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芯片破壁者(4):兵戈未息的DRAM戰(zhàn)場

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2020-10-30 11:13 ? 次閱讀
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在《芯片破壁者》系列的前三篇中,我們依次講述了晶體管、硅材料、光刻技術(shù)的時代變局。

至此,制造一塊集成電路(IC)芯片的前期準(zhǔn)備已經(jīng)就緒。接下來就是大家熟悉的劇情,半導(dǎo)體作為基石,成就了今天無處不在、繁花似錦的網(wǎng)絡(luò)世界。

而在眾多半導(dǎo)體芯片分支當(dāng)中,計算機(jī)必不可少的存儲器,就如同宇宙的暗物質(zhì)一樣隱秘,卻占據(jù)著非常重要的位置。

說它隱秘,是因為在電腦硬件的發(fā)展史中,存儲器所引發(fā)的市場輿論與處理器、顯卡等相比,用“默默無聞”形容也不過分。

然而,沉默并不代表不重要,事實上,作為市場容量最大的芯片存儲器, 圍繞 DRAM 所發(fā)生、你死我活的搏殺,絕對算得上“驚心動魄”。舉個例子,開創(chuàng) DRAM 產(chǎn)業(yè)的“三巨頭”:英特爾、德州儀器和 IBM,最終都在 DRAM 市場慘淡收場。

DRAM 不僅對電子技術(shù)的發(fā)展起到了推動作用,更在各國半導(dǎo)體戰(zhàn)爭中扮演著舉足輕重的角色。今天,我們不妨嗅著戰(zhàn)火硝煙的氣息,回歸那些令人唏噓的歷史現(xiàn)場。

星條旗的隕落:美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭的側(cè)影

當(dāng)我們回過頭去,分析一個締造了 DRAM 商業(yè)傳奇的國家產(chǎn)業(yè)區(qū)位是如何從興盛走向衰頹,可以找到許多重要的歷史節(jié)點。比如許多人都將 1970 年代看做是美國 DRAM 產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點,也是從此時起,美日進(jìn)入了曠日持久的半導(dǎo)體搶位賽。

但我更想將時間撥到 60 年代。在邁進(jìn)光輝的 70 年代之前,德州儀器用行動證明了列寧的一句話——資本家為了利益,可以出賣絞死自己的繩子。

這根絞死美國 DRAM 市場主導(dǎo)權(quán)的繩子,就是 DRAM 專利。

在此之前,美國企業(yè)之間固然有競爭,但都收獲頗豐。

不論是發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管來制作存儲器芯片的 IBM,還是制造出第一個商用 DRAM 芯片、磁芯存儲器殺手 C1103 的英特爾,緊隨其后進(jìn)行拆解仿制的德州儀器,亦或是由德州儀器出走的工程師成立的莫斯泰克……上世紀(jì) 70 年代,是這些美國 DRAM 廠商的黃金時代,它們壟斷了全球的半導(dǎo)體存儲器份額。

1974 年,英特爾占據(jù)了全球 82.9%的 DRAM 市場份額。70 年代后期,莫斯泰克 64K 容量的 MK4164 一度占據(jù)了全球 DRAM 市場 85%的份額。

(莫斯特克 4K DRAM)

但產(chǎn)業(yè)失敗轉(zhuǎn)移的伏筆,其實早在 1966 年就已經(jīng)埋下。

那一年,美國德州儀器為了打開貿(mào)易保護(hù)的日本市場,以自己擁有的 IC 制程核心專利進(jìn)行引誘。日本通產(chǎn)省在拿到技術(shù)與保護(hù)本國市場之間絞盡腦汁,最終在兩年后由日本索尼與德州儀器簽訂了協(xié)議,同意美方在日本設(shè)立合資公司,雙方各占股 50%,條件是三年內(nèi),德州儀器必須向日本公開相關(guān)技術(shù)專利。

原本就在集成電路領(lǐng)域有所部署的日本半導(dǎo)體企業(yè),拿到了夢寐以求的核心技術(shù),這下還猶豫什么?“搏一搏,單車變摩托”!

