91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何訪問(wèn)NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)

電子工程技術(shù) ? 來(lái)源:電子工程技術(shù) ? 作者:電子工程技術(shù) ? 2020-09-09 09:37 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

單片機(jī)芯片解密破解方法

單片機(jī)和數(shù)字電路怎么抗干擾?

現(xiàn)在很多現(xiàn)代的NAND閃存設(shè)備都采用了一種新型的架構(gòu),將接口、控制器和存儲(chǔ)芯片集成到一個(gè)普通的陶瓷層中,我們稱之為一體結(jié)構(gòu)封裝。

直到最近,所有的存儲(chǔ)卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一個(gè)非常簡(jiǎn)單的“經(jīng)典”結(jié)構(gòu),其中包含了獨(dú)立的部分——一個(gè)控制器、一個(gè)PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內(nèi)存芯片。在這種情況下,恢復(fù)的整個(gè)過(guò)程非常簡(jiǎn)單——我們只是解焊了內(nèi)存芯片,用PC-3000 FLASH直接讀取它,并與普通USB閃存驅(qū)動(dòng)器做了同樣的準(zhǔn)備。

但是,如果我們的存儲(chǔ)卡或UFD設(shè)備是基于一體封裝架構(gòu)的,我們?cè)撛趺崔k呢?如何訪問(wèn)NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

基本上,在這種情況下,我們應(yīng)該嘗試通過(guò)擦除涂層的陶瓷層,在我們的一體封裝裝置的底部找到特殊的技術(shù)引腳。

在開(kāi)始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前,我們應(yīng)該警告你,一體FLASH器件焊接的整個(gè)過(guò)程很復(fù)雜,需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。如果您之前從未嘗試過(guò)焊接一體FLASH器件,那么最好在一些數(shù)據(jù)不重要的配件在設(shè)備上嘗試您的技能。例如,您可以購(gòu)買(mǎi)其中的幾個(gè),以測(cè)試您的準(zhǔn)備和焊接技能。

您可以在下面找到必要設(shè)備清單:

一個(gè)好的光學(xué)顯微鏡

x2,x4,x8變焦

USB烙鐵與非常薄的烙鐵頭,很尖的烙鐵頭

雙面膠帶;液體活性劑

BGA助焊劑

熱風(fēng)槍?zhuān)ɡ?Lukey 702)

松香

木制牙簽

酒精(75%以上純度)

直徑0.1毫米的銅線,漆包線

首飾級(jí)砂紙:1000、2000、2500目(數(shù)值越大,沙子越小)

直徑為0.3mm的BGA錫球

鑷子

鋒利的手術(shù)刀

圖紙與引腳分配方案

PC-3000 Flash線路板適配器

當(dāng)所有的設(shè)備都準(zhǔn)備好進(jìn)行焊接時(shí),我們就可以開(kāi)始生產(chǎn)了。 首先,我們使用一體FLASH器件。在我們的例子中,它是小的microSD卡。我們需要用雙面膠把這張卡片固定在桌子上。

之后,我們開(kāi)始從底部擦掉陶瓷層。這個(gè)操作需要一些時(shí)間,所以你應(yīng)該非常耐心和小心。如果你損壞了引腳層,數(shù)據(jù)恢復(fù)將是不可能的! 我們從粗砂紙(最大尺寸的砂)開(kāi)始–1000或1200。

當(dāng)?shù)谝淮蟛糠滞繉颖蝗コ龝r(shí),有必要將砂紙更換為較小的砂粒尺寸–2000。

最后,當(dāng)觸點(diǎn)銅層變得可見(jiàn)時(shí),我們應(yīng)該使用最小的砂粒尺寸–2500。

如果你正確地執(zhí)行所有的操作,最后你會(huì)得到這樣的東西:

下一步是在我們的全球解決方案中心索引腳。 要繼續(xù)使用整塊,我們需要焊接3組觸點(diǎn):

數(shù)據(jù) I/O 觸點(diǎn):D0,D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7;

指令觸點(diǎn):ALE,RE,R/B,CE,CLE,WE;

電源觸點(diǎn):VCC,GND。

首先,您需要選擇一體FLASH器件的類(lèi)別(在我們的例子中為microSD卡),之后您必須選擇兼容的引腳排列(在我們的例子中為2型)。

之后,我們應(yīng)該將microSD卡固定在電路板適配器上,以更方便地焊接。

在焊接之前打印出一體FLASH器件的引腳排列方案是個(gè)好主意。你可以把這個(gè)方案放在你的旁邊,這樣當(dāng)需要檢查引腳數(shù)組時(shí),它就在眼前。

