3 月 12 號，世界衛(wèi)生組織宣布新冠肺炎為全球性流行病?？挂哒龔闹袊摹叭嗣駪?zhàn)爭”變成一場“世界大戰(zhàn)”，很多事情正在微妙和快速的變化。額溫槍和口罩一樣，成為抗疫以及復(fù)產(chǎn)復(fù)工必不可少的日常用品，額溫槍成了市場上炙手可熱的產(chǎn)品，很多廠家開始步入這個市場。額溫槍也有很多種方案，比如 SOC 方案，數(shù)字傳感器方案以及通用 MCU+高精度運放方案。其中通用 MCU+高精度運放方案是比較容易量產(chǎn)的方案，其他方案現(xiàn)在都面臨著產(chǎn)能不足的缺陷。為了加快廣大廠家的研發(fā)進(jìn)度，本文以問答形式整理了運放在額溫槍應(yīng)用設(shè)計中應(yīng)該注意的幾個問題。

問題 1：是否只能選擇失調(diào)電壓為 10uV 以下的高精度運放？

答：上圖是某款額溫槍使用到的量產(chǎn)方案示意圖，從圖中可以看到，為了讓運放穩(wěn)定工作，需要給運放一個穩(wěn)定的靜態(tài)工作點，例如本圖中的 1.25V，熱電堆沒有信號輸出時，運放的輸出等于：

Vo=1.25V+Vos*511，其中，511 是運放電路的放大倍數(shù)，失調(diào)電壓 Vos 以及熱電堆信號 VTH 均被運放電路放大。

GS8331 的最大失調(diào)是 10uV，在靜態(tài)時，片與片的 Vo 輸出在 1.25 上下變化 5.11mV；GS8551 和 GS8591 的最大失調(diào)是 30uV，在靜態(tài)時，片與片的 Vo 輸出在 1.25V 上下變化 15.33mV。

當(dāng)運放芯片焊接到電路板時，Vos 就已經(jīng)固定了，假設(shè)焊接的 GS8551 的 Vos 等于 5uV，Vo 的靜態(tài)輸出固定等于 Vo=1.25V+5uV*511=1.252555V，在這把額溫槍測試人體溫度時，Vo=1.252555V+VTH*511，額溫槍出廠校準(zhǔn)時會把 1.25V+Vos*511 這個值存儲起來，并且每次測溫的時候，輸出值減掉這個存儲值就等于 VTH*511，因此可以準(zhǔn)確反應(yīng) VTH*511 這個所需要的信號，因此不一定需要 Vos 很小的高精度運放。

當(dāng)然，Vos 也不能選用太大，因為 Vos 太大會導(dǎo)致運放電路的輸出動態(tài)范圍變小，影響額溫槍的溫度測試范圍。

問題 2：高精度運放的輸入失調(diào)電壓溫度漂移對額溫槍的應(yīng)用有什么影響？

答：醫(yī)用額溫槍的國家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定

1，環(huán)境溫度 16°C~35°C

2，溫度顯示范圍 35°C~42°C，最大誤差±0.2°C。

環(huán)境溫度從 16°C 到 35°C，差值為 19 攝氏度，如果選用普通的運放，溫度漂移一般在 2uV-3uV 每攝氏度，因此在 19 攝氏度的范圍內(nèi)，輸入失調(diào)電壓 Vos 會漂移 38uV-57uV，而市場上常見的熱電堆傳感器，1 攝氏度產(chǎn)生的信號一般是幾十個 uV，以 80uV 舉例，±0.2°C 對應(yīng)±16uV 的漂移，所以如果使用普通運放的話，單單運放引入的誤差就超過了國家標(biāo)準(zhǔn)。

而聚洵半導(dǎo)體零漂移運放的溫漂最大值為 50nV/°C，輸入失調(diào)電壓 Vos 在國家標(biāo)準(zhǔn)的溫度范圍內(nèi)最大漂移 0.95uV，遠(yuǎn)小于 16uV 的國家標(biāo)準(zhǔn)，因此在額溫槍應(yīng)用中，必須選用零漂移運放。

問題 3：額溫槍對高精度運放的帶寬有什么要求？

答：額溫槍在測試人體溫度時，并不需要很高的頻率，因此在設(shè)計運放電路時，可以通過外圍電路來限定運放環(huán)路的帶寬，從而抑制高頻噪聲，因此一般會在反饋電阻上并一個比較大的反饋電容。

如問題 1 所示的電路圖中，只要運放的帶寬足夠大，那么環(huán)路的帶寬由 Cf 和 Rf 所組成的極點來決定。

問題 1 圖中，fp=1/（2πRfCf）=1/（6.28*100nF*510K）=3.12Hz

聚洵半導(dǎo)體的高精度運放 GS8331 的帶寬是 350K，GS8552 的帶寬是 1.8M，GS8591 的帶寬是 4.5M，都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 3.12Hz，因此上述三種高精度運放都可以用在額溫槍應(yīng)用中。

問題 4：Vref 的電壓怎么產(chǎn)生？

答：Vref 電壓可以由以下二種方式產(chǎn)生：

1，單獨的 LDO 或者基準(zhǔn)芯片產(chǎn)生

這種方式需要單獨增加芯片，會增加整個方案的 bom 成本，而且因為一般的 LDO 以及基準(zhǔn)芯片的輸出都是固定電壓的，調(diào)整 Vref 電壓不是很靈活。

2，兩個電阻分壓產(chǎn)生

使用這種方式，分壓電阻不能取得太大，否則驅(qū)動能力不夠，會造成測量誤差。

如上圖所示，假設(shè) R2 是 12.5K，R1 是 17.5K，Vref 電壓等于 1.25V，當(dāng)傳感器測量溫度產(chǎn)生的信號是 1mV 時，1mV 的壓差在 Ri 產(chǎn)生的電路是 1uA，1uA 需要通過 R1 和 R2 以及傳感器流出，而傳感器的阻抗很高，所以大部分電流必須通過 R1 和 R2 流出，因此勢必造成 Vref 改變，具體算法如下：（3Vref）/R1=1uA+Vref/R2，帶入 R1 和 R2 的阻值，可以算出 Vref=1.242V，比實際的 Vref 減小 8mV，折算到傳感器 VTH 的信號端為 8mV/511=15.6uV，即每 mV 的壓差影響 15.6uV 的精度，因此會直接影響溫度測試的準(zhǔn)確性。

為了解決這個問題，可以把電阻取小一些，比如 R2=1.25K 和 R1=1.75K，但這兩個分壓電阻引入的功耗等于 1mA，大大增加整個系統(tǒng)的功耗。

3，兩個電阻分壓并且增加一個電壓 buffer 產(chǎn)生

使用這種方式，可以增加 R1 和 R2 的阻值來減小功耗，并且通過 buffer 來增加驅(qū)動能力，但是 R1 和 R2 的阻值也不能選太高，否則電阻引入的噪聲也會變大。

這種方式需要引入 1 路運放，再加上放大電路需要 1 路運放，因此可以使用一個 2 路運放來實現(xiàn)整體方案，可以選用聚洵半導(dǎo)體雙通道運放 GS8552，GS8592，GS8332 實現(xiàn)。