今天有個小伙伴留言說不明白 CCM 和 DCM 之間的區(qū)別，要如何區(qū)分這兩種模式，我之前在網(wǎng)絡上有看到一份關于 CCM 和 DCM 這兩者之間的判別及分析的材料，個人感覺講的還是比較到位的，所以分享出來，希望對留言的小伙伴有所幫助。

CCM 又稱為連續(xù)導通模式，顧名思義就在在一個開關周期內(nèi)，電感的電流是連續(xù)的，電流不會歸 0，如果按照專業(yè)的將就是電感從不 “復位”。

DCM 被稱為非連續(xù)導通模式，就是在開關周期內(nèi)，電感電流總會回歸到 0，也就是電感會被 “復位”。

這兩種模式在波形上有明顯的區(qū)別：

在變壓器的初級電流，CCM 模式波形為梯形波，而 DCM 模式是三角波。

在變壓器的次級整流管波形上，CCM 同樣為梯形，而 DCM 則為三角波。

在 MOS 關斷的時候，Vds 的波形顯示，MOS 上的電壓遠超過 Vin+Vf，這是因為，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那么 MOS 關斷過程中，漏感電流也是不能突變的。漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應電動勢，這個感應電動勢因為無法被次級耦合而箝位，電壓會沖的很高。那么為了避免 MOS 被電壓擊穿而損壞，我們都會在初級側(cè)加了一個 RCD 吸收緩沖電路，把漏感能量先儲存在電容里，然后通過 R 消耗掉。

當次級電感電流降到了零。這意味著磁芯中的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因為二管電流降到了零，二極管也就自動截止了，次級相當于開路狀態(tài)，輸出電壓也就不再返回初級了。由于此時 MOS 的 Vds 電壓高于輸入電壓，所以在電壓差的作用下，MOS 的結電容和初級電感發(fā)生諧振。諧振電流給 MOS 的結電容放電。Vds 電壓開始下降，經(jīng)過 1/4 之一個諧振周期后又開始上升。由于 RCD 箝位電路以及其它寄生電阻的存在，這個振蕩是個阻尼振蕩，幅度越來越小。

F1 比 F2 大很多（從波形上可以看出），這是由于漏感一般相對較??；同時由于 F1 所在回路阻抗比較小，諧振電流較大，所以能夠很快消耗在等效電阻上，這也就是為什么 F1 所在回路很快就諧振結束的原因。

MOS 管在開通和關斷瞬間寄生參數(shù)對波形影響：

DCM(Vds，Ip)

CCM（Vds，Ip）

次級輸出電壓（Vs，Is ,Vds）

不管是在 CCM 模式還是 DCM 模式，在 MOSFET 開通 ON 時刻，變壓器副邊都有震蕩。主要原因是初次及之間的漏感+輸出肖特基（或快恢復）結電容+輸出電容諧振引起，在 CCM 模式下與肖特基的反向恢復電流也一些關系。故一般在輸出肖特基上并聯(lián) - 一個 RC 來吸收，使肖特基應力減小。

不管是在 CCM 模式還是 DCM 模式，在 MOSFET 關斷 OFF 時刻，變壓器副邊電流 IS 波形都有一些震蕩。主要原因是次級電感+肖特基接電容+輸出電容之間的諧振造成的。

RCD 吸收電路對 Vds 的影響

在 MOS 關斷的時候，Vds 的波形顯示，MOS 上的電壓遠超過 Vin+Vf！這是因為，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那么 MOS 關斷過程中，漏感電流也是不能突變的。漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應電動勢，這個感應電動勢因為無法被次級耦合而箝位，電壓會沖的很高。那么為了避免 MOS 被電壓擊穿而損壞，所以我們在初級側(cè)加了一個 RCD 吸收緩沖電路，把漏感能量先儲存在電容里，然后通過 R 消耗掉。

審核編輯 黃昊宇