9月24日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在連續(xù)5年增長(zhǎng)之后，全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模在去年有下滑，但研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，今年又將恢復(fù)增長(zhǎng)。

從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模在今年將達(dá)到677億美元，較去年的570億美元增加107億美元，同比增長(zhǎng)19%。

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球純晶圓代工市場(chǎng)今年增至677億美元，也就意味著在他們看來(lái)，這一市場(chǎng)在今年將恢復(fù)增長(zhǎng)。2019年，全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模曾有下滑，當(dāng)年的規(guī)模為570億美元，較2018年的578億美元減少8億美元，同比下滑1.38%。

在2019年之前，全球純晶圓代工市場(chǎng)已連續(xù)5年增長(zhǎng)。研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)就顯示，2014年全球純晶圓代工市場(chǎng)的規(guī)模為427億美元，同比增長(zhǎng)18%；2015年增至456億美元；2016年超過(guò)500億美元，達(dá)到504億美元；2017年進(jìn)一步增加，增至548億美元。

具體來(lái)看，存儲(chǔ)器工廠將以300億美元的設(shè)備支出領(lǐng)先全球半導(dǎo)體領(lǐng)域；其次是領(lǐng)先的邏輯和代工廠，預(yù)計(jì)其將以290億美元的投資排名第二。再者是3D NAND memory細(xì)分市場(chǎng)，報(bào)告指出，3D NAND memory將在今年推動(dòng)30％的投資激增，從而推動(dòng)支出狂潮，在2021年實(shí)現(xiàn)17％的增長(zhǎng)。
另一方面，在2020年DRAM Fab廠的投資在2020年下降11％之后，明年將激增50％，而在前沿邏輯和代工廠的支出，在今年下降11％之后，到2021年將增長(zhǎng)16％。

此外，2020年全球Fab廠設(shè)備支出低谷將從第一季度轉(zhuǎn)移到第二季度。

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