ASML的EUV光刻機已成臺積電未來發(fā)展的“逆鱗”
臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
其中N7+即第二代7nm，EUV總計4層。即便如此，這也相較于多重曝光也節(jié)省了時間，提高了芯片的生產(chǎn)效率。
不過，迭代到5nm后，EUV的層數(shù)達到了14層，包括但不限于觸點、過孔以及關(guān)鍵金屬層等過程。
而最快2022年投產(chǎn)的3nm，為了實現(xiàn)15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加，ASML（阿斯麥）透露，EUV將超過20層，也就是鰭片和柵極都要引入EUV切割掩模。
阿斯麥CEO Peter Wennink表示，EUV層數(shù)增加有很多好處，比如只需要單重曝光而不是DUV設(shè)備的多重曝光，對DRAM芯片同樣如此。
為此，臺積電將需要確保EUV光刻機的安裝數(shù)量，但他們顯得非常有信心。
責(zé)編AJX
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