集微網(wǎng)消息，2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

圖片來源：中國電科

中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項目包括“一個中心、三個基地”?！叭齻€基地”即中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科（山西）電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科（山西）能源產(chǎn)業(yè)基地。

其中，本次投產(chǎn)的中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地將建成國內(nèi)最大的碳化硅（SiC）材料供應(yīng)基地。中國電科（山西）碳化硅產(chǎn)業(yè)基地一期項目于2019年4月1日開工建設(shè)，同年9月26日封頂，據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)完全自主可供。項目投產(chǎn)后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產(chǎn)企業(yè)，可實現(xiàn)年產(chǎn)值10億元。

由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率，碳化硅材料在眾多戰(zhàn)略行業(yè)具有重要的應(yīng)用價值和廣闊的應(yīng)用前景。

自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。