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嵌入式存儲(chǔ)器在任何SoC中都扮演著至關(guān)重要的角色

我快閉嘴 ? 來源:賢集網(wǎng) ? 作者:賢集網(wǎng) ? 2020-09-22 14:06 ? 次閱讀
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嵌入式存儲(chǔ)器在任何SoC中都扮演著至關(guān)重要的角色,幾乎在任何設(shè)計(jì)中都覆蓋了70%以上的面積。它們具有不同的大小和類型,并且隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小,測(cè)試存儲(chǔ)器變得至關(guān)重要。較低的幾何結(jié)點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致在地址,行和列方面更密集的內(nèi)存,因此更容易出現(xiàn)缺陷。

內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試(MBIST)提供了測(cè)試此類內(nèi)存的最佳解決方案。內(nèi)置的自我修復(fù)(BISR)廣泛用于測(cè)試/修復(fù)RAM,其中每個(gè)RAM使用專用的BISR電路。BISR功能有助于檢查內(nèi)存BIST邏輯和內(nèi)存包裝器接口。內(nèi)存測(cè)試在向其中添加諸如內(nèi)置冗余分析(BIRA)之類的修復(fù)功能后,將變得更加有效。維修分析將使電路良率提高。本文重點(diǎn)介紹當(dāng)我們包含修復(fù)功能時(shí)如何測(cè)試可修復(fù)的內(nèi)存,還將探討在自動(dòng)測(cè)試模式生成(ATPG)或內(nèi)置模式生成期間將如何影響可修復(fù)內(nèi)存。此外,它著重介紹了常見的挑戰(zhàn)。

什么是內(nèi)存修復(fù)?

內(nèi)存修復(fù)功能通過可用的備用或冗余行和列來轉(zhuǎn)移內(nèi)存的故障區(qū)域(例如,行,列或兩者)。維修分析還包括收集可用的故障位置,冗余分析以及對(duì)內(nèi)存將如何訪問維修邏輯的分析,從而增加了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。當(dāng)我們處理SoC時(shí),大多數(shù)設(shè)計(jì)都覆蓋有可修復(fù)的存儲(chǔ)器,因此需要額外的硬件才能有效地啟用和禁用修復(fù)功能。

內(nèi)存修復(fù)由行修復(fù)或列修復(fù)或兩者之類的不同方法組成,可以實(shí)現(xiàn)為硬修復(fù),軟修復(fù)和融合方法。使用內(nèi)存編譯器,我們可以確定設(shè)計(jì)中額外的行和列的數(shù)量。存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)庫包括修復(fù)能力及其特征。

內(nèi)存修復(fù)的工作原理:BISR和BIRA

要為內(nèi)存啟用修復(fù)邏輯,必須啟用或打開repair_analysis_present屬性,這會(huì)觸發(fā)內(nèi)存中的修復(fù)邏輯。

內(nèi)置自我修復(fù)(BISR)邏輯插入任務(wù)如下:

在設(shè)計(jì)中創(chuàng)建BISR鏈

將BISR控制器連接到鏈

BISR控制器將連接到垃圾箱

將創(chuàng)建BISR控制器到邏輯連接

維修帶來的挑戰(zhàn)

額外的區(qū)域開銷

處理可修復(fù)內(nèi)存時(shí)出現(xiàn)的主要困難是,它將需要一些額外的邏輯來進(jìn)行修復(fù)分析。這將影響芯片的尺寸和面積。為存儲(chǔ)器啟用修復(fù)屬性后,將在設(shè)計(jì)中插入BISR和BIRA邏輯,從而與控制器和垃圾箱連接。區(qū)域開銷的數(shù)量還取決于可修復(fù)存儲(chǔ)器的數(shù)量及其周圍的邏輯。

在MBIST插入期間將插入專用的BISR寄存器模塊,以用于可修復(fù)的存儲(chǔ)器。每種類型的存儲(chǔ)器都有一個(gè)專用的BISR寄存器模塊,主要包括移位寄存器和重定時(shí)觸發(fā)器。平均每個(gè)BISR寄存器將占用大約??們?nèi)存的5-7%。與BISR不同,不可修復(fù)的內(nèi)存的BIST區(qū)域開銷幾乎只有1-2%。

插入修復(fù)用的可掃描拖板

根據(jù)我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,我們觀察到采用BISR(內(nèi)置于自我修復(fù))的設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)中可掃描觸發(fā)器的數(shù)量增加了4-5%。

狀態(tài)寄存器用于檢查修復(fù)啟用/禁用和修復(fù)完成的狀態(tài)。

當(dāng)特定的存儲(chǔ)器是行可修復(fù)的或列修復(fù)的或兩者兼有時(shí),將使用列和行熔絲寄存器。

備用I / O范圍可用寄存器用于檢查備用行,列和輸入/輸出。

BIRA使能寄存器用于檢查維修分析和診斷完成。

列和行保險(xiǎn)絲寄存器。

錯(cuò)誤匹配寄存器將在檢測(cè)到錯(cuò)誤時(shí)啟用,并在稍后階段由備用行和列替換。

BIST使能寄存器可檢查是否對(duì)特定存儲(chǔ)器啟用了內(nèi)置自檢。

引腳數(shù)增加

與MBIST不同,可修復(fù)的MBIST將在DUT /模塊級(jí)增加引腳數(shù),從而導(dǎo)致另一個(gè)損失。在MBIST期間,CLK,RST,MBIST GO和MBIST DONE需要額外的引腳。在設(shè)計(jì)中,使能BIRA和BISR的電路將包括bisr_si,bisr_so,bisr_en,bisr_clk和bisr_reset引腳。BISR模塊中的引腳將主要是專用引腳,因?yàn)檫@些引腳將用于維修。如今,業(yè)界使用共享引腳來實(shí)現(xiàn)這種邏輯,以確保最小的區(qū)域開銷。

更高的運(yùn)行時(shí)間

由于還有其他與修復(fù)啟用相關(guān)的邏輯,它將通過BISR邏輯插入來插入和診斷修復(fù)實(shí)用程序,從而導(dǎo)致更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間和更多的設(shè)計(jì)工作。對(duì)于1000個(gè)內(nèi)存,與關(guān)閉BISR相比,啟用修復(fù)的MBIST插入將花費(fèi)3倍的時(shí)間和精力。

ATPG期間的模式膨脹

插入MBIST后,一旦設(shè)計(jì)通過掃描插入/測(cè)試邏輯插入,結(jié)果是設(shè)計(jì)中可掃描觸發(fā)器的數(shù)量增加。這進(jìn)一步導(dǎo)致門數(shù),故障數(shù)的增加,以及在ATPG中出現(xiàn)更多模式的結(jié)果。

結(jié)論

根據(jù)到目前為止我們已經(jīng)討論的內(nèi)容,可以得出結(jié)論,維修分析有其自身的優(yōu)缺點(diǎn),在模塊和系統(tǒng)/芯片級(jí)別具有正反作用。它通過維修邏輯提高了制造良率,從而提供了最大的成本節(jié)省因素。較低的幾何節(jié)點(diǎn)始終具有密集得多的內(nèi)存,這對(duì)于測(cè)試非常關(guān)鍵。如今,當(dāng)內(nèi)存占據(jù)最大的面積時(shí),內(nèi)存修復(fù)概念將有助于提高整體制造良率。
責(zé)任編輯:tzh

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