6月28日消息，作為先進半導(dǎo)體器件的晶圓清洗技術(shù)領(lǐng)域中領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（NASDAQ:ACMR）近日發(fā)布了Ultra C VI單晶圓清洗設(shè)備，這是Ultra C清洗系列的最新產(chǎn)品。Ultra C VI旨在對動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進行高產(chǎn)能清洗，以實現(xiàn)縮短存儲產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。這款新產(chǎn)品以盛美成熟的多腔體技術(shù)為基礎(chǔ)，進一步擴展了清洗設(shè)備產(chǎn)品線。Ultra C VI系統(tǒng)配備了18個單片清洗腔體，對比盛美現(xiàn)有的12腔設(shè)備Ultra C V系統(tǒng)，其腔體數(shù)及產(chǎn)能增加了50%，而其設(shè)備寬度不變只是在長度有少量增加。

“存儲產(chǎn)品的復(fù)雜度不斷提高，但仍然對產(chǎn)量有嚴格的要求?！笔⒚蓝麻L王暉博士表示：“當清洗工藝的時間逐漸加長或開始采用更復(fù)雜的干燥技術(shù)時，增加清洗腔體能有效解決產(chǎn)能問題，讓先進存儲裝置制造商保持甚至縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。我們的18腔清洗設(shè)備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數(shù)量配置，在實現(xiàn)高產(chǎn)能（wafer-per-hour）的同時，兼顧了與工廠自動化能力的匹配，同時也能避免因腔體數(shù)量過多而面臨的設(shè)備宕機壓力?！?/p>

Ultra C VI

Ultra C VI可進行低至1y節(jié)點及以下節(jié)點的先進DRAM產(chǎn)品和128層及以上層數(shù)的先進3D NAND產(chǎn)品的單晶圓清洗。該設(shè)備可根據(jù)應(yīng)用和涉及的化學(xué)方法運用于各種前道和后道工藝，如聚合物去除、中段鎢或后段銅工藝的清洗、沉積前清洗、蝕刻后和化學(xué)機械拋光（CMP）后清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。

清洗過程中可使用多種化學(xué)組合，包括標準清洗（SC1，SC2）、氫氟酸（HF）、臭氧去離子水（DI-O3）、稀硫酸雙氧水混合液（DSP，DSP +）、有機溶劑或其他工藝化學(xué)品等。最多可對其中兩種化學(xué)品進行回收，節(jié)約成本。該設(shè)備還可以采用可選的物理輔助清洗方法，例如二流體氮氣霧化水清洗或者盛美專有的空間交變相位移（SAPS）和時序能激氣穴震蕩（TEBO）兆聲清洗技術(shù)?？蛇x配異丙醇（IPA）干燥功能，應(yīng)用于具有高深寬比的圖形片。此外，由于該設(shè)備與盛美現(xiàn)有設(shè)備的寬度一致，因此有助于提高晶圓廠的空間利用率，并進一步降低成本。

盛美計劃在2020年第三季度初期交付Ultra C VI給一家領(lǐng)先的存儲制造廠進行評估和驗證。

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