日本內(nèi)存行業(yè)龍頭的 NEC 公司,很快成為日本第一家研制出 DRAM 內(nèi)存的企業(yè)。1970 年,英特爾研制出 C1103 1K DRAM 內(nèi)存后,日本 NEC 在第二年就推出了采用 NMOS 工藝的 1K DRAM 內(nèi)存。

當(dāng)然,此時的美國在技術(shù)上依然擁有超強(qiáng)的領(lǐng)先優(yōu)勢。同期,美國 DRAM 已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路(VLSI),而日本還停留在上一代技術(shù)大規(guī)模集成電路(LSI)。

這樣下去當(dāng)然不行,于是日本政府大手一揮,1976 年 3 月啟動了"DRAM 制法革新"國家項目。政府出資 320 億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業(yè)聯(lián)合籌資 400 億日元,共計 2.36 億美元投入到國家性科研機(jī)構(gòu)——“VLSI 技術(shù)研究所”中。

項目成立后,800 多名技術(shù)精英加入,共同研制日本的高性能 DRAM 制程設(shè)備。短期目標(biāo)是突破 64K DRAM 和 256K DRAM 的實用化,長期則計劃在 10-20 年內(nèi),實現(xiàn) 1M DRAM 的實用化。

“氪能改命”在半導(dǎo)體的世界也同樣適用?;ㄗ懔隋X的日本很快追上了美國的技術(shù)腳步,1978 年,美國 IBM、莫斯泰克、德州儀器發(fā)布了 64K DRAM 大規(guī)模集成電路產(chǎn)品。同一時刻,日本的 64K DRAM 產(chǎn)品也問世了。日本也借此順利打入國際市場,集成電路的出口迅速增加。

也是由此時起,日本在 DRAM 市場的霸主地位逐步穩(wěn)固。

1985 年 10 月,英特爾宣布退出 DRAM 市場,關(guān)閉了生產(chǎn) DRAM 的七座工廠,離開舞臺。

1986 年,美日簽訂第一次《美日半導(dǎo)體協(xié)議》時,美國半導(dǎo)體產(chǎn)品在日本市場占有率被放寬到了 20%。但此時的日本早已非吳下阿蒙,憑借此前積累的技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢,順利抵抗住了美國制裁。

也是在這一年,日本 NEC 開發(fā)出世界第一塊 4M DRAM。到了 1988 年,全球 20 大半導(dǎo)體廠商中,日本占據(jù)了 11 家,NEC、東芝、日立包攬了前三名,將摩托羅拉、德州儀器甩在了身。次年,IBM 也將合資工廠出售給東芝,退出了 DRAM 市場。

至此,星條旗降下 DRAM 的桅桿,武士刀正式稱王,日本成為世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國。

有意思的是,NEC 率領(lǐng)的日本軍團(tuán)在 70 年代末殺入,擊碎了美國企業(yè)在 DRAM 領(lǐng)域的光環(huán)。但英特爾放棄 DRAM、轉(zhuǎn)入代表未來的微處理器領(lǐng)域,也是受日本企業(yè)的啟發(fā)。1970 年,在英特爾的高光時刻,一個日本電腦商 Busicom 前來下訂單,要定制一個包含 ROM、RAM 和 CPU 等 12 個芯片的處理系統(tǒng),并預(yù)付了 6 萬美元。正是這份技術(shù)含量頗高的訂單,促使英特爾在當(dāng)年相繼拿出了 4001(動態(tài)內(nèi)存 DRAM)、4002(只讀存儲器 ROM)、4003(寄存器)、4004(微處理器 CPU)等四顆芯片,為后來開發(fā)出 8008 微處理器奠定了基礎(chǔ)。

生與死,協(xié)作與博弈,就這樣以沉默的姿態(tài),在時代的長河中被反復(fù)沖刷。有的沉積為河床,有的繼續(xù)向前奔涌。

武士刀的夾擊:小紅靠捧,大紅靠命

向前奔涌的 DRAM 領(lǐng)域“后浪”日本,并沒能浪出多遠(yuǎn)。

短短兩年后,日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場份額就滑落到了 50%以下。這種令業(yè)界咋舌的速度,來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)外的雙重夾擊。

在內(nèi)部,率先交付 4M DRAM 產(chǎn)品的日本企業(yè)并沒有像預(yù)期的那樣轉(zhuǎn)暖,市場價格花羅,日系廠商們不得不減產(chǎn)來穩(wěn)定物價。

這邊日本在減產(chǎn),而日本扶持的韓國廠商則抓住機(jī)會,三星、現(xiàn)代、LG 和大宇全部安排資金,進(jìn)入了 DRAM 領(lǐng)域。它們的核心策略就是——價格戰(zhàn)!

