我們在介紹 60V、3.5A 工業(yè)級 Buck 轉換器 RTQ6363 的時候有讀者詢問自舉電容為什么會取值 0.1μF，當時沒有細聊此問題，最近我利用閑暇時間作了一些公式的推導，得到一些可作計算依據(jù)的公式，現(xiàn)在就把這個推導過程和相關的結果分享給有需要的讀者參考。

先來看看 RTQ6363 的應用電路圖：

注意了解自舉電容所處的位置，再來看看 RTQ6363 的內(nèi)部電路框圖：

再結合 Buck 電路的工作原理，便可知道自舉電容 CBOOT 和上橋開關 MOSFET 輸入電容之間的關系是怎么樣的，這成為我們進行公式推導的基礎。
當上橋截止、外接續(xù)流二極管導通的時候，SW 節(jié)點與 GND 電位相同（這里忽略續(xù)流二極管的導通壓降以簡化問題），內(nèi)部穩(wěn)壓器通過二極管對 CBOOT 充電，我們假設其充滿電壓為 U，同時假設 CBOOT 的容量為 C，則其中儲存的能量為

上橋導通的過程是利用 CBOOT 中的儲能對上橋開關 MOSFET 輸入電容（假設其容量為 dC）充電的過程，最后這兩個電容里的電壓將會相等。假設 CBOOT 在此階段沒有得到任何能量的補充，則這個能量的分配過程將會造成 CBOOT 電壓的下降，其下降量為 dU，于是可以計算出這兩個電容的總儲能為

很顯然，前后兩次計算得到的電容儲能是相等的，所以有

于是便有

因為不可能有 dU > U，所以只有下述答案是合理的：

這個公式告訴我們的結論是：C 的值越大、dC 的值越小，則 dU 越小。假如 dC 是 C 的十分之一、U = 5V，則 dU = 0.233V，將此數(shù)據(jù)用到具體的電路上，其意義便是當自舉電容 CBOOT 的容量是上橋開關輸入電容的 10 倍時，驅動上橋開關導通的過程所造成的自舉電容電壓下降約為 0.233V，此數(shù)據(jù)越小，則上橋開關的導通程度越高，對下一段自舉電容充電時間的要求也越低。

如果需要在定好上橋驅動電壓的情況下去選擇自舉電容的容量，公式推導過程就要從另外一個角度進行：

C 的值與 dC 的值成正比，這說明上橋開關輸入電容的值越大則自舉電容的值也要越大。

有了上述的計算公式，我們常?？吹降?0.1μF 自舉電容量就是可以被理解的一個選擇了，因為很多 MOSFET 的輸入電容量都在幾個 nF 以內(nèi)，集成在 IC 內(nèi)部的開關可能還有更小的輸入電容，雖然陶瓷電容的實際容量會隨著工作電壓的不同而發(fā)生變化，但其變化量應該都在可以接受的范圍內(nèi)，其剩余的實際容量還是要比上橋開關的輸入電容大很多，滿足需求應該是有保障的。

在實際的電路中，當由 CBOOT 向上橋開關的輸入電容充電時，內(nèi)部穩(wěn)壓電路仍然在向 CBOOT 供電，也在向上橋的驅動電路供電。當上橋導通導致其源極即 SW 節(jié)點電壓上升以后，BOOT 節(jié)點的電壓也被抬升了與輸入電壓相同的幅度，內(nèi)部穩(wěn)壓器已經(jīng)不可能再給 CBOOT 供電，這時候的驅動電路仍然需要消耗電流，此電流是由 CBOOT 的儲能提供的，此行為將會造成 CBOOT 的電壓降低，時間長了也會造成其電壓太低的結果，通過驅動電路與之相連的上橋開關的導通程度也會受到影響，這就是為什么 RTQ636x 系列器件都會有 BOOT 欠壓保護設計的原因，而且也會有在輕載情況下主動將 SW 與地接通以實現(xiàn) CBOOT 復充電的設計。上面的公式推導將這些過程中的充放電都忽略了，目的是要將問題簡化到便于分析的程度，只要能讓我們對自舉電容參數(shù)的來歷有個了解便可。同時也需要注意到的是簡化會造成理論計算的結果和實際的表現(xiàn)是不完全一致的，如果我們?nèi)ビ^察實際的電路波形，你看到的實際數(shù)據(jù)將會與計算結果有所差異，所以就不要有太高的精度要求。
編輯：hfy