91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

限制有機場效應(yīng)晶體管性能提升和量產(chǎn)的原因是什么?

我快閉嘴 ? 來源:賢集網(wǎng) ? 作者:賢集網(wǎng) ? 2020-10-09 14:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

場效應(yīng)晶體管(FET)是集成電路、計算機CPU和顯示器背板等現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心構(gòu)件。有機場效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors,簡稱OFET)利用有機半導(dǎo)體作為電流流動的通道,與硅等無機同類器件相比,具有靈活的優(yōu)勢。

鑒于OFET具有高靈敏度、機械柔性、生物相容性、特性可調(diào)性和低成本制造等特點,被認(rèn)為在可穿戴電子、保形健康監(jiān)測傳感器和可彎曲顯示器等新應(yīng)用中具有巨大潛力。想象一下,可以卷起的電視屏幕;或者貼身穿戴的智能可穿戴電子設(shè)備和衣服,收集身體的重要信號,進(jìn)行即時的生物反饋;或者用無害的有機材料制成的迷你機器人在體內(nèi)工作,進(jìn)行疾病診斷、靶向藥物運輸、小型手術(shù)等藥物和治療。

到目前為止,OFETs性能提升和量產(chǎn)的主要限制在于其小型化的難度。目前市場上使用OFETs的產(chǎn)品,在產(chǎn)品靈活性和耐久性方面還處于原始形態(tài)。

香港大學(xué)機械工程系陳國良博士領(lǐng)導(dǎo)的工程團隊在開發(fā)交錯結(jié)構(gòu)單層有機場效應(yīng)晶體管方面取得重要突破,為縮小OFETs的體積奠定了重要基石。該成果已發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)材料》上。該創(chuàng)新成果已經(jīng)申請了美國專利。

現(xiàn)在科學(xué)家們在縮小OFETs尺寸方面面臨的主要問題是,隨著尺寸的縮小,晶體管的性能將顯著下降,部分原因是接觸電阻問題,即界面上的電阻會阻礙電流的流動。當(dāng)器件變小后,其接觸電阻將成為顯著降低器件性能的主導(dǎo)因素。

陳博士團隊創(chuàng)造的交錯結(jié)構(gòu)單層OFET表現(xiàn)出創(chuàng)紀(jì)錄的低歸一化接觸電阻40 Ω -cm。與傳統(tǒng)器件1000 Ω -cm的接觸電阻相比,新器件在相同電流水平下運行時,可以節(jié)省96%的接觸功耗。更重要的是,除了節(jié)能,還可以大大減少系統(tǒng)中產(chǎn)生的過多熱量,這是導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的常見問題。

“在我們的成果基礎(chǔ)上,我們可以進(jìn)一步縮小OFET的尺寸,并將其推向亞微米級,與無機對應(yīng)器件相匹配,同時仍能有效地發(fā)揮其獨特的有機特性。這對滿足相關(guān)研究的商業(yè)化要求至關(guān)重要?!?陳博士說。

“如果柔性O(shè)FET奏效,許多傳統(tǒng)的基于剛性的電子產(chǎn)品,如顯示面板、電腦手機等,都將轉(zhuǎn)變?yōu)槿嵝院涂烧郫B的。這些未來設(shè)備的重量將大大減輕,而且生產(chǎn)成本低?!?/p>

“此外,考慮到它們的有機性質(zhì),它們更有可能在先進(jìn)的醫(yī)療應(yīng)用中具有生物相容性,如追蹤大腦活動或神經(jīng)尖峰傳感的傳感器,以及在癲癇等大腦相關(guān)疾病的精確診斷中?!?陳博士補充道。

陳博士的團隊目前正與香港大學(xué)醫(yī)學(xué)院的研究人員和城大的生物醫(yī)學(xué)工程專家合作,將微型化的OFET集成到聚合物微探針上的柔性電路中,以便在不同的外部刺激下,在小鼠腦部進(jìn)行活體神經(jīng)尖峰檢測。他們還計劃將OFETs集成到導(dǎo)管管等手術(shù)工具上,然后將其放入動物的大腦內(nèi),進(jìn)行直接的大腦活動感應(yīng),以定位大腦中的異常激活。

“我們的OFETs提供了更好的信噪比。因此,我們希望能夠接收到一些微弱的信號,而這些信號在使用傳統(tǒng)的裸電極進(jìn)行傳感之前是無法檢測到的?!?/p>

