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這些參數(shù)是如何確定的?

電源聯(lián)盟 ? 來源:電源聯(lián)盟 ? 2020-06-04 14:59 ? 次閱讀
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濾波電容開關(guān)電源中起著非常重要的作用,如何正確選擇濾波電容,尤其是輸出濾波電容的選擇則是每個工程技術(shù)人員都十分關(guān)心的問題。我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容,100uF,10uF,100nF,10nF不同的容值,那么這些參數(shù)是如何確定的?不要告訴我是抄別人原理圖的,呵呵。

50Hz 工頻電路中使用的普通電解電容器,其脈動電壓頻率僅為100Hz,充放電時間是毫秒數(shù)量級。為獲得更小的脈動系數(shù),所需的電容量高達(dá)數(shù)十萬 μF,因此普通低頻鋁電解電容器的目標(biāo)是以提高電容量為主,電容器的電容量、損耗角正切值以及漏電流是鑒別其優(yōu)劣的主要參數(shù)。

而開關(guān)電源中的輸出濾波電解 電容器,其鋸齒波電壓頻率高達(dá)數(shù)十kHz,甚至是數(shù)十MHz,這時電容量并不是其主要指標(biāo),衡量高頻鋁電解電容優(yōu)劣的標(biāo)準(zhǔn)是“阻抗-頻率”特性,要求在開 關(guān)電源的工作頻率內(nèi)要有較低的等效阻抗,同時對于半導(dǎo)體器件工作時產(chǎn)生的高頻尖峰信號具有良好的濾波作用。普通的低頻電解電容器在10kHz左右便開始呈現(xiàn)感性,無法滿足開關(guān)電源的使用要求。而開關(guān)電源專用的高頻鋁電解電容器有四個端子,正極鋁片的兩端 分別引出作為電容器的正極,負(fù)極鋁片的兩端也分別引出作為負(fù)極。

電流從四端電容的一個正端流入,經(jīng)過電容內(nèi)部,再從另一個正端流向負(fù)載;從負(fù)載返回的電流 也從電容的一個負(fù)端流入,再從另一個負(fù)端流向電源負(fù)端。由于四端電容具有良好的高頻特性,為減小電壓的脈動分量以及抑制開關(guān)尖峰噪聲提供了極為有利的手段。高頻鋁電解電容器還有多芯的形式,即將鋁箔分成 較短的若干段,用多引出片并聯(lián)連接以減小容抗中的阻抗成份。并且采用低電阻率的材料作為引出端子,提高了電容器承受大電流的能力。

數(shù)字電路要運(yùn)行穩(wěn)定可靠,電源一定要”干凈“,并且能量補(bǔ)充一定要及時,也就是濾波去耦一定要好。什么是濾波去耦,簡單的說就是在芯片不需要電流的時候存儲能量,在你需要電流的時候我又能及時的補(bǔ)充能量。不要跟我說這個職責(zé)不是DCDC、LDO的嗎,對,在低頻的時候它們可以搞定,但高速的數(shù)字系統(tǒng)就不一樣了。先來看看電容,電容的作用簡單的說就是存儲電荷。我們都知道在電源中要加電容濾波,在每個芯片的電源腳放置一個0.1uF的電容去耦。

等等,怎么我看到要些板子芯片的電源腳旁邊的電容是0.1uF的或者0.01uF的,有什么講究嗎。要搞懂這個道道就要了解電容的實際特性。理想的電容它只是一個電荷的存儲器,即C。而實際制造出來的電容卻不是那么簡單,分析電源完整性的時候我們常用的電容模型如下圖所示。

圖中ESR是電容的串聯(lián)等效電阻,ESL是電容的串聯(lián)等效電感,C才是真正的理想電容。ESR和ESL是由電容的制造工藝和材料決定的,沒法消除。那這兩個東西對電路有什么影響。

ESR影響電源的紋波,ESL影響電容的濾波頻率特性。我們知道電容的容抗Zc=1/ωC,電感的感抗Zl=ωL,( ω=2πf),實際電容的復(fù)阻抗為Z=ESR+jωL-1/jωC= ESR+j2πf L-1/j2πf C??梢姰?dāng)頻率很低的時候是電容起作用,而頻率高到一定的時候電感的作用就不可忽視了,再高的時候電感就起主導(dǎo)作用了。電容就失去濾波的作用了。所以記住,高頻的時候電容就不是單純的電容了。實際電容的濾波曲線如下圖所示。

上面說了電容的等效串聯(lián)電感是電容的制造工藝和材料決定的,實際的貼片陶瓷電容的ESL從零點幾nH到幾個nH,封裝越小ESL就越小。從上面電容的濾波曲線上我們還看出并不是平坦的,它像一個’V’,也就是說有選頻特性,在時候我們希望它是越平越好(前級的板級濾波),而有時候希望它越越尖越好(濾波或陷波)。

影響這個特性的是電容的品質(zhì)因素Q, Q=1/ωCESR,ESR越大,Q就越小,曲線就越平坦,反之ESR越小,Q就越大,曲線就越尖。通常鉭電容和鋁電解有比較小的ESL,而ESR大,所以鉭電容和鋁電解具有很寬的有效頻率范圍,非常適合前級的板級濾波。也就是在DCDC或者LDO的輸入級常常用較大容量的鉭電容來濾波。而在靠近芯片的地方放一些10uF和0.1uF的電容來去耦,陶瓷電容有很低的ESR。說了那么多,那到底我們在靠近芯片的管腳處放置0.1uF還是0.01uF,下面列出來給大家參考。

所以,以后不要見到什么都放0.1uF的電容,有些高速系統(tǒng)中這些0.1uF的電容根本就起不了作用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【敲黑板】不要什么地方都用0.1μF電容

文章出處:【微信號:Power-union,微信公眾號:電源聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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