1983 年,三星集團(tuán)出資 1000 億韓元(約 1.33 億美元),進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并聚焦在 DRAM 領(lǐng)域。資金到位了,技術(shù)從哪里來呢?德州儀器、摩托羅拉等家大業(yè)大,當(dāng)然不需要賣技術(shù);日本 NEC、東芝、日立等公司也不可能自掘墳?zāi)埂W詈?,是在被在日本廉價 DRAM 產(chǎn)品的擠壓中喘息的美光科技將 64K DRAM 的技術(shù)授權(quán)給了韓國三星。

“專利販子”三星又從夏普買來了量產(chǎn)制程設(shè)備,就此上位。

產(chǎn)品做了還要有出路。1986 年,受美日半導(dǎo)體協(xié)議的約束,日本企業(yè)被迫縮減對美國的出口,三星也在此時上位,在美國市場大獲成功。次年實現(xiàn)盈利后,三星又積極投入到 1M DRAM 的研發(fā),繼續(xù)追趕日本企業(yè)。

日本企業(yè)一想,價格戰(zhàn)誰不會。果斷以低于韓國產(chǎn)品成本一半的價格大量拋售,打算以此勸退韓國企業(yè)。結(jié)果韓國最不缺的就是財團(tuán),它們懷抱著“傷敵一千、自損八百”的氣勢,跟日本硬剛,不僅抗住了巨額的虧損,還繼續(xù)追加投資。

一通操作下來,韓國半導(dǎo)體企業(yè)沒有被逼退,反而具備了趕超日本的技術(shù)體系。1992 年的時候,韓國三星就率先推出了全球第一個 64M DRAM 產(chǎn)品,超越日本 NEC 成為世界第一大 DRAM 內(nèi)存制造商,從此就沒下來過。

1995 年,微軟即將發(fā)布 Windows 95 操作系統(tǒng),日本 DRAM 廠商試圖借此契機(jī)反攻,奪回王座。

結(jié)果一邊是韓國廠商一起擴(kuò)張產(chǎn)能,導(dǎo)致 DRAM 價格狂跌,日本廠商布局了個寂寞;接下來,1997 年的亞洲金融危機(jī)又加重了市場衰退,全球 DRAM 晶圓廠都面臨虧損風(fēng)險。一朝被蛇咬的日本廠商,自然不敢繼續(xù)追加投資。

日本的步伐一保守,韓國廠商就開始高歌猛進(jìn)。1996 年時,韓國三星電子的 DRAM 芯片出口額達(dá)到 62 億美元,穩(wěn)居世界第一。

從此,日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)可說是一蹶不振。富士通、東芝等相繼退出了 DRAM 市場,NEC、日立、三菱則將 DRAM 部門合并成立爾必達(dá),希望以此對抗三星。

結(jié)局大家也都知道了,2012 年爾必達(dá)的破產(chǎn),正式敲響了日本 DRAM 企業(yè)的喪鐘。

泡菜的滋味,海峽兩岸都想了解

美國的扶持,為韓國廠商帶來了崛起的機(jī)遇,也埋下了致命的隱患。

一是核心供應(yīng)鏈?zhǔn)苤朴谌恕?994 年,韓國政府推出了半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化項目,總預(yù)算 2000 億韓元(2.5 億美元),鼓勵韓國企業(yè)投資設(shè)廠,搭建自主的設(shè)備和原料供應(yīng)鏈。完整的產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)然不能一蹴而就,僅 1995 年,韓國就從美國和日本進(jìn)口了價值 25 億美元的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

二是商業(yè)模式難以為繼。長期價格戰(zhàn)的結(jié)果就是,韓國 DRAM 廠商背負(fù)著巨額債務(wù)前行,自然成也資本,敗也資本。在 1997 亞洲金融危機(jī)中成功逼退日本廠商的同時,韓國企業(yè)的平均負(fù)債也達(dá)到了 518%。但很快,建立在資本沙石上的韓國 DRAM 產(chǎn)業(yè)也開始搖搖欲墜,現(xiàn)代、大宇等財團(tuán)瀕臨破產(chǎn),三星也不得不裁員 30%、拋售資產(chǎn)。

在這種境況下,三星還是拒絕了歐美收購三星電子的提議,變賣更多資產(chǎn)留住了半導(dǎo)體的火種。

神奇的事情又來了,將 16K/64K SRAM 技術(shù)轉(zhuǎn)讓給韓國現(xiàn)代電子的陳正宇博士,在 1984 年回到中國臺灣,創(chuàng)建了茂矽電子(Mosel)。此時,雖然整個臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)值只有 3.82 億美元,但依然在積極布局產(chǎn)業(yè)板塊的下一次位移。

另一個重要的人員變動,是 1985 年,時任德州儀器副總裁的張忠謀回到臺灣設(shè)立 IC 代工廠,解決茂矽等 DRAM 廠商缺少生產(chǎn)的難題。1987 年,臺積電成立;同年,華邦電子成立,與茂矽共享技術(shù)成果。