“將應(yīng)用研究與基礎(chǔ)科學(xué)聯(lián)系起來一直是我們的目標(biāo)。我們的科研成果將有望為OFETs的研究和應(yīng)用開辟一片藍(lán)海。我們相信,在OFETs上的設(shè)置和成果,現(xiàn)在已經(jīng)可以在大面積顯示背板和手術(shù)工具上應(yīng)用了?!?陳博士最后說。

關(guān)于香港大學(xué)工程學(xué)院

工程學(xué)院是香港大學(xué)于1912年成立的學(xué)院之一。自成立以來,教師跟上工程的發(fā)展世界,總是在工程研究的前沿,演變成一個最大的大學(xué)教師與五部門提供本科、研究生和研究度在一個廣泛的重要領(lǐng)域的現(xiàn)代工程技術(shù)和計算機科學(xué)。學(xué)院的目標(biāo)是為學(xué)生提供全面的教育,使畢業(yè)生不僅具備尖端科技的知識,而且具備良好的溝通和社交能力、創(chuàng)新思維、終身學(xué)習(xí)的態(tài)度、專業(yè)操守和國際視野。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5455

    文章

    12599

    瀏覽量

    374930
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30871

    瀏覽量

    265035
  • cpu
    cpu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    11295

    瀏覽量

    225375
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10405

    瀏覽量

    148021
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    TPS7H60x3-SP:太空級氮化鎵場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動器的性能與應(yīng)用解析

    TPS7H60x3-SP:太空級氮化鎵場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動器的性能與應(yīng)用解析 在電子工程師的設(shè)計世界里,面對太空等極端環(huán)境下的電源設(shè)計需求,一款性能卓越的柵極驅(qū)動器至關(guān)重要。TPS7H60x3
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:45 ?371次閱讀

    TI TPS7H60x3-SP:適用于太空應(yīng)用的氮化鎵場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動器

    TI TPS7H60x3-SP:適用于太空應(yīng)用的氮化鎵場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動器 引言 在電子工程師的設(shè)計領(lǐng)域中,尤其是涉及到太空應(yīng)用時,對器件的性能、穩(wěn)定性和抗輻射能力有著極高的要求。德州儀器(TI
    的頭像 發(fā)表于 01-07 09:55 ?492次閱讀

    PD快充MOS性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案

    標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。 產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動效應(yīng):快充技術(shù)的普及不僅推動了充電器產(chǎn)品的更新,也帶動了如 MOSFET(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等核心元器件的市場需求增長,這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
    發(fā)表于 11-03 09:28

    瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管,推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)

    在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下,瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET),專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動交通應(yīng)用對高效能和高密度
    的頭像 發(fā)表于 07-14 10:17 ?3355次閱讀
    瑞薩電子推出650伏氮化鎵<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>,推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)

    半導(dǎo)體器件控制機理:MOS場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通機制探析

    在微電子系統(tǒng)中,場效應(yīng)晶體管通過柵極電位的精確調(diào)控實現(xiàn)對主電流通路的智能管理,這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機制與電場調(diào)控特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:41 ?945次閱讀

    鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢

    自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗證。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?2038次閱讀
    鰭式<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的原理和優(yōu)勢

    AO4803A雙P通道增強型場效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊

      AO4803AAO4803A雙P通道增強型場效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù),以低門電荷提供優(yōu)秀的RDS(開)。此設(shè)備適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛(符合RoHS和索尼259規(guī)范)
    發(fā)表于 05-19 17:59 ?28次下載

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?1029次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1481次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>詳解

    結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),如圖 1.11所示。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:19 ?4312次閱讀
    結(jié)型<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的結(jié)構(gòu)解析

    ZSKY-CCS3125BP N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS3125BP N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 05-13 18:03 ?0次下載

    有機半導(dǎo)體材料及電子器件電性能測試方案

    有機半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機材料,1986年第一個聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來,有機場效應(yīng)晶體管(OFET)飛速發(fā)展。有機物作為半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 04-09 15:51 ?1279次閱讀
    <b class='flag-5'>有機</b>半導(dǎo)體材料及電子器件電<b class='flag-5'>性能</b>測試方案

    LT8822SS共漏N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8822SS共漏N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-26 16:00 ?1次下載

    LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-25 17:28 ?0次下載

    LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-25 17:26 ?0次下載