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如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:powerelectronicsnews ? 作者:powerelectronicsnews ? 2021-03-22 13:00 ? 次閱讀
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在現(xiàn)代時(shí)代,隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車(chē)充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[2] [3]。WBG(寬帶隙)器件具有低損耗,快速切換能力和非常好的熱穩(wěn)定性,因此可以滿(mǎn)足所有這些要求,但是由于成本高,這些器件并未廣泛用于開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換器[4]。SiC MOSFET的成本是其兩倍,但與Si IGBT相比,它的高電流范圍是其8倍。為了減少成本問(wèn)題,現(xiàn)在的重點(diǎn)是混合Si和SiC器件。在[5]中,介紹了一種三級(jí)兩級(jí)解耦有源中性點(diǎn)鉗位電路(3L-TBANPC)。這實(shí)際上有助于利用SiC MOSFET的快速開(kāi)關(guān)和Si IGBT的低成本。Si和SiC轉(zhuǎn)換器能夠提供與完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同的效率。

基本混合拓?fù)?/p>

3L-ANPC整流器的電路圖如圖1所示。它由六個(gè)開(kāi)關(guān)組成。下表顯示了3L-ANPC常用的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。1表示高或接通狀態(tài),而0表示開(kāi)關(guān)的低或斷開(kāi)狀態(tài)。由于有很多開(kāi)關(guān)處于0狀態(tài),這表明在低電平狀態(tài)下使用不同的開(kāi)關(guān)可以生成不同的調(diào)制方案[1]。

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圖:1. 3L-ANPC整流器

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表:3L-ANPC的開(kāi)關(guān)狀態(tài)

調(diào)制方案

提出了兩種調(diào)制方案,其思想是觀察哪些開(kāi)關(guān)在基頻上工作,而哪些開(kāi)關(guān)在較高頻率下工作。在第一調(diào)制方案中,使用開(kāi)關(guān)狀態(tài)P,PZ2,NZ2和Z。結(jié)果表明,對(duì)于正半周期開(kāi)關(guān),S5和S3處于導(dǎo)通狀態(tài),S6和S4處于關(guān)斷狀態(tài),其中S1和S2是互補(bǔ)對(duì)。對(duì)于負(fù)半周期,S3和S4是互補(bǔ)對(duì)。所以S5和S6在基頻下工作,開(kāi)關(guān)損耗與S1-S4有關(guān)。

在第二調(diào)制方案中,使用開(kāi)關(guān)狀態(tài)P,PZ1,NZ1和N。結(jié)果表明,開(kāi)關(guān)S1-S4接收到相同的門(mén)控信號(hào),因此這里S5和S6是互補(bǔ)對(duì)。S5和S6中的開(kāi)關(guān)損耗較高。

降低開(kāi)關(guān)損耗的有效方法是使用SiC MOSFET代替Si IGBT來(lái)工作在高頻下的開(kāi)關(guān)。分別針對(duì)第一和第二調(diào)制方案,圖2中顯示了4-SiC混合3L-ANPC整流器,圖3中顯示了2-SiC混合3L-ANPC整流器。

改進(jìn)的調(diào)制方案

正常調(diào)制方案和改進(jìn)的調(diào)制方案之間的區(qū)別是零電平輸出處的共零(CZ)狀態(tài)操作[6]。對(duì)于CZ動(dòng)作的電流或者流至S5和S2或S6和S3和在特定溫度下的Si MOSFET和SiC MOSFET所提供的阻力是幾乎相等,這意味著它們被串聯(lián)連接在等效電阻降低到一半并行[1]。

在上述第一調(diào)制方案中,開(kāi)關(guān)S5和S6在基頻下工作,而開(kāi)關(guān)S1至S4在高頻下工作。如圖2所示,將使用4-SiC混合3L-ANPC整流器來(lái)改善調(diào)制。這次我們引入CZ狀態(tài)而不是零電平的PZI。因此,在正半周開(kāi)始時(shí),三個(gè)開(kāi)關(guān)S1S3S5處于導(dǎo)通狀態(tài),而開(kāi)關(guān)S2S4S6處于關(guān)斷狀態(tài)。在S1關(guān)斷期間,電流流過(guò)與S1相連的二極管。期間S的轉(zhuǎn)2橋臂電壓和S的漏極-源極電壓6達(dá)到零,這意味著在S的轉(zhuǎn)動(dòng)6是一個(gè)ZVS操作[1]。開(kāi)關(guān)損耗不變,但是電容器電容器充放電損耗仍然存在,但是由于使用SiC材料,這些損耗可以忽略不計(jì)。

