奧地利的EV集團（EVG）演示了集體管芯對晶圓結(jié)合的端到端工藝流程，3D封裝的貼片精度低于2μm的集體裸片與晶圓（D2W）相結(jié)合。

該工藝使用EVG晶圓鍵合技術(shù)和工藝，以及現(xiàn)有的鍵合界面材料。EVG的異質(zhì)集成能力中心證明了這一突破，它代表了加快在下一代2.5D和3D半導(dǎo)體封裝中異質(zhì)集成（HI）部署的關(guān)鍵里程碑。

該中心是一個開放式創(chuàng)新孵化器，可幫助客戶加速技術(shù)開發(fā)，最大程度降低風(fēng)險并通過高級包裝開發(fā)差異化的技術(shù)和產(chǎn)品。

人工智能，自動駕駛，增強/虛擬現(xiàn)實和5G系統(tǒng)的開發(fā)人員都在尋求異構(gòu)集成（HI），以將具有不同特征尺寸和材料的多個不同組件或管芯的制造，組裝和封裝到單個設(shè)備或封裝上，提高新一代設(shè)備的性能。

集體D2W鍵合是重要的HI工藝步驟，可實現(xiàn)功能層和已知良好管芯（KGD）的轉(zhuǎn)移，以支持經(jīng)濟高效地制造新型3D-IC，小芯片以及分段和3D片上系統(tǒng)（SoC）器件。

“ 20多年來，EVG提供了工藝解決方案和專業(yè)知識來支持HI的發(fā)展，包括D2W接合，我們的技術(shù)已成功應(yīng)用于大批量制造應(yīng)用中，”企業(yè)技術(shù)開發(fā)和IP總監(jiān)Markus Wimplinger說。 EV Group。

他說：“我們的異構(gòu)集成能力中心得到了全球過程技術(shù)團隊網(wǎng)絡(luò)的支持，通過為與EVG合作的客戶和合作伙伴提供基礎(chǔ)來開發(fā)新的3D / HI解決方案和產(chǎn)品，增強了我們在這一關(guān)鍵領(lǐng)域的能力?！?“其中包括我們新的集體D2W粘結(jié)方法，在此方法中，我們展示了使用現(xiàn)有的晶片粘結(jié)和解粘，計量和清潔工藝設(shè)備以及精選的設(shè)備，能夠以高的貼裝精度和轉(zhuǎn)移率在內(nèi)部執(zhí)行所有關(guān)鍵工藝步驟的能力我們開發(fā)中的第三方系統(tǒng)伙伴。我們要感謝我們的合作伙伴在實現(xiàn)這一重要成就方面所發(fā)揮的作用和提供的支持。特別感謝IRT Nanoelec和CEA-Leti，它們都提供了用于本演示的基板?！?/p>

在單個過程中將多個管芯鍵合到晶圓需要可靠的局部多管芯鍵合技術(shù)以及最新的光學(xué)對準精度。這必須為信號輸入和輸出，功率輸入和電壓控制以及散熱和物理保護提供電氣和光子連接，以提高產(chǎn)品的可靠性。

該工藝使用具有對齊功能的定制臨時載體將已知的合格芯片（KGD）放置在載體上，并在最終鍵合工藝之前進行芯片加工。使用直接鍵合，混合鍵合，粘合劑鍵合和金屬鍵合成功地加工了此類帶有KGD的載體，使用包括硅和III-V半導(dǎo)體在內(nèi)的不同襯底材料作為鍵合伙伴。通過最終傳輸速率，掃描聲顯微鏡成像和TEM橫截面分析驗證了該過程的成功。
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