本應用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數據表中使用的參數定義。本文檔介紹了基本額定值和特性，例如溫度，能量，機械數據以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹了數據手冊中包含的圖形以及功率MOSFET的一些等效圖。

IXYS為數據表提供的參數對于選擇合適的器件以及重新檢測其在應用中的性能至關重要。數據表中包含的圖表代表典型的性能特征，可用于從一組工作條件推斷出另一組工作條件。功率MOSFET通常包含一個體二極管，該二極管在感性負載開關中提供“續(xù)流”操作。圖1顯示了N溝道和P溝道功率MOSFET的等效電路。

圖1（a）一個N溝道（b）一個P溝道增強模式功率MOSFET

基本額定值和特征

最高評分

額定值是設備的極限值，在整個工作條件范圍內有效。

溫度

結溫TJ和TJM –在大多數情況下，結溫（TJ）的范圍是-55?150?C，這是設備可以連續(xù)工作的允許溫度范圍。除非另有說明（某些情況下為175°C），否則最高結溫（TJM）為150°C。結溫會改變功率MOSFET的電參數，例如，在非常低的溫度（<-55?C）下，該器件會失去其功能，而在非常高的溫度下，該器件的閾值電壓會非常低，漏電流會變得非常高。這也可能導致器件內的熱量以很高的值散失。

儲存溫度TStg –是儲存或運輸設備的溫度范圍，必須在-55?150?C之間

引線溫度TL –這是焊接過程中的最高引線溫度，距離外殼1/8“時，在10秒鐘內不得超過300?C

功耗PD

功耗是器件可以耗散的最大計算功率，并且是最大結溫和外殼溫度TC25?C時的熱阻的函數。

當前的

連續(xù)導通狀態(tài)漏極電流ID25 –這是器件在外殼溫度（TC）25?C時的最大額定電流。它是根據最大功耗，最大導通電阻和導通電阻的溫度依賴性來計算的。引線的當前處理能力可能會限制它。

最大引線電流IDRMS –這是在25°C的外殼溫度下設備引線的最大電流額定值。

最大峰值導通狀態(tài)漏極電流IDM –這是器件在最高結溫下可以流過ID25規(guī)格以上的峰值電流。它隨電流脈沖寬度，占空比和散熱條件而變化。

二極管正向電流為–這是二極管在指定的外殼溫度下可沿正向流動的最大DC電流。

最大二極管正向電流ISM –這是二極管在最大結溫下可以流過IS規(guī)范以上的峰值電流。

電壓

最大漏極-源極電壓VDSS –最大漏極-源極電壓定義了這一點，而不會導致柵極-源極短路（VGS = 0）且器件處于25?C時發(fā)生雪崩擊穿。雪崩擊穿電壓取決于溫度，并且可能小于BVDSS額定值。

Maxim Gate-Source Voltage +/- VGS –這是可以在柵極和源極之間引入的最大電壓。這取決于柵氧化層的厚度和特性。實際的柵極氧化耐受電壓通常遠高于此值，但會因制造工藝而變化，因此，保持在此額定值范圍內可確保應用可靠性。

斷態(tài)電壓的最大上升速率（dv / dt）–定義為整個器件上的斷態(tài)電壓的最大允許上升速率。

雪崩能量（用于雪崩設備）

雪崩漏極電流，重復性IAR –對于功率MOSFET，雪崩期間芯片區(qū)域電流擁擠的繁榮要求限制雪崩電流。它表示設備的雪崩能量規(guī)格和設備的真實功能。

最大重復雪崩能量，單脈沖EAR –連續(xù)運行時的最大允許反向電壓擊穿能量，同時遵守最大允許芯片溫度。散熱限制了雪崩能量。

最大非重復雪崩能量，EAS –連續(xù)操作時的最大允許反向電壓擊穿能量，同時遵守最大允許芯片溫度。散熱限制了雪崩能量。

機械數據

機械制圖–這為設備的機械尺寸提供了包裝信息。

重量–這提供了帶有包裝的設備的重量信息。

安裝扭矩Md –提供最大允許安裝在設備上的扭矩。

基本曲線定義

圖2（a）一個N溝道（b）一個P溝道增強模式功率MOSFET

輸出特性

圖2顯示了N溝道功率MOSFET的典型輸出特性，其中描述了不同的工作模式。在截止區(qū)域中，柵極-源極電壓（VGS）小于柵極閾值電壓（VGS（th）），并且器件處于開路或關斷狀態(tài)。在歐姆區(qū)域，該器件用作電阻，其導通電阻RDS（on）幾乎恒定，并且等于VDS / IDS。在線性工作模式下，該器件在“電流飽和”區(qū)域工作，該區(qū)域的漏極電流（Ids）是柵極-源極電壓（Vgs）的函數，并由下式定義：

其中，K是取決于溫度和器件幾何形狀的參數，而gfs是電流增益或跨導。當漏極電壓（VDS）增大時，正漏極電勢與柵極電壓偏置相對，并降低了溝道中的表面電勢。溝道反轉層電荷隨著VDS的增加而減少，最終，當漏極電壓等于（VGS-VGS（th））時，電荷變?yōu)榱?。該點稱為“通道收縮點”，在該點上，漏極電流變得飽和。

編輯：hfy