中國芯片制造龍頭中芯國際公布的業(yè)績(jī)顯示14nmFinFET工藝正式貢獻(xiàn)營收，分析認(rèn)為這代表著國產(chǎn)芯片龍頭企業(yè)華為海思已在中芯國際投產(chǎn)，隨著華為海思的芯片正式投產(chǎn)，代表著中芯國際的14nmFinFET工藝正式進(jìn)入量產(chǎn)階段并開始貢獻(xiàn)營收。

全球前五大芯片代工企業(yè)當(dāng)中，臺(tái)積電和三星位于第二陣營，這兩家企業(yè)代表著全球最領(lǐng)先的水平，它們目前已投產(chǎn)最先進(jìn)的7nmEUV工藝，兩家企業(yè)正在展開針鋒相對(duì)的競(jìng)爭(zhēng)。

第二陣營的就是第三至第五名的格芯、聯(lián)電和中芯國際，中芯國際目前在營收方面雖然還比不上格芯和聯(lián)電，不過卻是第二陣營當(dāng)中最積極進(jìn)取的芯片代工企業(yè)。

中芯國際依托于中國龐大的市場(chǎng)以及這里對(duì)最先進(jìn)工藝要求，因此積極開發(fā)更先進(jìn)的工藝，而格芯和聯(lián)電考慮到7nm及更先進(jìn)工藝的龐大資金投入選擇放棄而止步于14nmFinFET工藝，后兩者致力于提升現(xiàn)有芯片工藝的利潤(rùn)水平。

中芯國際經(jīng)過數(shù)年的努力，特別是前臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松的加入幫助它加速了14nmFinFET工藝的研發(fā)，在去年成功投產(chǎn)14nmFinFET工藝，在工藝技術(shù)水平上與格芯和聯(lián)電達(dá)到了統(tǒng)一水平。相比于格芯和聯(lián)電停止研發(fā)7nm及更先進(jìn)工藝，中芯國際則表示目前正在開發(fā)7nm工藝。

中芯國際在投產(chǎn)14nmFinFET工藝后，正愁沒有客戶，畢竟任何芯片企業(yè)都不愿冒險(xiǎn)嘗試這家芯片代工企業(yè)剛剛投產(chǎn)的14nmFinFET工藝，畢竟對(duì)于中國芯片企業(yè)來說它們可以選擇臺(tái)積電、聯(lián)電等技術(shù)更成熟的企業(yè)，在此時(shí)卻傳來華為海思將轉(zhuǎn)單中芯國際，可謂一大喜訊。

自去年6月以來，美國一再限制華為，到去年底更是要求芯片代工企業(yè)不得將來自美國專利占比超過10%的技術(shù)提供給華為海思，而臺(tái)積電的16nmFinFET工藝恰恰受制于這一限制，華為海思被迫放棄臺(tái)積電的16nmFinFET工藝，此時(shí)中芯國際恰好投產(chǎn)了14nmFinFET工藝，于是順理成章的華為海思將采用14nmFinFET工藝生產(chǎn)的電源管理芯片等交給中芯國際。

如今中芯國際公布的2019年四季度的業(yè)績(jī)顯示，14nmFinFET工藝正式貢獻(xiàn)營收，應(yīng)該就代表著華為海思已正式將部分芯片訂單交給它。華為海思是全球前十大芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一，也是臺(tái)積電前兩大客戶之一，隨著華為海思將更多的芯片交給中芯國際，中芯國際的營收可望獲得快速增長(zhǎng)。

值得注意的是華為海思在芯片制造工藝方面也有一定的經(jīng)驗(yàn)，此前華為海思就與臺(tái)積電合作研發(fā)了16nmFinFET、7nm工藝，華為海思與中芯國際合作將有助于后者開發(fā)更先進(jìn)的7nm工藝。此舉如取得成功，中芯國際可望一舉超越格芯和聯(lián)電，成為全球第三大芯片代工企業(yè)。

中國從2014年成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金以來，芯片制造工藝正是受到扶持的重點(diǎn)之一，這是因?yàn)橹袊男酒O(shè)計(jì)行業(yè)已進(jìn)入蓬勃發(fā)展階段并取得顯著的成績(jī)，華為海思在手機(jī)芯片技術(shù)方面已與全球手機(jī)芯片老大高通相當(dāng)，唯有芯片制造工藝拖后腿，而中芯國際代表著中國芯片制造工藝的最高水平，在集成電路產(chǎn)業(yè)基金和華為海思的助力下，中芯國際進(jìn)一步提升工藝水平應(yīng)該不成問題。