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長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

獨愛72H ? 來源:比特網(wǎng) ? 作者:比特網(wǎng) ? 2020-05-07 14:59 ? 次閱讀
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(文章來源:比特網(wǎng))

長江存儲科技有限責任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術(shù)水準又邁進了一步。

此前,1月初,長江存儲在市場合作伙伴年會上就透露過,他們將會跳過96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)。長江存儲市場與高級副總裁龔翊表示:“作為閃存行業(yè)新人,長江存儲用3年時間實現(xiàn)了32層、64層再到128層的跨越。”

據(jù)悉,長江存儲的128層QLC?3D?NAND閃存產(chǎn)品將會在最晚明年第二季度量產(chǎn),而達到滿產(chǎn)時將會有月均10萬片的產(chǎn)能。

長江存儲在2019年9月在IC?China?2019紫光集團展臺推出了64層3D?NAND閃存,并開始量產(chǎn),對于此產(chǎn)品,龔翊表示,長江存儲的64層閃存絕不是低端產(chǎn)品,在保證質(zhì)量的同時,也能保證盈利。現(xiàn)在,隨著5G人工智能等高新技術(shù)的快速發(fā)展,為了滿足它們的需求,128層QLC閃存將會率先應用到消費級SSD產(chǎn)品中,并且逐步進入到企業(yè)級服務器、數(shù)據(jù)中心等領域。

目前,受到疫情的影響,今年半導體市場將會很艱難,根據(jù)Gartner給出的報道顯示,2020年全球半導體收入預計將會下降0.9%,不過,僅就存儲器市場而言,由于需求增大,NAND閃存全年收入預計將會增加40%。

所以,對于研發(fā)出128層QLC?NAND閃存的長江存儲來說,2020年有望是實現(xiàn)突破的一年,而且,進入到100+層數(shù)之后,他們與三星、Intel等國際巨頭的距離進一步縮小,對于長江存儲的未來,我們還是非??春玫?。
(責任編輯:fqj)

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