據(jù)快科技報(bào)道，今（20）日，三星宣布，在韓國(guó)華城工業(yè)園新開一條專司EUV（極紫外光刻）技術(shù)的晶圓代工產(chǎn)線V1，最次量產(chǎn)7nm。

據(jù)了解，V1產(chǎn)線于2018年2月動(dòng)工，2019年下半年開始測(cè)試晶圓生產(chǎn)，首批產(chǎn)品今年一季度向客戶交付。目前，V1已經(jīng)投入7nm和6nm EUV移動(dòng)芯片的生產(chǎn)工作，規(guī)劃未來(lái)可代工到最高3nm尺度。

根據(jù)三星安排，在2020年底前，V1產(chǎn)線的總投入將達(dá)60億美元，7nm以下先進(jìn)工藝的總產(chǎn)能將是2019年的3倍。三星制造業(yè)務(wù)總裁ES Jung博士稱，V1產(chǎn)線將和S3產(chǎn)線一道，幫助公司拓展客戶，響應(yīng)市場(chǎng)需求。

現(xiàn)在三星在全球已有6家晶圓廠，包括1家8英寸，5家12英寸。此前，三星電子曾表示，計(jì)劃到2030年將投資133萬(wàn)億韓元升級(jí)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

根據(jù)計(jì)劃，133萬(wàn)億韓元的投資中有73萬(wàn)億韓元是技術(shù)研發(fā)費(fèi)用，60萬(wàn)億韓元是建設(shè)晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)會(huì)創(chuàng)造1.5萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，而三星的目標(biāo)是在2030年時(shí)不僅保持存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)先，還要在邏輯芯片成為領(lǐng)導(dǎo)者。