EDA 是芯片之母是IC 設(shè)計(jì)最上游、最高端的產(chǎn)業(yè)。也是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)最薄弱的環(huán)節(jié)。為向集成電路專業(yè)師生和從業(yè)者中系統(tǒng)介紹EDA技術(shù)的前沿進(jìn)展，芯人類將分多期全文引入《電子報(bào)》EDA前沿技術(shù)專欄。專欄特邀行業(yè)多位專家，全面系統(tǒng)地介紹國(guó)內(nèi)外EDA 的狀況和國(guó)產(chǎn)EDA 的發(fā)展。本文為電子報(bào)授權(quán)發(fā)表。包含混合SOC的設(shè)計(jì)，驗(yàn)證和實(shí)現(xiàn)的方法流程三方面內(nèi)容，并重點(diǎn)介紹了驗(yàn)證所需要了解的仿真器原理，和行為級(jí)建模相關(guān)的知識(shí)。共分三次發(fā)表。

Table Model

有點(diǎn)類似于大數(shù)據(jù)的概念。既然傳統(tǒng)的Model和硅工藝聯(lián)系不怎么緊了，那么直接把Silicon測(cè)試出來(lái)的數(shù)據(jù)都列舉出來(lái)，建立一個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)（溫度、電壓和Silicon數(shù)值）表格，仿真器用的時(shí)候直接查表就行了。你只要關(guān)心輸入什么值，能輸出來(lái)什么值就行了，一表在手，有input有output。

放棄對(duì)因果關(guān)系的過(guò)分渴求，取而代之去關(guān)注“相關(guān)關(guān)系”，只是根據(jù)實(shí)際測(cè)試到的silicon的數(shù)值，直接做一個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)，當(dāng)外界加什么電壓、有什么溫度時(shí)候，就來(lái)什么對(duì)應(yīng)的輸出電流等。這就類似于大數(shù)據(jù)的概念，不關(guān)心為什么，只在乎是什么。對(duì)于不在table里面的數(shù)據(jù)，仿真器需要插入數(shù)值(interpolate)或者外推推斷數(shù)值(extrapolate)。短板是離散數(shù)據(jù)的連續(xù)性和光滑性差，需要Analog仿真器做些處理。

建模前要plan!Plan!plan!

在做Model之前，一定要想清楚做Model的目的是什么。

建模需要考慮的因素

Model是否需要統(tǒng)一的規(guī)范？因?yàn)轵?yàn)證本身希望能夠Reuse。但是一旦想統(tǒng)一規(guī)范，可能就需要花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí)間和精力，項(xiàng)目是否有時(shí)間/值得付出不？哪些Model不要是需要放棄建模的？例如對(duì)于非線性（Non-linear)的因素, 是否可以轉(zhuǎn)化為線性。對(duì)于弱相關(guān)因子(weak dependencies)是否可以忽略；如果進(jìn)入一個(gè)Model的input control/signal不符合Model里面的預(yù)期，需要有Assertion來(lái)要報(bào)錯(cuò)。

Model到底是讓Analog Background的人來(lái)寫？還是Digital的工程師？放在電路的哪個(gè)層級(jí)？

對(duì)于Model要不要做Validation？怎么做Validation？對(duì)Model的驗(yàn)證，包括利用相同的Test Bench，對(duì)于Model和Schematic出來(lái)的結(jié)果的驗(yàn)證。驗(yàn)證Model和電路類似，有Block級(jí)Schematic和Model的吻合，還有Sub-System能夠能通暢的利用Model仿真、以及Model和Sub-System的吻合，更有Model和整個(gè)Top的吻合度。為了提高項(xiàng)目效率，是不是可以跳過(guò)某些層級(jí)？

總之就是做Model也是一門藝術(shù)，需要在服務(wù)其目的的情況下，做各種trade off。

與Model相關(guān)的工具

SMG-1

A、SMG

Schematic Model Generator的工具在Virtuoso里面，只要用圖形的界面填寫一下pin的性質(zhì)，ＩＯ代碼就自動(dòng)生成。

SMG-2

很多內(nèi)置的小模塊BBT(Building Block Text)，提供了例示的code，你根據(jù)自己的schematic，去搭建設(shè)計(jì)。

在Model自動(dòng)化的道路上，設(shè)計(jì)者和EDA工具開發(fā)者需要進(jìn)一步努力，例如電路設(shè)計(jì)時(shí)候的合理Partition，和考慮標(biāo)準(zhǔn)化Model的電路分層等。

SMG-3

B、amsDmv

Model要和Schematic吻合，amsDmv(AMS Design and Model Validation)提供Model的驗(yàn)證功能。

amsDmv

它利用ADE的結(jié)果按一定的誤差精度（Tolerance),對(duì)比schematic和Model仿真的波形，也可以做最基本的Pin check，以及設(shè)置不需要對(duì)比的參數(shù)(exclude)等信息。

C、Xmodel

有一個(gè)xmodel的工具，集成于Cadence Virtuoso環(huán)境，有Python和Skill的接口，也是方便做Model的小工具，生成SV語(yǔ)言的Model。