放在現(xiàn)在來看,臺灣在當(dāng)時并不缺人,美國半導(dǎo)體企業(yè)敗退后,一大批硅谷華人也選擇了回臺灣創(chuàng)業(yè),這些研究人員支撐起了臺灣半導(dǎo)體的技術(shù)天定;也并不缺錢,1990 年,臺灣砸 58.8 億元(約 2 億美元)啟動了“次微米制程技術(shù)發(fā)展五年計劃”,以拿下 4M SRAM 和 16M DRAM 的生產(chǎn)能力。

產(chǎn)業(yè)界的參與熱情也十分高漲,1993 年,臺灣灣電腦主板生產(chǎn)廠力捷電腦的董事長黃崇仁向日本東芝要貨(DRAM)被拒,就決定投資 4 億新臺幣成立了力晶半導(dǎo)體。1995 年,臺灣龍頭企業(yè)臺塑集團(tuán)也設(shè)立了 8 英寸 DRAM 廠。

但目前來看,臺灣 DRAM 廠商的技術(shù)主要來自于美國、日本的授權(quán),盡管生產(chǎn)成本低,但技術(shù)費用卻很高,占到了銷售額 3%以上。

從日本、美國獲得制程技術(shù)授權(quán)。每年付出的技術(shù)費用,再加上巨額進(jìn)口設(shè)備投資,使得臺灣企業(yè)根本無法與掌握自主技術(shù)研發(fā)能力的韓國企業(yè)競爭。世界先進(jìn)的垮臺,最終導(dǎo)致如同無根之木,注定了失敗命運。

在技術(shù)方面缺乏自主研發(fā)能力,成為勒住臺灣 DRAM 產(chǎn)業(yè)脖頸的繩索。

當(dāng)然,美日韓等一系列全球 DRAM 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性變化中,中國存儲廠商的動作也同樣精彩。

落地到產(chǎn)業(yè)競逐機(jī)遇上,移動端與大數(shù)據(jù)、AI、云計算等新產(chǎn)業(yè)的興起,正在給 DRAM 領(lǐng)域帶來新的技術(shù)更迭。

比如能耗上如何滿足數(shù)據(jù)中心的綠色需求、降低移動設(shè)備的耗電量,容量增長速度滿足商用需求等等,在產(chǎn)業(yè)洗牌的同時,也成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆襲的“終南捷徑”。這部分,我們將放在本系列的單獨篇章中著重筆墨去講解。

在中國大陸、中國臺灣的積極進(jìn)取之下,韓國 DRAM 廠商必將在一段時間內(nèi),都處于危機(jī)感在線的緊張時期。

下一站:DRAM 的威懾紀(jì)元

至此我們不難從 DRAM 產(chǎn)品上看到半導(dǎo)體行業(yè)的破局之難:

有技術(shù)不行,沒有技術(shù)更不行。存儲器產(chǎn)品設(shè)計相對簡單,日本廠商作為新進(jìn)者能夠很快與技術(shù)領(lǐng)先的美國軍團(tuán)相匹敵,是國際貿(mào)易政策、國內(nèi)產(chǎn)業(yè)環(huán)境、企業(yè)文化氛圍等等共同造就的。

光投資不行,沒有投資更不行。DRAM 每一次制程的更新?lián)Q代,都需要大量的投入,所以日本、韓國等的產(chǎn)業(yè)集群上位,都離不開“舉國體制”的資本輸血。比如日本政府就為半導(dǎo)體企業(yè)提供了高達(dá) 16 億美元的巨額資金,韓國研發(fā) 4M DRAM 時政府承擔(dān)了 57%的研發(fā)費用,用三年時間追平了與日本的技術(shù)差距。

但即便舍得投資,在缺乏專利、技術(shù)自主等的背景下,追趕依然是一件難事。

價格戰(zhàn)不行,沒有價格優(yōu)勢也不行。成本可以隨著產(chǎn)量規(guī)模的來彌補(bǔ),但制程的微縮、技術(shù)的迭代,會讓價格成本搶奪出的市場空間逐漸縮小,長期的多方位扶持是必不可少的。

三星在 90 年代連續(xù) 9 年巨虧,韓國政府和國內(nèi)財團(tuán)的資金支持(提供政策性貸款)就起到了關(guān)鍵的輸血作用。

總的來看,技術(shù)密集+資本密集的產(chǎn)業(yè)特性,企業(yè)發(fā)力+政府支撐的進(jìn)擊需求,交織出了 DRAM 集成電路產(chǎn)業(yè)群的殘酷搏殺。