在第二調(diào)制方案中,S1至S4在基頻下工作,S5和S6在高頻下工作,因此,如圖3所示,此處將使用2-SiC混合3L-ANPC整流器來(lái)改善調(diào)制效果。對(duì)于零電平操作,將使用CZ狀態(tài)。如在第一調(diào)制方案中那樣,開(kāi)關(guān)S1S3S5為接通,而開(kāi)關(guān)S2S4S6為斷開(kāi)。首先,在S5關(guān)斷期間,電流將流經(jīng)與其相連的二極管。然后S6將打開(kāi),而S1將關(guān)閉,結(jié)果是橋臂電壓達(dá)到零。S5將關(guān)閉,并且由于沒(méi)有電流流過(guò)S5,因此它是ZCS操作。S2兩端的電壓為零,這意味著S2的導(dǎo)通是ZVS操作[1]。在這種新的調(diào)制方案中,開(kāi)關(guān)損耗不會(huì)增加,但是電容器的充電和放電損耗仍然存在,但是這些損耗可以忽略不計(jì)。

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圖2:4-SiC混合3L-ANPC整流器

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圖3:2-SiC混合3L-ANPC整流器

整流器比較

2-SiC混合整流器在P和CZ狀態(tài)之間轉(zhuǎn)變所需的步數(shù)要多于4-SiC混合整流器所需的步數(shù),這往往會(huì)增加死區(qū)時(shí)間,電容器的充電放電損耗也增加,但電容器的充電損耗卻增加了。傳導(dǎo)損耗減少[1]。在4-SiC混合整流器中,充電放電損耗保持不變,并且傳導(dǎo)損耗的降低幅度甚至超過(guò)了2-SiC混合方案。因此,4-SiC混合調(diào)制方案可以提供更高的效率,但是該方案無(wú)法應(yīng)用于逆變器

實(shí)驗(yàn)結(jié)果和原型

圖4顯示了用于評(píng)估建議的調(diào)制方案效率的原型。擬議的原型具有2KW的額定功率和800V的直流電壓。輸入為220V AC,頻率為50 Hz,開(kāi)關(guān)頻率為40Hz [1]。濾波電感和電容分別為1.4mH和4.7uF。結(jié)果表明,在S6導(dǎo)通和關(guān)斷期間采用改進(jìn)的調(diào)制方案時(shí),漏極-源極電壓為零,因此開(kāi)關(guān)損耗不會(huì)增加。電容器的充電放電損耗也不會(huì)改變。由于漏極源極電壓尖峰,此方案不適用于逆變器。結(jié)果還表明,效率提高了0.05%至0.2%[1]。

圖4:Si和SiC混合3L-ANPC轉(zhuǎn)換器

結(jié)論

改進(jìn)的調(diào)制方案減少了由于使用SiC器件而引起的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。結(jié)果表明,4-SiC混合3L-ANPC整流器可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。效率提高了0.05%至0.2%。改進(jìn)的調(diào)制方案有一個(gè)缺點(diǎn):由于電壓尖峰問(wèn)題,它不能應(yīng)用于逆變器應(yīng)用。

參考

[1]具有低傳導(dǎo)損耗的“ Si&SiC”混合3L有源NPC整流器的改進(jìn)調(diào)制方案樓秀濤,陳光,張立,趙鳳辰,吳峰能源與電氣工程學(xué)院,河海大學(xué),南京211100,

[2] L. Zhang,Z。Zheng,C。Li,P。Ju,F(xiàn)。Wu,Y。Gu,和G. Chen,“具有改進(jìn)調(diào)制方案的Si&SiC混合五電平有源NPC逆變器”,IEEE Trans 。電力電子。,2019,搶先體驗(yàn)。

[3] L. Zhang,K。Sun,X。Y. Xing和J. Zhao,“具有通用DC總線(xiàn)和AC總線(xiàn)的模塊化單相無(wú)變壓器并網(wǎng)光伏逆變器的并聯(lián)操作”,在IEEE新興期刊和精選主題中在電力電子學(xué),卷。3號(hào)2015年12月,第4卷,第858-869頁(yè)。

[4] C. Li,Q。Guan,J。Lei,C。Li,Zhang,S。Wang,D。Xu,W。Li,H。Ma,“ SiC MOSFET和Si二極管混合三相“高功率三電平整流器”,《 IEEE電力電子學(xué)報(bào)》,第1卷。34號(hào)》,第7卷,第6076-6087頁(yè),2019年7月。

[5] D. Zhang,J。He和S. Madhusoodhanan,“具有Si IGBT和SiC MOSFET的三級(jí)兩級(jí)去耦有源NPC轉(zhuǎn)換器”,2017年IEEE能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)(ECCE),俄亥俄州辛辛那提,2017年,第5671-5678頁(yè)。

[6] J. He,D。Zhang和D. Pan,“一種用于大功率高頻應(yīng)用中“ SiC + Si”三電平有源中性點(diǎn)鉗位轉(zhuǎn)換器的改進(jìn)的PWM方案”,2018 IEEE能量轉(zhuǎn)換大會(huì)和博覽會(huì)(ECCE),俄勒岡州波特蘭,2018年,第5235-5241頁(yè)。

編輯:hfy

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