10月14日消息，ARC未來低能耗電子技術(shù)卓越中心（FLEET）的科學(xué)家發(fā)表研究報告稱，“超越二進制 ”的 “多狀態(tài)存儲器 ”數(shù)據(jù)存儲有望成為未來的數(shù)據(jù)存儲方式。

研究人員表示，多狀態(tài)存儲器是未來數(shù)據(jù)存儲的一種極有前途的技術(shù)，它能夠以超過一個比特（即0或1）的方式存儲數(shù)據(jù)，使得存儲密度（單位面積存儲的數(shù)據(jù)量）大大提高。

這就規(guī)避了 “摩爾定律 ”歷史上提供的平緩效益，即組件尺寸大約每兩年減少一半。近年來，摩爾定律長期以來所預(yù)測的平臺化現(xiàn)象已經(jīng)出現(xiàn)。

非易失性多態(tài)存儲器（NMSM）具有節(jié)能、高、非易失性、快速訪問和低成本的特點。

在不縮減存儲單元尺寸的情況下，存儲密度得到了極大的提升，使得存儲設(shè)備的效率更高，成本更低。

多態(tài)存儲器還可以實現(xiàn)所提出的未來技術(shù)神經(jīng)形態(tài)計算，它將反映人類大腦的結(jié)構(gòu)。這種完全不同的、受大腦啟發(fā)的計算體制有可能為采用NMSM等新型技術(shù)提供經(jīng)濟動力。

NMSM允許模擬計算，這可能對智能的神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要，也有可能幫助最終揭開人腦本身的工作機制。

研究論文《用于高密度數(shù)據(jù)存儲的非易失性多態(tài)存儲器》回顧了領(lǐng)先的NMSM候選器件的器件架構(gòu)、工作機制、材料創(chuàng)新、挑戰(zhàn)和最新進展，包括：

閃存

磁隨機存取存儲器（MRAM）

電阻隨機存取存儲器（RRAM）

鐵電隨機存取存儲器（FeRAM）

相變存儲器（PCM）
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