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VCSEL的發(fā)展主要經(jīng)歷了哪兩個階段?

lhl545545 ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-06-10 16:29 ? 次閱讀
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據(jù)麥姆斯咨詢報道,六十年前的5月(1960年5月),位于美國加州馬里布的休斯研究實(shí)驗(yàn)室(Hughes Research Laboratories)的物理學(xué)家Theodore H. Maiman,成功利用合成紅寶石與能突然爆發(fā)出強(qiáng)光的螺旋形閃光管組建了世界上第一臺固態(tài)激光器。自激光器誕生至今,已有六十年的歷史,激光技術(shù)的發(fā)展歷程中跨越了諸多里程碑,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)無疑是其中最閃亮的新星之一。

激光器誕生60周年

雖然早在1962年就有人提出了制造垂直腔二極管激光器的建議,但直至1977年,才由日本東京工業(yè)大學(xué)的Kenichi Iga教授首次提出了制造VCSEL的設(shè)想。Kenichi Iga教授后于1979年使用液相外延技術(shù)(LPE)首次制備了InGaAs/InP材料的VCSEL;由于其具有模式好、閾值低、穩(wěn)定性好、壽命長、調(diào)制速率高、集成高、發(fā)散角小、耦合效率高、價格便宜等很多優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。

GaInAsP/InP VCSEL截面示意圖

VCSEL是一種帶有單片激光諧振腔的半導(dǎo)體激光二極管,該諧振腔可沿垂直于芯片表面的方向發(fā)射光。諧振腔由兩個半導(dǎo)體布拉格反射器組成,中間是帶有多個量子阱的有源層。近年來已開發(fā)出多種用途的各類VCSEL,VCSEL憑借其獨(dú)特的性能在應(yīng)用市場極具優(yōu)勢,例如它們能夠在較高溫度下運(yùn)行,而高溫可能增加災(zāi)難性的小平面失效風(fēng)險。

VCSEL可應(yīng)用于如智能手機(jī)、光通信、計算機(jī)鼠標(biāo)、氣體傳感、光學(xué)時鐘、激光泵浦及其它多種場景。Kenichi Iga教授于2013年榮獲了富蘭克林研究所頒發(fā)的“Bower獎”,和VCSEL概念、發(fā)展及其在光電子領(lǐng)域多種應(yīng)用的“科學(xué)成就獎”。

VCSEL的發(fā)展主要經(jīng)歷了兩個階段:

第一階段:從VCSEL誕生到20世紀(jì)末,VCSEL的蠻荒發(fā)展階段。

在這個階段各個組織機(jī)構(gòu)都提出以及嘗試了各種不同結(jié)構(gòu)類型的VCSEL,最終氧化物限制型VCSEL憑借其諸多優(yōu)點(diǎn)而勝出。1982年,便有Hajime Okuda等人嘗試?yán)醚诼癞愘|(zhì)結(jié)(buried heterostructure)結(jié)構(gòu),來降低閾值電流。

1989年,Jack Jewell在美國貝爾實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了在單顆芯片上集成超過一百萬個VCSEL,這是1980年至1984年間Jack Jewell在Hyatt Gibbs博士指導(dǎo)下完成的博士研究成果。在該研究中,Jack Jewell利用砷化鎵(GaAs)的非線性光學(xué)特性制造出了用于光學(xué)計算機(jī)的全光邏輯門。

1994年,Huffaker等人率先采用在臺面結(jié)構(gòu)(Mesa)下本征氧化AlGaAs,生成掩埋高阻層Al氧化物的方式,來對電流進(jìn)行進(jìn)一步的限制。

VCSEL的發(fā)展主要經(jīng)歷了哪兩個階段?

首個氧化物限制型VCSEL

第二階段:VCSEL的逐漸發(fā)展成熟階段及優(yōu)化階段

由于氧化物限制型的VCSEL具有低閾值電流等很多優(yōu)點(diǎn),這種結(jié)構(gòu)的VCSEL被很快運(yùn)用到了光通信中。1996年,K. L. Lear等人在前人的基礎(chǔ)上經(jīng)過優(yōu)化,報道了3 dB調(diào)制帶寬達(dá)到16.3 GHz的波長970 nm氧化物限制型VCSEL。

由于高的工作電流可以帶來更好的調(diào)制特性,但同時也會相應(yīng)的增加功耗,進(jìn)而帶來溫度的上升,會對可靠性帶來影響。調(diào)制速率與功耗成了VCSEL在光傳輸領(lǐng)域中重要的挑戰(zhàn)。2007年,Y-C. Chang等人采取增加深氧化層層數(shù)到5層以及增加p型摻雜濃度來降低串聯(lián)阻抗的方式,在0.9 mA電流下實(shí)現(xiàn)的15 GHz調(diào)制帶寬,相應(yīng)的功耗只有1.2 mW,帶寬/功耗比只有12.5 GHz/mW,是當(dāng)時最先進(jìn)的水平。

VCSEL的發(fā)展主要經(jīng)歷了哪兩個階段?

深氧化層氧化物限制型VCSEL

VCSEL的新發(fā)展、新機(jī)遇

光通信領(lǐng)域?qū)CSEL調(diào)制速率的需求不斷提升,更多挑戰(zhàn)隨之而來。而在2017年,隨著蘋果將搭載VCSEL的Face ID引入智能手機(jī)后,中高端智能手機(jī)紛紛推出人臉識別系統(tǒng),使得VCSEL應(yīng)用受到市場高度重視。在中短程激光雷達(dá)所需的光源中,VCSEL也可與邊緣發(fā)射激光器(EEL)一爭高下。同時VCSEL應(yīng)用還逐漸延伸至5G通訊、人工智能(AI)系統(tǒng)與智慧家電、汽車自動駕駛等領(lǐng)域。這些新興應(yīng)用促成了如今VCSEL產(chǎn)業(yè)的繁榮景象。
責(zé)任編輯:pj

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