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我國首個5G微基站射頻芯片YD9601流片成功 測試顯示搭載這組芯片的設(shè)備抗衰減能力提升了10dB左右

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:天極網(wǎng) ? 作者:白璐 ? 2020-03-05 10:17 ? 次閱讀
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3月4日消息,隨著5G通信的逐步推進(jìn),較高的頻率引發(fā)的技術(shù)新熱點也引起關(guān)注,商用樓宇和家庭室內(nèi)的信號補(bǔ)盲問題就是其中之一。近日,我國首個5G微基站射頻芯片YD9601,在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過自主研發(fā)流片成功,目前正在進(jìn)行封裝測試。

據(jù)了解,5G基站分為宏基站和微基站兩種。宏基站主要用于室外覆蓋,5G微基站主要用于室內(nèi),發(fā)射功率較?。ㄒ话?00毫瓦以內(nèi)),廣泛用于機(jī)場高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場所、商業(yè)樓宇、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場景。

5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量(如機(jī)場、高鐵和商業(yè)場等熱點區(qū)域)和覆蓋問題(如商業(yè)樓宇和家庭)。

據(jù)報道,***、美國麻省理工學(xué)院博士王俊峰表示,5G微基站射頻芯片項目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展。

此前在推出5G微基站射頻芯片之前,宇都通訊通過研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片,擁有了長期的射頻芯片技術(shù)積累。

據(jù)悉,HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn),南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實現(xiàn)600兆每秒的下行速率,完全可與國際巨頭的同類產(chǎn)品對標(biāo)。

在中國廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測試中,搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入,相比對標(biāo)的國際巨頭同類產(chǎn)品,抗衰減能力提升了10dB左右,這使其更能適應(yīng)國內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

責(zé)任編輯:wv

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