建議使用外部Flash。