91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

淺談均流技術(shù)

454398 ? 來源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-11-30 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

我們經(jīng)常使用的均流技術(shù)有 6 種,分別為:

1. 改變單元輸出內(nèi)阻法(斜率控制法);

改變單元輸出內(nèi)阻法有兩種方式:一是固定輸出電壓,然后改變斜率,另一個是固定斜率,然后改變輸出電壓

2. 主 / 從控制法(master/slave);

這種方法采用的是讓其中一個單元作為主控制單元,工作在電壓源(CV)方式下,其余的電源單元工作于電流源(CC)方式,從而采用輸出電流的誤差電壓△U 來實現(xiàn)均流控制。簡單的說就是電壓控制電流,這種均流模式有個致命的缺點,就是如果主控制單元有故障,那么整個電源系統(tǒng)就會奔潰掉。

3. 外部控制電路法;

外部控制電路法是在每一個電源上加一個輸出電流檢測電路來檢測它的電流,從而產(chǎn)生的反饋信號調(diào)節(jié)每個單元的電流,從而達(dá)到各單元間輸出均流的目的。這個技術(shù)需要每個單元間都要有公共總線,這也就導(dǎo)致了如果單元線路多了,那么電源系統(tǒng)之間的連線就越來越多,導(dǎo)致后期工作量成倍增加。

4. 平均電流型自動負(fù)載均流法;

平均電流這種均流方式采用一個窄帶電流放大器,輸出端通過阻值為 R 的電阻連到均流母線上,n 個單元采用 n 個這種結(jié)構(gòu)

當(dāng)輸出達(dá)到均流時,電流放大器輸出電流 I1 為零,這時 IO1 處于均流工作狀態(tài)。反之,在電阻 R 上產(chǎn)生一個 Uab,由這個電壓控制 A1,由 A1 再控制單元功率級輸出電流,最終達(dá)到均流。

這種均流模式可實現(xiàn)精準(zhǔn)的均流,效果較好。

5. 最大電流自動均流法(自動主 / 從法、民主均流法);

最大均流法是利用所有電源中最大輸出電流單元控制,有點類似上面說的主 / 從控制系統(tǒng),但是不同的是最大電流控制法中這個最大電流單元是隨機的,而主 / 從控制法中的主控是人為設(shè)定的,當(dāng)然缺點還是存在的。

6. 強迫均流法

所謂強迫均流法就是通過計算機軟件也就是編程或硬件控制來達(dá)到均流目的的技術(shù)。

軟件控制優(yōu)點就是調(diào)節(jié)后的均流效果好,但是均流響應(yīng)過程有點慢,要通過軟件逐步調(diào)節(jié)電源之間的均流值。

硬件控制是采用取樣電壓與系統(tǒng)基準(zhǔn)電壓相比較產(chǎn)生誤差電壓,然后將誤差電壓送至每個模塊,與模塊電流相比較,調(diào)節(jié)模塊參考電壓,從而改變輸出電壓,調(diào)節(jié)輸出電流,實現(xiàn)均流。這種模式是目前應(yīng)用最為廣泛的一種均流技術(shù)。

審核編輯黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 均流技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    6

    瀏覽量

    6252
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    PC5502負(fù)載控制電路數(shù)據(jù)手冊

    PC5502是一款先進、高性能、低成本的負(fù)載控制芯片,可以實現(xiàn)多個獨立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務(wù)器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中,也適用于N+1冗余系統(tǒng)或并聯(lián)電源
    發(fā)表于 12-19 15:48 ?27次下載

    數(shù)字化開關(guān)電源模塊并聯(lián)技術(shù)解析

    參數(shù)會有所差異,電源模塊并聯(lián)造成了各個模塊電應(yīng)力和熱應(yīng)力不同,大大降低了整個電源系統(tǒng)的可靠性運行。為了保證各個模塊所受到的電應(yīng)力和熱應(yīng)力基本相同,需要對并聯(lián)模塊采用并聯(lián)技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:28 ?1.9w次閱讀
    數(shù)字化開關(guān)電源模塊并聯(lián)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    SiC MOSFET并聯(lián)及串?dāng)_抑制驅(qū)動電路的研究

    SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時高速開關(guān)動作引發(fā)的串?dāng)_問題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運行本文主要針對并聯(lián)和串?dāng)_抑制問題展開研究.第一部分首先對SiC MOSFET電
    發(fā)表于 08-18 15:36 ?1次下載

    替代UCC29002高性能負(fù)載控制器具有高邊或低邊電流檢測功能

    產(chǎn)品描述:(替代UCC29002)PC5502是一款先進、高性能、低成本的負(fù)載控制芯片,可以實現(xiàn)多個獨立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務(wù)器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中,也
    發(fā)表于 07-31 10:20

    超快恢復(fù)二極管器件串并聯(lián)導(dǎo)致問題分析

    ,工程師往往采用器件串聯(lián)或并聯(lián)的方式。然而,若忽視器件之間的特性差異及配套設(shè)計,容易引發(fā)問題,最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯(lián)應(yīng)用中的壓挑戰(zhàn)當(dāng)需要承
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:29 ?926次閱讀
    超快恢復(fù)二極管器件串并聯(lián)導(dǎo)致<b class='flag-5'>均</b>壓<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>問題分析

    快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計:與應(yīng)用挑戰(zhàn)

    實現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會面臨壓、以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用:提高耐壓能力問題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓(VRRM)通常
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:56 ?1070次閱讀
    快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計:<b class='flag-5'>均</b>壓<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與應(yīng)用挑戰(zhàn)

    激光焊接技術(shù)在焊接溫板的工藝應(yīng)用

    溫板作為高性能散熱器件,其內(nèi)部真空密封性、結(jié)構(gòu)精度及熱傳導(dǎo)效率直接影響電子設(shè)備的熱管理性能。激光焊接技術(shù)憑借非接觸加工、高能量密度及局部熱輸入的特點,成為溫板制造中實現(xiàn)精密密封與微結(jié)構(gòu)連接的核心
    的頭像 發(fā)表于 07-04 13:52 ?724次閱讀
    激光焊接<b class='flag-5'>技術(shù)</b>在焊接<b class='flag-5'>均</b>溫板的工藝應(yīng)用

    并聯(lián)MOSFET設(shè)計指南:、寄生參數(shù)與熱平衡

    的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計并非簡單的“多加幾個”過程,必須考慮到、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設(shè)計中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:03 ?913次閱讀
    并聯(lián)MOSFET設(shè)計指南:<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>、寄生參數(shù)與熱平衡

    比:你了解多少?

    比,或稱峰值因數(shù)(crestfactor),簡稱PAR(peak-to-averageratio),或叫峰功率比(簡稱PARR,peak-to-averagepowerratio)。先說
    的頭像 發(fā)表于 07-02 17:32 ?3086次閱讀
    峰<b class='flag-5'>均</b>比:你了解多少?

    基于細(xì)胞微控的阻抗測試解決方案

    基于細(xì)胞微控的阻抗測試技術(shù),作為一種新興的技術(shù),結(jié)合了微控芯片技術(shù)與電阻抗譜(EIS)技術(shù),
    的頭像 發(fā)表于 07-02 11:07 ?1279次閱讀
    基于細(xì)胞微<b class='flag-5'>流</b>控的阻抗測試解決方案

    并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計中的MDD快恢復(fù)整流器:與耐壓怎么搞?

    會考慮將快恢復(fù)整流器進行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計。但看似簡單的“疊加”,實際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn),尤其是壓控制問題。本文將深入剖析快恢復(fù)整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用中
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:31 ?694次閱讀
    并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計中的MDD快恢復(fù)整流器:<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與耐壓怎么搞?

    SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)問題

    在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)問題。
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:33 ?2568次閱讀
    SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>問題

    SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)的基本要求和注意事項

    通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)的基本要求和注意事項。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:52 ?1831次閱讀
    SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>的基本要求和注意事項

    OPA541并聯(lián)不均

    使用手冊推薦的OPA541并聯(lián)電路時,當(dāng)VIN給負(fù)電平時,主從,當(dāng)VIN給正點是主運放輸出全部電流,從運放未輸出電流
    發(fā)表于 04-02 17:05

    MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何與提高耐壓能力?

    電力電子電路設(shè)計,有時單個整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時需要解決問題,串聯(lián)時要保證壓,否則會導(dǎo)致器件提前失效
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:45 ?3028次閱讀
    MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與提高耐壓能力?