近日有消息稱(chēng)，蘋(píng)果已著手進(jìn)行新一代A15系列處理器開(kāi)發(fā)，預(yù)期會(huì)采用臺(tái)積電5nm加強(qiáng)版N5P制程，明年第三季開(kāi)始投片。

據(jù)傳蘋(píng)果將在A15芯片中使用臺(tái)積電的5納米技術(shù)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電及微影設(shè)備大廠ASML于上周法人說(shuō)明會(huì)透露了更多3納米細(xì)節(jié)，臺(tái)積電3納米采用鰭式場(chǎng)效電晶體FinFET架構(gòu)及極紫外光EUV微影技術(shù)，邏輯密度與5納米相較將大幅增加70%，且EUV光罩層數(shù)將倍增且超過(guò)20層。

為此，臺(tái)積電積極采購(gòu)EUV曝光機(jī)設(shè)備，未來(lái)三到五年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠，包括家登及崇越等供應(yīng)商可望受惠。

臺(tái)積電EUV微影技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋7+納米、6納米、5納米，據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺(tái)積電7+納米采用EUV光罩層最多達(dá)四層，超微新一代 Zen 3 架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。

6納米已在第四季進(jìn)入量產(chǎn)，EUV光罩層數(shù)較7+納米增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)、英特爾等大廠都將采用6納米生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

臺(tái)積電下半年開(kāi)始量產(chǎn)5納米制程，主要為蘋(píng)果量產(chǎn)A14及A14X處理器，包括超微、高通、輝達(dá)、英特爾、博通、邁威爾等都會(huì)在明年之后導(dǎo)入5納米制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

5納米EUV光罩層數(shù)最多可達(dá)14層，所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機(jī)臺(tái)設(shè)備因應(yīng)強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電明年將推出5納米加強(qiáng)版N5P制程并導(dǎo)入量產(chǎn)，后年將推出5納米優(yōu)化后的4納米制程，設(shè)備業(yè)者預(yù)期N5P及4納米的EUV光罩層數(shù)會(huì)較5納米增加。

臺(tái)積電在日前的法說(shuō)會(huì)中宣布，3納米研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期且會(huì)是另一個(gè)重大制程節(jié)點(diǎn)，與5納米制程相較，3納米的邏輯密度可增加70%，在同一功耗下可提升15%的運(yùn)算效能，在同一運(yùn)算效能下可減少30%功耗。

3納米制程采用的EUV光罩層數(shù)首度突破20層，業(yè)界預(yù)估最多可達(dá)24層。

ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink在日前法說(shuō)會(huì)中指出，5納米邏輯制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過(guò)10層，3納米制程采用的EUV光罩層數(shù)會(huì)超過(guò)20層，隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會(huì)明顯增加，并取代深紫外光DUV多重曝光制程。

臺(tái)積電5納米及3納米的EUV光罩層數(shù)倍數(shù)增加，提供EUV光罩盒EUV Pod的家登受惠最大，今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶(hù)預(yù)訂一空。

至于EUV產(chǎn)能大幅提高，代理EUV光阻液的崇越接單暢旺，訂單同樣排到明年下半年。
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