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中國科大超快原型存儲器達(dá)到亞納秒信息寫入速度

汽車玩家 ? 來源:科技日報 ? 作者:吳長鋒 ? 2020-03-20 16:23 ? 次閱讀
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記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校李曉光團(tuán)隊基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng),實現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器,并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),該成果日前發(fā)表在《自然通訊》雜志上。

在大數(shù)據(jù)時代,海量數(shù)據(jù)的低能耗、快速存儲處理是突破和完善未來人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵之一。為此,迫切需求一種既像SRAM一樣能匹配CPU處理數(shù)據(jù)的速度,又像閃存一樣具備高密度、非易失的信息存儲。如果該存儲器還具有優(yōu)秀的憶阻特性,從而實現(xiàn)人工突觸器件的功能,則可用于構(gòu)建存算一體的計算系統(tǒng),并有望突破馮諾依曼架構(gòu),為人工智能提供硬件支持。

研究人員制備了高質(zhì)量鐵電隧道結(jié),其中鐵電勢壘層厚為6個單胞(約2.4nm)?;谒淼澜Y(jié)能帶的設(shè)計,以及其對阻變速度、開關(guān)比、操作電壓的調(diào)控,該原型存儲器信息寫入速度快至600皮秒、開關(guān)比達(dá)2個數(shù)量級,且其600皮秒的阻變速度在85℃時依然穩(wěn)定;寫入電流密度比目前其他新型存儲器低約3個量級;一個存儲單元具有32個非易失阻態(tài);寫入的信息預(yù)計可在室溫穩(wěn)定保持約100年;可重復(fù)擦寫次數(shù)達(dá)108-109次,遠(yuǎn)超商用閃存壽命。即使在極端高溫(225℃)環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫入,可實現(xiàn)高溫緊急情況備用。

該鐵電隧道結(jié)非易失存儲器具有超快、超低功耗、高密度、長壽命、耐高溫等優(yōu)異特性,由于該存儲器還具有憶阻特性,可用于構(gòu)建超快的人工突觸器件,從而用于開發(fā)超快人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體系統(tǒng)。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬結(jié)果表明,利用該鐵電隧道結(jié)憶阻器構(gòu)建的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可用于識別MNIST手寫數(shù)字,準(zhǔn)確率可達(dá)90%以上。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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