91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何用晶體管搭建邏輯門(mén)電路?

璟琰乀 ? 來(lái)源:21ic電子網(wǎng) ? 作者:21ic電子網(wǎng) ? 2020-11-04 15:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

常見(jiàn)的晶體管二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門(mén)電路:與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等,這篇文章介紹用晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路。

廢話不多說(shuō),直接上圖。

1. 二極管

① 二極管與門(mén)用兩個(gè)二極管組成的與門(mén),A和B都為高電平時(shí),Y才為高電平。

用1個(gè)二極管和1個(gè)電阻也可以組成與門(mén)。

② 二極管或門(mén)從下圖兩個(gè)或門(mén)電路可以看出,A和B只要有一個(gè)為高電平,輸出Y就為高電平。

同樣的,用1個(gè)電阻和1個(gè)二極管也可以組成或門(mén)。

2. 三極管

① 三極管非門(mén)A為高電平,T1導(dǎo)通,Y為低電平;A為低電平,T1截止,Y為高電平。

② 三極管與門(mén)用2個(gè)NPN三極管搭建與門(mén);A和B都為高電平時(shí),T2和T3都導(dǎo)通,此時(shí)Y為高電平。

用1個(gè)NPN和1個(gè)PNP搭建的與門(mén),當(dāng)A和B均為高電平時(shí),T4和T6都導(dǎo)通,Y為高電平。

③ 三極管或門(mén)在二極管或門(mén)基礎(chǔ)上,可以加一個(gè)NPN三極管,也可以組成或門(mén),A和B只要有一個(gè)高電平,T5就會(huì)導(dǎo)通,Y會(huì)由低電平變?yōu)楦唠娖?;?dāng)A和B都為低電平時(shí),T5才截止,Y為低電平。

④ 三極管與非門(mén)與非門(mén)由與門(mén)和非門(mén)組成,在三極管與門(mén)基礎(chǔ)上稍作修改,可以變?yōu)槿龢O管與非門(mén)。

⑤ 三極管或非門(mén)用2個(gè)PNP三極管搭建的或非門(mén),A和B只要有一個(gè)高電平,Y就為低電平;當(dāng)A和B都為低電平時(shí),T9和T10均導(dǎo)通,Y為高電平。

3. MOS管

① MOS管非門(mén)用1個(gè)NMOS和1個(gè)PMOS搭建的非門(mén);當(dāng)A為高電平時(shí),T1截止,T2導(dǎo)通,Y為低電平;當(dāng)A為低電平時(shí),T1導(dǎo)通,T2截止,Y為高電平。

② MOS管與非門(mén)備注:T3和T4為NMOS,T5和T6為PMOS;

A=0,B=0時(shí),T5和T6導(dǎo)通,T3和T4截止,Y=1

A=1,B=0時(shí),T3和T6截止,T4和T5導(dǎo)通,Y=1

A=0,B=1時(shí),T3和T6導(dǎo)通,T4和T5截止,Y=1

A=1,B=1時(shí),T5和T6截止,T3和T4導(dǎo)通,Y=0

③ MOS管或非門(mén)備注:T7和T8為NMOS,T9和T10為PMOS;

A=0,B=0時(shí),T9和T10導(dǎo)通,T7和T8截止,Y=1

A=1,B=0時(shí),T7和T9截止,T8和T10導(dǎo)通,Y=0

A=0,B=1時(shí),T7和T9導(dǎo)通,T8和T10截止,Y=0

A=1,B=1時(shí),T9和T10截止,T7和T8導(dǎo)通,Y=0

4. 真值表

通過(guò)真值表能反映一個(gè)電路的功能,優(yōu)秀的記得誠(chéng)給出了如下門(mén)電路的真值表,小伙伴門(mén)可以鞏固下各個(gè)門(mén)電路的功能。

① 與門(mén)與門(mén)功能:輸入都為1,輸出才為1,只要有一個(gè)0,輸出就為0,記作Y=A*B或者Y=AB;

ABY

000

010

100

111

② 或門(mén)或門(mén)功能:輸入只要有一個(gè)1,輸出就為1,記作Y=A+B;

ABY

000

011

101

111

③ 非門(mén)非門(mén):非門(mén)也叫反相器,即輸入1,輸出0,輸入0,輸出1,記作Y=A‘;

AY

01

10

④ 與非門(mén)與非門(mén):與非門(mén)是與門(mén)與非門(mén)的結(jié)合,先與后非,記作Y=(AB)’;

ABY

001

011

101

110

⑤ 或非門(mén)或非門(mén):或非門(mén)是或門(mén)與非門(mén)的結(jié)合,先或后非,記作Y=(A+B)‘;

ABY

001

010

100

110

5. 小結(jié)一下

用晶體管繪制常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路,會(huì)讓我們對(duì)晶體管的特性更加熟悉,在電路設(shè)計(jì)時(shí)更加的從容淡定,也常出現(xiàn)在硬件工程師的筆試題中,總之一句話,會(huì)了這些,你就是街上最靚的GAI;

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    88

    文章

    5781

    瀏覽量

    179532
  • 電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    173

    文章

    6076

    瀏覽量

    178415
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10396

    瀏覽量

    147770
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC12
    的頭像 發(fā)表于 12-02 15:46 ?442次閱讀
    基于偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)的數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電阻器。MUN5136數(shù)字晶體管具有簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、減少電路板空間和元件數(shù)量的特點(diǎn)。這些數(shù)字晶體管的工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為-55°C至150°C。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?769次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇
    發(fā)表于 11-17 07:42

    晶體管的定義,晶體管測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量?jī)x器

    晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?515次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量?jī)x器

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?922次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    大多數(shù)電路中,兩種晶體管共用一個(gè)柵極,但壁會(huì)阻擋這種連接,除非柵極延伸到其上方,這會(huì)增加不必要的電容。 最后,內(nèi)壁叉柵僅覆蓋溝道的三面,與 GAA 設(shè)計(jì)相比,其控制能力有所減弱,尤其是在溝道長(zhǎng)度縮短
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1418次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947年由?貝爾實(shí)驗(yàn)室?的肖克利(Shockl
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?4542次閱讀

    實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)(全6本)——晶體管電路設(shè)計(jì) 下

    由于資料內(nèi)存過(guò)大,分開(kāi)上傳,有需要的朋友可以去主頁(yè)搜索下載哦~ 本文共分上下二冊(cè)。本文檔作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器
    發(fā)表于 05-15 14:24

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二
    發(fā)表于 04-16 16:42 ?2次下載

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(上) 【日 鈴木雅臣】

    晶體管和FET的工作原理,觀察放大電路的波形,放大電路的設(shè)計(jì),放大電路的性能,共發(fā)射極應(yīng)用,觀察射極跟隨器的波形,增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì),射極跟
    發(fā)表于 04-14 16:07