比利時Hi-rel Cissoid宣布推出一種1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊,該模塊適用于汽車等應用。
Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)匀皇且粋€挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對極端溫度和電壓環(huán)境開發(fā)電源模塊和柵極驅(qū)動器的多年經(jīng)驗的成果。有了它,我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動汽車解決方案過渡?!?/p>
Cissoid聲稱,在600V 300A時,導通電阻為3.25mΩ,開關(guān)損耗為8.3mJ導通和11.2mJ截止,與IGBT電源模塊相比,損耗至少降低了三倍。
AlSiC針翅式基板經(jīng)過水冷,結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。在結(jié)點和-40°C下的最高工作溫度為175°C。
Cissoid-3相SiC-mosfet內(nèi)置三個板載5W隔離電源,可在高達125°C的環(huán)境中以高達25kHz的頻率切換電源通道。峰值柵極電流為10A,抗擾度》 50kV / μs。隔離等級為3.6kV(50Hz,1min)。典型的初級-次級電容通常為11pF /相。
輸入為高電平有效5V施密特觸發(fā)器輸入,具有低電平有效選項,并且提供了隔離的每相開漏故障報告(具有每相選項)。
包括的保護包括欠壓鎖定(UVLO),主動米勒鉗制,去飽和檢測和軟關(guān)機。
模塊尺寸為103 x 154 x 43mm。
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