4月22日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電日前上傳了2019年年報(bào)，披露了去年更多詳細(xì)的運(yùn)營信息。

臺(tái)積電

臺(tái)積電披露，去年為499個(gè)客戶生產(chǎn)10761種不同的芯片，應(yīng)用范圍包括整個(gè)電子應(yīng)用產(chǎn)業(yè)，包括個(gè)人電腦與其周邊產(chǎn)品、資訊應(yīng)用產(chǎn)品、有線與無線通訊系統(tǒng)產(chǎn)品、伺服器與數(shù)據(jù)中心、汽車與工業(yè)用設(shè)備以及包括數(shù)字電視、游戲機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)性電子、物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置，與其他許多產(chǎn)品與應(yīng)用。

臺(tái)積電表示，終端電子產(chǎn)品的快速演進(jìn)，將促使客戶采用臺(tái)積電公司創(chuàng)新的技術(shù)與服務(wù)以追求差異化，同時(shí)也會(huì)更促進(jìn)臺(tái)積電公司自身的技術(shù)發(fā)展。

臺(tái)積電2019年晶圓出貨量達(dá)1,010萬片12寸晶圓約當(dāng)量，上年為1,080萬片12寸晶圓約當(dāng)量。

先進(jìn)制程技術(shù)（16nm及以下更先進(jìn)制程）的銷售金額占整體晶圓銷售金額的50%，高于上一年的41%。提供272種不同的制程技術(shù)。

臺(tái)積電表示，去年在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域市場占有率達(dá)52%，高于上一年的51%。

我們談臺(tái)積電的時(shí)候，很多時(shí)候會(huì)強(qiáng)調(diào)他們?cè)谙冗M(jìn)工藝的實(shí)力，今天帶大家看下臺(tái)積電的邏輯制程技術(shù)方面的主要成就吧！

● 5納米鰭式場效電晶體制程（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）（N5）技術(shù)為臺(tái)積公司推出的最新技術(shù)。此一領(lǐng)先全球的技術(shù)于2019已接獲多個(gè)客戶產(chǎn)品投片，包含行動(dòng)通訊以及高效能運(yùn)算產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于2020年上半年開始量產(chǎn)。

相較于7納米FinFET（N7）技術(shù)，N5技術(shù)速度增快約15%，或者功耗降低約 30%。此外，N5技術(shù)自規(guī)劃開始，便同時(shí)針對(duì)行動(dòng)通訊與高效能運(yùn)算應(yīng)用提供優(yōu)化的制程選項(xiàng)。

● 5納米FinFET強(qiáng)效版（N5P）技術(shù)為N5技術(shù)的效能強(qiáng)化版技術(shù)，并采用相同的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。相較于 N7技術(shù)，N5P技術(shù)速度增快約20%，或功耗降低約40%。N5P技術(shù)的設(shè)計(jì)套件預(yù)計(jì)于2019年第二季進(jìn)行下一階段 N5 技術(shù)更新時(shí)推出。

● 6納米FinFET（N6）技術(shù)于2019年成功完成產(chǎn)品良率驗(yàn)證。由于N6技術(shù)采用極紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技術(shù)，能夠減少光罩?jǐn)?shù)量，因此，如果與N7技術(shù)生產(chǎn)相同產(chǎn)品相較，采用N6技術(shù)生產(chǎn)可以獲得更高的良率，并縮短產(chǎn)品生產(chǎn)周期。此外，與N7技術(shù)相較，N6技術(shù)的邏輯晶體管密度提高約 18％，加上因光罩總數(shù)減少而獲得較高良率，能夠協(xié)助客戶在一片晶圓上，獲得更多可用的晶粒。

另外，N6技術(shù)的設(shè)計(jì)法則與N7技術(shù)兼容，亦可大幅縮短客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期和上市的時(shí)間。N6技術(shù)于2020年第一季開始試產(chǎn)，并預(yù)計(jì)于2020年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

● N7技術(shù)是臺(tái)積公司量產(chǎn)速度最快的技術(shù)之一，并同時(shí)針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用及高效能操作數(shù)件提供優(yōu)化的制程?？傆?jì)截至2019年底共接獲超過100個(gè)客戶產(chǎn)品投片，涵蓋相當(dāng)廣泛的應(yīng)用，包含行動(dòng)裝置、游戲機(jī)、人工智能、中央處理器、圖形處理器，以及網(wǎng)絡(luò)連接裝置等。此外，7納米FinFET強(qiáng)效版（N7+）技術(shù)于2019年開始量產(chǎn)，協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場。N7+技術(shù)是全球集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首個(gè)應(yīng)用極紫外光于商業(yè)運(yùn)轉(zhuǎn)的技術(shù)。此一技術(shù)的成功，除了證明臺(tái)積公司領(lǐng)先全球的EUV技術(shù)量產(chǎn)能力，也為6納米和更先進(jìn)技術(shù)奠定良好基礎(chǔ)。