準(zhǔn)備開(kāi)始焊接過(guò)程了!確保工作站有足夠的光線! 在小刷子的幫助下,將一些液體活性助焊劑滴在microSD引腳觸點(diǎn)上。

在濕齒鎬的幫助下,應(yīng)將所有BGA錫球放置在引腳排列方案上標(biāo)記的銅引腳觸點(diǎn)上。最好使用尺寸為觸點(diǎn)直徑約75%的BGA錫球。液體助焊劑將幫助我們將BGA球固定在microSD卡表面上。

當(dāng)所有的BGA錫球都放在引腳上時(shí),應(yīng)該使用烙鐵來(lái)熔化錫。小心!輕輕地執(zhí)行所有動(dòng)作!為了熔化,請(qǐng)用烙鐵頭輕輕觸碰BGA錫球。

當(dāng)所有的BGA錫球都熔化后,需要在觸點(diǎn)上放一些BGA助焊劑。

使用熱風(fēng)槍?zhuān)瑧?yīng)該對(duì)引腳加熱+200?C的溫度。BGA助焊劑有助于在所有BGA觸點(diǎn)之間分配熱量并小心地熔化它們。加熱后,所有觸點(diǎn)和BGA錫將采取半球形式。

現(xiàn)在應(yīng)該在酒精的幫助下去除所有的助焊劑痕跡,需要將酒精灑在microSD卡上,并用刷子清潔它。

下一步是準(zhǔn)備銅線。它們的長(zhǎng)度應(yīng)相同(約5-7厘米)。為了切割相同尺寸的電線,建議使用一張紙作為長(zhǎng)度測(cè)量?jī)x。

之后,應(yīng)該借助手術(shù)刀從電線上去除隔離漆。從兩側(cè)稍微劃傷它們。

電線準(zhǔn)備的最后一個(gè)階段將是松香絲鍍錫的過(guò)程,以便更好地進(jìn)行焊接。

現(xiàn)在準(zhǔn)備開(kāi)始焊接電路到我們的電路板。建議從電路板的側(cè)面開(kāi)始焊接,然后在顯微鏡的幫助下,繼續(xù)將電線的另一側(cè)焊接到單片器件上。

最后,所有電線都焊接到電路板上,我們準(zhǔn)備開(kāi)始使用顯微鏡將電線焊接到microSD卡上。 這是最復(fù)雜的操作,需要很多耐心。如果覺(jué)得很累 – 休息一下,吃一些甜的東西,喝一杯咖啡(血液中的糖會(huì)幫助你的手不抖)。之后,開(kāi)始焊接。 對(duì)于右撇子,我們建議右手拿烙鐵,而左手拿鑷子用銅線。 你的烙鐵應(yīng)該是干凈的!不要忘記在焊接時(shí)不時(shí)地清理它。

當(dāng)所有觸點(diǎn)都焊接完畢后,確保沒(méi)有任何一個(gè)觸點(diǎn)連接到GND層!所有的針腳必須非常緊固!

現(xiàn)在我們準(zhǔn)備將我們的電路板連接到PC-3000FLASH,并開(kāi)始讀取過(guò)程!

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)

原文標(biāo)題:高手在民間:SD卡壞了進(jìn)行封裝PCB跳線 來(lái)修復(fù)數(shù)據(jù)

文章出處:【微信公眾號(hào):電子工程技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • pcb
    pcb
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4407

    文章

    23883

    瀏覽量

    424452
  • SD卡
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    589

    瀏覽量

    68772
  • 修復(fù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    719

    瀏覽量

    23923

原文標(biāo)題:高手在民間:SD卡壞了進(jìn)行封裝PCB跳線 來(lái)修復(fù)數(shù)據(jù)

文章出處:【微信號(hào):EngicoolArabic,微信公眾號(hào):電子工程技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    從NOR Flash 到 NAND Flash 和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    結(jié)構(gòu) → 大容量、順序訪問(wèn)友好   NAND 單元呈串聯(lián)結(jié)構(gòu),一次訪問(wèn)必須經(jīng)過(guò)一條存儲(chǔ)鏈:   讀取方式是:讀取一頁(yè)(Page),再
    發(fā)表于 03-05 18:23

    SPI NOR Flash和SPI NAND Flash存儲(chǔ)芯片的區(qū)別

    SPI NOR Flash與SPI NAND Flash并非相互替代,而是互補(bǔ)關(guān)系。SPI NOR勝在讀取速度快、使用簡(jiǎn)單、可靠性高,是代碼存儲(chǔ)的理想選擇。SPI NAND則以其大容量、高擦寫(xiě)速度
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:58 ?475次閱讀
    SPI NOR Flash和SPI <b class='flag-5'>NAND</b> Flash存儲(chǔ)<b class='flag-5'>芯片</b>的區(qū)別