在這些前提條件的基礎(chǔ)上,是否能像日本這樣有長期在美國頂尖實驗室工作的電子人才,像韓國遇到美日半導(dǎo)體爭端那樣的歷史窗口,像全球大型計算機(jī)興起的產(chǎn)業(yè)推動,才有可能獲得一次登上王座的機(jī)會。

十萬年前,人類的祖先為了留下信息,在石頭上砸出刻痕,從此,存儲方式就成為信息技術(shù)的支柱。而 DRAM 產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)半個世紀(jì)的區(qū)位變化,除了技術(shù)本身的競逐,也是經(jīng)濟(jì)與政治的博弈。這是一場真正的,現(xiàn)代戰(zhàn)爭。

審核編輯 黃昊宇

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    :RS485轉(zhuǎn)EtherCAT網(wǎng)關(guān)在包裝機(jī)械領(lǐng)域的革新實踐 在工業(yè)自動化系統(tǒng)集成中,協(xié)議不通如同語言障礙,讓設(shè)備間協(xié)同效率大打折扣。某食品包裝企業(yè)就遭遇了這樣的困境:其核心包裝機(jī)采用倍福PLC
    的頭像 發(fā)表于 11-07 10:24 ?316次閱讀
    <b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b><b class='flag-5'>者</b>:RS485轉(zhuǎn)EtherCAT網(wǎng)關(guān)在包裝機(jī)械領(lǐng)域的革新實踐

    關(guān)于一款SQ805加熱機(jī)無法啟動的維修

    機(jī)故障,開機(jī)指示燈全亮,復(fù)位正常,然后按選擇也正常再按啟動沒有反映,無法啟動。拆開檢查電源正常,溫度傳感器正常,就是無法進(jìn)入工作狀態(tài),把控制電路板單獨拆下來,發(fā)現(xiàn)控制芯片與按鍵以及LED在一塊板
    發(fā)表于 11-03 14:40

    激光焊接技術(shù)在焊接機(jī)底座工藝中的應(yīng)用

    機(jī)底座作為承載高速電機(jī)與刀組的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件,其焊接質(zhì)量直接影響整機(jī)運行的穩(wěn)定性、噪音控制及使用壽命。面對食品接觸級不銹鋼材料的加工要求以及復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)的密封挑戰(zhàn),激光焊接技術(shù)憑借其高精度、低變形
    的頭像 發(fā)表于 10-20 16:26 ?630次閱讀
    激光焊接技術(shù)在焊接<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)底座工藝中的應(yīng)用

    廣州唯創(chuàng)電子WTN6040-8S語音芯片:為智能機(jī)注入清晰“聲”命力

    在智能家居深入千家萬戶的今天,廚房小電的智能化升級已成為重要趨勢。作為健康飲食的好幫手,機(jī)正從單一功能向智能交互體驗邁進(jìn)。廣州唯創(chuàng)電子推出的WTN6040-8S高性能語音芯片,以其清晰的音質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 08:41 ?808次閱讀
    廣州唯創(chuàng)電子WTN6040-8S語音<b class='flag-5'>芯片</b>:為智能<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)注入清晰“聲”命力

    仞科技榮獲WAIC 2025卓越人工智能引領(lǐng)

    近日,2025世界人工智能大會暨人工智能全球治理高級別會議(WAIC 2025)主論壇上,備受矚目的人工智能界“奧斯卡”正式揭曉。由曦智科技、仞科技、中興通訊聯(lián)合打造的“分布式OCS全光互連芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-01 15:19 ?1914次閱讀

    低噪革命!FOC 算法賦能無刷機(jī)方案新飛躍

    刷電機(jī)驅(qū)動技術(shù)的引入,更是讓機(jī)在性能、效率以及用戶體驗上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。本文將從電機(jī)特性、功率表現(xiàn)、噪音控制等方面,深入剖析220V無刷電機(jī)驅(qū)動機(jī)的驅(qū)動方案,重點突出低速大扭矩
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:04 ?482次閱讀
    低噪革命!FOC 算法賦能無刷<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)方案新飛躍

    其利天下·無刷機(jī)驅(qū)動方案介紹

    隨著生活節(jié)奏的加速,現(xiàn)代人越來越注重健康飲食,料理機(jī)逐漸成為了家庭廚房中必備的一款小家電。在當(dāng)下機(jī)市場,產(chǎn)品性能和品質(zhì)已然成為各廠商角逐市場份額的關(guān)鍵因素。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 19:03 ?1017次閱讀
    其利天下·無刷<b class='flag-5'>破</b><b class='flag-5'>壁</b>機(jī)驅(qū)動方案介紹