如何使用MOS晶體管研究NMOS零增益放大器原理
來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus
本次活動是對11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個角度來研究零增益放大器的性能將頗有助益。
材料
● ADALM2000 主動學(xué)習(xí)模塊
● 無焊面包板
● 一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）
● 一個168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)）
● 一個小信號NMOS晶體管（增強模式CD4007或ZVN2110A）
說明
圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。
圖1.NMOS零增益放大器
硬件設(shè)置
面包板連接如圖2所示。任意波形發(fā)生器1輸出連接驅(qū)動電阻R1的一端。電阻R2連接在晶體管M1的柵極和漏極之間，電阻R1的另一端也連接至柵極。M1的源極接地；所以，M1采用共源配置。
圖2.NMOS零增益放大器面包板電路。
程序步驟
波形發(fā)生器1配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏置為2 V。連接示波器通道1，以顯示AWG的輸出W1。示波器通道2 (2+)的單端輸入被用于交替測量M1的柵極電壓和漏極電壓。
配置示波器以捕獲測量的兩個信號的多個周期。啟用XY功能。
使用示波器的波形圖示例如圖3至圖5所示。
圖3.示波器VGATE的波形圖。
圖4.示波器VDRAIN的波形圖。
圖5.示例：比較VGATE和VDRAIN。
編輯：hfy
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