● 12納米FinFET精簡型強(qiáng)效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）技術(shù)與16納米FinFET精簡型強(qiáng)效版（16nm FinFET Compact Plus，16FFC+）技術(shù)系臺(tái)積公司繼16納米FinFET強(qiáng)效版（16FF+） 技術(shù)、16納米FinFET精簡型（16nm FinFET Compact, 16FFC）技術(shù)及12納米FinFET精簡型（12nm FinFET Compact, 12FFC）技術(shù)之后，所推出的最新16/12納米系列技術(shù)，擁有集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域16/14納米技術(shù)中最佳產(chǎn)品效能與功耗優(yōu)勢，并于2019年進(jìn)入試產(chǎn)。

16FF+技術(shù)系針對(duì)高效能產(chǎn)品應(yīng)用，包括行動(dòng)裝置、服務(wù)器、繪圖芯片，及加密貨幣等產(chǎn)品。12FFC+、12FFC、16FFC+及16FFC則皆能支援客戶主流及超低功耗（Ultra-LowPower, ULP）產(chǎn)品應(yīng)用，包括中、低階手機(jī)、消費(fèi)性電子、數(shù)位電視、物聯(lián)網(wǎng)等?？傆?jì)目前 12FFC+、12FFC、16FFC+、16FFC、16FF+已接獲超過 500個(gè)客戶產(chǎn)品投片，其中絕大部分都是第一次投片即生產(chǎn)成功。

● 22納米超低漏電（Ultra-Low Leakage, ULL）（22ULL）技術(shù)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)，能夠支援物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用。同時(shí)，此一技術(shù)的低操作電壓（Low Operating Voltage, Low Vdd）技術(shù)也于2019年準(zhǔn)備就緒。與40納米超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）（40ULP）及55納米ULP制程相較，22ULL技術(shù)提供新的ULL元件、ULL靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體（Static Random Access Memory, SRAM），和低操作電壓技術(shù)，能夠大幅降低功耗。

● 22納米ULP（22ULP）技術(shù)發(fā)展系根基于臺(tái)積公司領(lǐng)先業(yè)界的28納米技術(shù)，并于2019開始量產(chǎn)。與28納米高效能精簡型強(qiáng)效版（28nm High Performance Compact Plus, 28HPC+）技術(shù)相較，22ULP技術(shù)擁有芯片面積縮小10%，及效能提升10% 或功耗降低20%的優(yōu)勢，以滿足影像處理器、數(shù)位電視、機(jī)上盒、智能型手機(jī)及消費(fèi)性產(chǎn)品等多種應(yīng)用。

● 28HPC+技術(shù)截至2019年底，總計(jì)接獲超過300個(gè)客戶產(chǎn)品投片。28HPC+ 技術(shù)進(jìn)一步提升主流智能型手機(jī)、數(shù)位電視、儲(chǔ)存、音效處理及系統(tǒng)單芯片等產(chǎn)品應(yīng)用的效能或降低其功耗。與28納米高效能精簡型（High Performance Compact）（28HPC）技術(shù)相較，28HPC+ 技術(shù)能夠進(jìn)一步提升效能約15%或降低漏電約50%。

● 40ULP技術(shù)截至2019年底共接獲超過100個(gè)客戶產(chǎn)品投片。此技術(shù)支援多種物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用，包含無線網(wǎng)絡(luò)連接產(chǎn)品、穿戴式應(yīng)用處理器及微控制器（Micro Control Unit, MCU）（Sensor Hub） 等。此外， 臺(tái)積公司采用領(lǐng)先的40ULP Low Vdd技術(shù)，為物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品及穿戴式聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品提供低功耗的解決方案。新的強(qiáng)化版類比元件順利開發(fā)中，將進(jìn)一步強(qiáng)化40ULP平臺(tái)，支援客戶未來更廣泛的類比電路設(shè)計(jì)。

● 55納米ULP（55ULP）技術(shù)，截至2019年底共接獲超過70個(gè)客戶產(chǎn)品投片。相較于55納米低功耗（55LP）技術(shù)，55ULP技術(shù)可大幅延長物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)品的電池使用壽命。此外，55ULP亦整合了射頻制程與嵌入式快閃存儲(chǔ)器制程，能讓客戶的系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)更為簡單。

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