    從NOR Flash到NAND Flash和SD NAND,從底層結(jié)構(gòu)到應(yīng)用差異

    結(jié)構(gòu) → 大容量、順序訪問(wèn)友好   NAND 單元呈串聯(lián)結(jié)構(gòu),一次訪問(wèn)必須經(jīng)過(guò)一條存儲(chǔ)鏈:   讀取方式是:讀取一頁(yè)(Page),再
    發(fā)表于 12-08 17:54

    內(nèi)存數(shù)據(jù)處理優(yōu)化藝術(shù)

    內(nèi)存訪問(wèn)是程序運(yùn)行的瓶頸之一。減少內(nèi)存訪問(wèn)次數(shù)可以顯著提高程序的運(yùn)行速度。 在C語(yǔ)言中,指針是直接操作內(nèi)存的利器。使用指針遍歷數(shù)組不僅代碼更
    發(fā)表于 11-14 07:46

    使用AD7147這個(gè)采集芯片,為什么數(shù)據(jù)讀取異常?

    就是目前我在使用AD7147這個(gè)采集芯片,使用的主控是N32G430,目前是我可以使用SPI讀取到AD7147的設(shè)備地址,也可以讀取到它各通道的值,但是我想把讀取到的
    發(fā)表于 11-05 15:53

    行業(yè)資訊 I 火爆的“內(nèi)存接口芯片

    大模型訓(xùn)練與推理需求的爆發(fā),點(diǎn)燃了AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)熱潮。AI服務(wù)器的需求增長(zhǎng)不僅掀起了GPU/ASIC算力芯片、光模塊等組件的迭代狂潮,同時(shí)也推動(dòng)了對(duì)更大容量、更高帶寬系統(tǒng)主內(nèi)存的需求。在此背景下
    的頭像 發(fā)表于 10-31 16:28 ?3332次閱讀
    行業(yè)資訊 I 火爆的“<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>接口<b class='flag-5'>芯片</b>”

    芯天下的Parallel NAND

    一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存(Parallel NAND)是一種通過(guò)多條數(shù)據(jù)線同時(shí)傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 10-30 08:37 ?534次閱讀
    芯天下的Parallel <b class='flag-5'>NAND</b>

    NAND閃存芯片功能與應(yīng)用分析

    NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ):以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù),斷電后
    的頭像 發(fā)表于 08-11 10:43 ?2422次閱讀

    什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash

    NAND 文章目錄 NAND 一、FLASH閃存是什么? 二、SD NAND Flash 三、STM32例程 一、FLASH閃存是什么? 簡(jiǎn)介 FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種,“F
    發(fā)表于 07-03 14:33

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    記憶(存儲(chǔ)) 和 運(yùn)算(處理)。CPU(中央處理器)是大腦,負(fù)責(zé)高速運(yùn)算;但CPU處理的數(shù)據(jù)和指令需要臨時(shí)存放的地方,運(yùn)算結(jié)果也需要保存起來(lái)。存儲(chǔ)芯片就是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的“記憶倉(cāng)庫(kù)”,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存放和
    發(fā)表于 06-24 09:09

    Nand flash 和SD卡(SD NAND)存儲(chǔ)扇區(qū)分配表異同

    時(shí),根據(jù)分配表中記錄的扇區(qū)位置信息,從相應(yīng)扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)。同時(shí),驅(qū)動(dòng)程序還需要負(fù)責(zé)處理 NAND Flash 的壞塊管理,將壞塊信息記錄在分配表或其他相關(guān)結(jié)構(gòu)中,避免在壞塊上進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
    發(fā)表于 03-13 10:45

    電池電量計(jì)的通信、配置、數(shù)據(jù)內(nèi)存訪問(wèn)以及相關(guān)代碼示例

    基礎(chǔ)電量計(jì)命令:電量計(jì)通過(guò)命令與主機(jī)控制器通信,命令類(lèi)似寄存器,如讀取充電狀態(tài)的命令StateOfCharge(),其命令代碼為0x1C和0x1D 。命令分為標(biāo)準(zhǔn)命令(用于獲取測(cè)量結(jié)果和更改部分配置參數(shù))和擴(kuò)展命令(主要用于訪問(wèn)數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 03-11 15:45 ?1次下載

    STM32H743或者是STM32F767讀取NAND時(shí)候直接將數(shù)據(jù)存放到SDRAM中會(huì)出錯(cuò),請(qǐng)問(wèn)NAND跟SDRAM不能同時(shí)訪問(wèn)么?

    SDRAM和NAND都使能了,都能正常工作,但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中,發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯(cuò)誤的。但是將
    發(fā)表于 03-11 08:13