第八屆中國電子信息博覽會（CITE 2020）于2020年8月14日至8月16日期間在深圳會展中心正式舉辦。此次參展企業(yè)包括紫光集團(tuán)、華為、維信諾、紫晶存儲、柔宇科技、TCL、創(chuàng)維等多家科技企業(yè)。

一、長江存儲128層3D NAND首次亮相

在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

來源：電子發(fā)燒友拍攝

長江存儲還展示了64層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。預(yù)計(jì)將在今年底至明年初量產(chǎn)。

二、128層QLC已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證

3D即三維閃存技術(shù)。過去，人們用到的存儲芯片是平面的，相當(dāng)于地面停車場，而三維閃存芯片是立體的，就像是立體停車場。同樣的“占地面積”之下，立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。此次領(lǐng)先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”，擁有業(yè)界同類產(chǎn)品最高的存儲密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量，擁有128層三維堆棧，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。

如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片，相當(dāng)于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

據(jù)業(yè)界分析，QLC芯片，更適合作為大容量存儲介質(zhì)，更適用于AI計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)，實(shí)時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。

去年9月2日，長江存儲宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GbTLC3DNAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

今天長江存儲展示了128層QLC閃存，基于Xtacking2.0架構(gòu)。按照長存的說法，這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3DNAND，且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

此外，長江存儲還展示了64層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲密度。而128層QLC產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。預(yù)計(jì)將在今年底至明年初量產(chǎn)。

三、從64層到128層躍升僅相隔7個月

楊士寧介紹，“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔了7個月，還有一半時間是在疫情之中?！?br />
長江存儲目前員工人數(shù)已突破5000人，研發(fā)人員約占50%。數(shù)千研發(fā)人員的生產(chǎn)研發(fā)在疫情中持續(xù)，在返崗隔離觀察、核酸監(jiān)測、日常體溫檢測、口罩佩戴、用餐規(guī)范、辦公規(guī)范、洗手規(guī)范政策落實(shí)下，該企業(yè)提倡不熬夜，助力員工保持好的身體和精神狀態(tài)，并不斷為員工打氣，對于堅(jiān)守在一線崗位的員工，給予鼓勵和褒獎，線上團(tuán)建和培訓(xùn)一直未斷。

此外，作為長江存儲主要競爭對手之一的英特爾目前的QLC閃存堆棧技術(shù)已達(dá)到了144層，預(yù)計(jì)年底或明年年初量產(chǎn)；三星V-NAND閃存目前已達(dá)到136層堆疊，據(jù)此前消息稱，三星方面正在研發(fā)新一代的160層的第七代3D閃存堆疊技術(shù)。

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