數(shù)?；旌闲酒奈锢韺?shí)現(xiàn)

物理實(shí)現(xiàn)將電路轉(zhuǎn)換成芯片物理版圖，稱之為Tape Out（TO）。數(shù)字設(shè)計(jì)把相同的節(jié)距和高度標(biāo)準(zhǔn)單元，通過(guò)綜合工具得到門級(jí)網(wǎng)表，再通過(guò)自動(dòng)布局布線工具（P&R）實(shí)現(xiàn)版圖。模擬設(shè)計(jì)將自動(dòng)生成的參數(shù)化的MOS管搭建Pcell。Pcell搭建模塊，模塊組成定制單元模塊，自動(dòng)鄰接、器件走線、虛擬單元并插入阱單元。模擬版圖一般是定制的。

對(duì)于復(fù)雜的數(shù)?；旌蟂OC，芯片布局至關(guān)重要。在物理實(shí)現(xiàn)的初始要自上而下的大局觀，定制單元和數(shù)字單元同時(shí)考慮。自上而下設(shè)計(jì)中，各模塊的面積和擺放位置需要預(yù)估，信號(hào)流方向和電源布線需要考慮，端口需要優(yōu)化。在自下而上的Layout中，首先實(shí)現(xiàn)包括電阻電容和MOS管的基本器件的版圖，然后在考慮其擺放和連線，從而形成一個(gè)版圖單元；再與其他模塊聯(lián)合。對(duì)于低功耗設(shè)計(jì)，由于輸入電源數(shù)目不斷增加，所以需要自上而下設(shè)計(jì)。對(duì)于較小設(shè)計(jì)或者可以復(fù)用的AMS IP，一般用自下而上的流程。當(dāng)然目前越來(lái)越多的在混合使用兩種流程。版圖的IP包括硬模塊和軟模塊兩類。

基于約束（Constraints）的方法學(xué)，正在用于模擬和數(shù)字物理實(shí)現(xiàn)。約束可以捕捉設(shè)計(jì)者的意圖，并將其傳遞給掩模版工程師，從而知道和驗(yàn)證版圖是否和符合要求。常見(jiàn)模擬約束有：匹配器件，敏感信號(hào)的標(biāo)記和處理，高電壓或高功耗信號(hào)，保護(hù)環(huán)和其他隔離結(jié)構(gòu)。數(shù)字IC中，設(shè)計(jì)定義時(shí)序約束，從而進(jìn)行門級(jí)網(wǎng)表綜合。布線結(jié)束后，會(huì)抽取線上寄生，進(jìn)行靜態(tài)時(shí)序分析STA，來(lái)檢查物理實(shí)現(xiàn)是否符合要求。

物理實(shí)現(xiàn)之后，需要進(jìn)行后仿真。模擬IC常見(jiàn)的抽取方法有只提取電容C，只提取電阻R，電阻電容都提?。≧C），電阻電容電感(RCL)提取。數(shù)字IC，將線延遲轉(zhuǎn)換到標(biāo)準(zhǔn)延遲格式（Standard Delay Format）SDF當(dāng)中，從而進(jìn)行后仿真，獲知寄生對(duì)電路性能的影響。

到真正流片之前，還要做設(shè)計(jì)規(guī)則檢查DRC（Design Rule Check）；電學(xué)規(guī)則檢查ERC（Electrical Rule Check）；版圖對(duì)照電路檢查L(zhǎng)VS（Layout Versus Schematic）來(lái)保證版圖符合電路的連接關(guān)系；和針對(duì)制造的設(shè)計(jì)檢查DFM(Design For Manufacture)來(lái)發(fā)現(xiàn)影響制造質(zhì)量與良率的因素。

電學(xué)特性感知設(shè)計(jì)（Electrically Aware Design）EAD代表了范式轉(zhuǎn)移的方法，將電學(xué)特性分析和驗(yàn)證前饋到設(shè)計(jì)過(guò)程中。

例如，考慮先進(jìn)工藝引入的鄰阱效應(yīng)(Well Proximity Effect， WPE)；淺溝隔離效應(yīng)（Shallow Trench Isolation, STI），和電遷移效應(yīng)。為數(shù)?；旌向?yàn)證提供電學(xué)特性感知設(shè)計(jì)的解決方案以及方法學(xué)的優(yōu)化將是一場(chǎng)持久戰(zhàn)。

作者簡(jiǎn)介

邵亞利，模擬混合信號(hào)設(shè)計(jì)驗(yàn)證專家。浙江大學(xué)本碩，“模擬混合信號(hào)設(shè)計(jì)驗(yàn)證”公眾號(hào)(yaliDV)創(chuàng)始人。曾就職于德州儀器（TI），現(xiàn)就職于亞德諾（ADI）半導(dǎo)體公司。ADI（Analog Devices） 是全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)公司，憑借杰出的檢測(cè)、測(cè)量、電源、連接和解譯技術(shù)，搭建連接現(xiàn)實(shí)模擬世界和數(shù)字世界的智能化橋梁。
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