電子設(shè)計的復雜性和密度增加了，部分原因是移動行業(yè)的興起，給印刷電路板（PCB）設(shè)計人員帶來了新的挑戰(zhàn)。在電路板基板中嵌入組件可為一些問題提供實用的解決方案，并且它正迅速成為制造商可行的生產(chǎn)步驟。

為什么要嵌入組件？

在討論向設(shè)計中添加嵌入式組件的方法之前，重要的是要了解它們提供的一些優(yōu)勢。除了對成本和產(chǎn)量的潛在影響之外，人們還必須考慮在開始設(shè)計之前增加制造步驟的所有利弊。

尺寸和成本的減少推動了PCB技術(shù)的創(chuàng)新。嵌入組件可以幫助減小電路板組件的尺寸。它還可以潛在地降低復雜產(chǎn)品的制造成本。

在處理高頻電路時，最小化電氣路徑長度以減少寄生效應至關(guān)重要。減少無源元件到IC的布線長度可以減少寄生電容和電感，從而減少系統(tǒng)中的負載波動和噪聲。通過嵌入無源元件，可以將它們直接放置在IC引腳的下面，從而最大程度地減少潛在的負面影響，包括過孔電感。

最小化到IC的布線長度是減少寄生效應和改善器件性能的常見解決方案。在電路板基板（頂部）中嵌入組件可以在表面安裝（底部）上進一步減少導線長度。

可以直接在嵌入式IC周圍制造集成的電磁干擾（EMI）屏蔽。只需在IC周圍添加電鍍通孔，就可以減少電容性和電感性耦合噪聲。在某些應用中，它還可以消除對額外的表面安裝屏蔽的需求。

導熱結(jié)構(gòu)可以輕松地添加到嵌入式組件中，從而改善了熱管理。一個這樣的例子是將熱微通孔嵌入與嵌入的組件直接接觸，從而允許熱量散發(fā)到熱平面層。此外，減少熱量必須流經(jīng)的PCB基板的數(shù)量會降低熱阻。

在設(shè)計中實現(xiàn)嵌入式組件時，長期可靠性是困難和擔憂的主要根源。將焊點放置在PCB的層壓框架內(nèi)時，其可持續(xù)性會受到后續(xù)焊接工藝（例如表面貼裝器件上的回流焊）的影響。嵌入式組件制造后可能會引起其他問題，因為嵌入式組件無法在故障后輕易進行測試或更換。

嵌入式組件的類型

嵌入式組件分為被動和主動兩大類，但是它們以不同的方式和不同的用途廣泛使用。被動填充了大部分組件。因此，已經(jīng)對嵌入式電容和電阻進行了全面的研究。

術(shù)語“嵌入式無源”通常不是指僅放置在板基板內(nèi)腔中的分立電阻器或電容器。而是，通過選擇特定的層材料以形成電阻或電容結(jié)構(gòu)來制造嵌入式無源器件。雖然這些類型的嵌入式組件在某一時刻被大量使用以節(jié)省空間，但較小的分立無源器件（例如01005封裝）的發(fā)展已使其在許多設(shè)計中對于該目的變得不必要。

嵌入式無源器件仍具有許多優(yōu)勢，包括減少寄生效應和減小尺寸，并已成為分立式表面安裝無源器件的常見制造替代方案。這對于諸如串聯(lián)終端電阻器之類的應用尤其有益，在該應用中，數(shù)百條傳輸線進入密集的球柵陣列（BGA）微處理器和存儲設(shè)備。

將IC放置在板基板中的制造步驟可能會有所不同，但必須為組件主體以空腔的形式留出空間。芯片嵌入技術(shù)有幾種值得注意的方法：

l集成模塊板（IMB）：將組件對齊并放置在空腔內(nèi)，該空腔通過控制深度的布線布線到核心層壓板。空腔填充有模制聚合物，以確保與基板的化學，機械和電氣兼容性。當將嵌入式部件層壓到疊層中時，聚合物將各向同性焊料浸漬以形成可靠的焊點。

l嵌入式晶圓級封裝（EWLP）：所有技術(shù)步驟均在晶圓級執(zhí)行。始終需要扇入，這意味著可用于I / O的區(qū)域僅限于芯片尺寸。

l嵌入式芯片構(gòu)建（ECBU）：將芯片安裝到聚酰亞胺膜上，并從那里構(gòu)建互連結(jié)構(gòu)。

l聚合物中的芯片（CIP）：薄芯片被嵌入到PCB的堆積電介質(zhì)層中，而不是將它們集成到芯層中。然后可以使用標準的層壓基板材料。

組件設(shè)計注意事項

為嵌入式目的進行設(shè)計時，考慮組件的物理方向和布局很重要。此外，正確選擇兼容的組件和基板材料有助于減少制造過程中發(fā)生故障的機會。

對于嵌入式無源器件，選擇特定材料最終決定了那些組件的電性能。嵌入式電阻器只是電阻膜片，其尺寸可實現(xiàn)一定的電阻值。電阻可以使用以下公式計算：

其中ρ是材料的電阻率，L是長度，A是面積。（W和t分別是寬度和厚度。）每種電阻膜材料的電阻率都不同，并且與最終電阻值成正比，這意味著材料的選擇是設(shè)計和制造過程的關(guān)鍵部分。

