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深科技:加速國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片封測(cè)的深度國(guó)產(chǎn)化

我快閉嘴 ? 來(lái)源:愛(ài)集微 ? 作者:Candy ? 2020-10-21 09:27 ? 次閱讀
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10月20日,深科技發(fā)布投資者調(diào)研相關(guān)信息,該公司已有深圳、蘇州、惠州、東莞、成都、馬來(lái)西亞、菲律賓等產(chǎn)業(yè)基地,公司產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張,東莞三期、重慶產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目、桂林制造基地、馬來(lái)西亞二期均在建設(shè)中。

深科技作為目前國(guó)內(nèi)唯一具有從集成電路高端DRAM / Flash晶圓封裝測(cè)試到模組成品生產(chǎn)完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè),近年來(lái)持續(xù)發(fā)展先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù),深入推進(jìn)國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)項(xiàng)目,并與國(guó)內(nèi)龍頭存儲(chǔ)芯片企業(yè)開(kāi)展了全面的戰(zhàn)略合作。

據(jù)悉,深科技專注存儲(chǔ)封測(cè)16年,在存儲(chǔ)器DRAM方面具備世界最新一代的產(chǎn)品封測(cè)技術(shù),封測(cè)技術(shù)水平與國(guó)際一流企業(yè)同步;在WBGA、FBGA、FCBGA存儲(chǔ)封裝形式的工藝水平始終保持緊跟世界先進(jìn)水平,目前主力產(chǎn)品包括3D NAND,DDR4, LPDDR4等;封裝能力覆蓋存儲(chǔ)類全產(chǎn)品線,擁有精湛的多層堆疊封裝工藝技術(shù);擁有強(qiáng)大的系統(tǒng)級(jí)SiP封測(cè)能力可支持5G技術(shù),積極支持國(guó)內(nèi)自主可控的芯片封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈。可基于現(xiàn)有系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù),將不同功能不同種類的晶片整合到一個(gè)芯片內(nèi),實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)特種功能。廣泛應(yīng)用于多產(chǎn)品線與應(yīng)用行業(yè),比如5G芯片,射頻相關(guān)通訊類芯片,以及消費(fèi)電子主芯片等應(yīng)用。面對(duì)國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)芯片向高速、低功耗、大容量發(fā)展的趨勢(shì),公司繼續(xù)推動(dòng)DDR5、GDDR5等新產(chǎn)品的技術(shù)開(kāi)發(fā)。

值得關(guān)注的是,近期,深科技發(fā)布2020年度非公開(kāi)發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬非公開(kāi)發(fā)行不超89,328,225股股票,募資不超171,000萬(wàn)元,扣除發(fā)行費(fèi)用后將全部用于存儲(chǔ)先進(jìn)封測(cè)與模組制造項(xiàng)目。

據(jù)了解,本項(xiàng)目技術(shù)來(lái)源于深科技全資子公司沛頓科技自主研發(fā)與長(zhǎng)期積累,沛頓科技存儲(chǔ)芯片封裝制程采用的是當(dāng)前高端產(chǎn)品的主流技術(shù),如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統(tǒng)級(jí)SiP封裝技術(shù)等,現(xiàn)有產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)多達(dá)16層的多晶堆疊技術(shù),最大單顆芯片容量可達(dá)到256G。

目前,沛頓科技主要從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)、閃存(Flash)芯片、嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品、SSD和指紋邏輯芯片的封裝和測(cè)試業(yè)務(wù),目前主要為wBGA、DDR3、DDR4,eMCP、USB、SSD閃存芯片以及指紋邏輯芯片等提供封測(cè)服務(wù),是國(guó)內(nèi)唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲(chǔ)芯片封測(cè)到模組、成品生產(chǎn)完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

談及此項(xiàng)目的預(yù)期回報(bào),深科技表示,據(jù)公司測(cè)算,該項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值28.63億元,項(xiàng)目稅后內(nèi)部收益率為15.22%,投資稅后靜態(tài)投資回收期為7.59年。

本項(xiàng)目實(shí)施后,可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲(chǔ)芯片封測(cè)以及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù),有助于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片封測(cè)的深度國(guó)產(chǎn)化。隨著本次募投項(xiàng)目的實(shí)施,有利于打破國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)M(jìn)口產(chǎn)品的依賴和技術(shù)壁壘,加速存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程,提升國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,促進(jìn)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
責(zé)任編輯:tzh

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