嵌入式電容器是通過將銅包層布置為板狀并確定其尺寸來制造的，并在兩者之間適當選擇介電材料。然后可以使用以下方法計算電容：

其中ε - [R是材料的介電常數(shù)，ε 0是自由空間的介電常數(shù)，A是極板的面積，d是板之間的距離。

介電常數(shù)根據(jù)所選材料而變化，并且與最終電容值成正比。從該方程式可以明顯看出，通過減小板層中的平面間距離并最大化平面面積來增加電容?？梢允褂锰厥獾牟牧蟻肀３纸殡姀姸?，同時產(chǎn)生尺寸穩(wěn)定但非常薄的平面到平面介電層，以增加用于電源去耦的平面電容。

對于嵌入式IC和其他有源元件，選擇材料主要是為了考慮腔中元件的長期可靠性以及基板的耐用性。熱膨脹系數(shù)（CTE）可以描述材料將如何改變并對高溫事件或過程做出反應，例如對表面安裝組件進行的回流焊接。如果基板材料和用于填充型腔的聚合物之間的CTE（特別是z軸膨脹）不匹配，則可能會損害板的結(jié)構(gòu)和完整性。

在腔中對齊和放置嵌入式無源和有源組件時，使用兩個基本處理流程：面朝上和面朝下。通過面朝下地嵌入組件，只需要在等于封裝高度的深度創(chuàng)建空腔即可，這意味著可以在同一層上嵌入多個厚度不同的芯片。面朝下的制造可實現(xiàn)良好的介電材料厚度控制，以及組裝過程中良好的組件放置精度。

制造過程

制造步驟將根據(jù)每個制造商決定的過程以及可用的制造設(shè)備而有所不同。通常，用于嵌入組件的制造過程可以分為兩類：對齊并放置在型腔內(nèi)的組件，以及模制到基板中的組件，從那里建立其他結(jié)構(gòu)。

可以使用不同的配置和制造技術(shù)來形成PCB腔。隨著用于嵌入有源元件的技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)開發(fā)了更新和更有效的腔體開發(fā)方法，具有更高的可靠性和更高的生產(chǎn)良率。

激光鉆孔腔可提供任何方法中最高的精度和位置精度。由于去除了介電材料，激光束受到精確控制，以實現(xiàn)均勻的深度控制和磨損。由于激光通常使用大波長，因此它無法穿透銅層，從而為該過程建立了定義明確的“停止層”。在形成腔之后，添加各向異性導電粘合劑物質(zhì)，并將組件放置在空隙中。在特定壓力下對系統(tǒng)施加熱量，以熔化分散在粘合劑材料中的焊料顆粒，并形成可靠的焊料結(jié)合。

銑削提供了一種更常規(guī)且更具成本效益的方法來制造型腔。銑刀的尺寸已減小到足以滿足大多數(shù)現(xiàn)代制造需求，但是加工技術(shù)存在實際限制。盡管如此，銑削和銑削技術(shù)比激光鉆孔技術(shù)更為完善，因此更容易用于創(chuàng)建型腔。

薄晶圓封裝可直接集成到堆積的電介質(zhì)層中，而無需利用在芯材中鉆孔或布線的空腔。然后可以使用標準的層壓基板材料，例如多層FR-4，1從而降低了成本并降低了生產(chǎn)良率。首先，將薄芯片芯片接合到基板上。接下來，將液態(tài)環(huán)氧樹脂或?qū)訅簶渲繉鱼~（RCC）膜用作電介質(zhì)。通過優(yōu)化熱壓層壓工藝，可以無空隙地嵌入芯片。

結(jié)論

盡管將無源和有源組件嵌入板基板中的技術(shù)已經(jīng)存在了一段時間，但直到最近才在商業(yè)上可行以在制造過程中執(zhí)行此類步驟。對高密度，薄型電子設(shè)備的市場需求已經(jīng)克服了潛在的缺點，例如可靠性問題以及成本和生產(chǎn)良率的風險。