以光為信息載體實現(xiàn)通信的光通信技術(shù)，憑借優(yōu)異的速度傳輸性能和強(qiáng)大的信息容量成為現(xiàn)代社會最重要的技術(shù)之一。其中硅光子學(xué)，與成熟的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造工藝兼容，并且伴隨著各類有源、無源的硅基光子器件的實現(xiàn)逐漸成為短程光通信中最具前景的技術(shù)。

執(zhí)行光電信號轉(zhuǎn)換的光電探測器是光電鏈路的基本組成部分之一，雖然硅基光電探測器廣泛應(yīng)用于可見光譜范圍（0.4-0.7 μm），但通訊窗口1.31 μm和1.55 μm的近紅外光子能量并不足以克服Si帶隙（1.12 eV）誘導(dǎo)光生電流，因此如何實現(xiàn)硅基探測器1.1 μm以上的近紅外探測仍然是發(fā)展單片光電集成技術(shù)所面臨的難題。

近年來，硅基肖特基二極管基于獨(dú)特的內(nèi)光電發(fā)射機(jī)制備受關(guān)注，它能在室溫下探測到能量低于硅帶隙的光，且材料結(jié)構(gòu)和制造工藝簡單廉價，有可能滿足純硅近紅外光電探測器的需要。然而傳統(tǒng)的金屬-硅結(jié)構(gòu)探測器存在響應(yīng)低的缺陷，用透明導(dǎo)電玻璃（ITO）代替?zhèn)鹘y(tǒng)金屬可以有效改善器件響應(yīng)度，但也面臨暗電流過大的問題，嚴(yán)重影響探測器的靈敏度。如何保證探測器對所需波長有響應(yīng)并且有足夠的響應(yīng)，同時進(jìn)一步降低器件暗電流提升其靈敏度，是實現(xiàn)高性能近紅外硅基探測器的關(guān)鍵。

近日，中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心清潔能源實驗室研究人員通過在硅襯底上制備納米級的Au薄膜和ITO電極（圖1），在硅基肖特基光電探測器研究方面取得進(jìn)展。實驗結(jié)果表明，高功函數(shù)Au的加入有效提高了肖特基勢壘高度從而極大地抑制了器件暗電流，-1 V下的暗電流密度為3.7×10-7A/cm2，比無Au插入的ITO/n-Si器件暗電流密度降低了7000多倍，±1V下的整流比高達(dá)1.5×108，這是硅基肖特基紅外探測器目前所報道的最好結(jié)果（圖2）。

圖1 ITO/Au/n-Si 肖特基光電探測器工藝流程示意圖

圖2 (a)線性坐標(biāo)(b)半對數(shù)坐標(biāo)下0 nm和6 nm Au肖特基光電探測器暗態(tài)室溫J-V特性(c)6 nm Au探測器J-V溫度依賴特性(d)Ln（J/T2）和1000/T關(guān)系圖(e)1310 nm(f)1064 nm激光下室溫光、暗態(tài)J-V特性。

同時基于Au是延展性最好的金屬，進(jìn)一步減小中間插入層Au的厚度，結(jié)果顯示2 nm Au插入層能在保障器件暗電流性能的前提下明顯地提升響應(yīng)度，從而得到更高的光/暗電流比，大幅改善硅基肖特基光電探測器的整體性能（圖3）。

圖3 (a) 2-6 nm Au肖特基光電探測器暗態(tài)室溫J-V特性(b) 0-6 nm Au肖特基光電探測器Ln（J/T2）和1000/T關(guān)系圖(c) 零偏壓下1100-1700 nm器件光響應(yīng) (d) 1310 nm激光下器件光電流隨偏壓變化(f)1310 nm激光下器件-1V下的暗電流、光電流以及光/暗電流之比。

該工作作為一種具有低暗電流密度的硅基紅外光電探測器將為實現(xiàn)光通信中單片集成純硅光電探測器提供重要借鑒，期待未來在可見光至1.55 μm甚至更長波段的光譜探測方面有重要應(yīng)用。

該研究結(jié)果近日以“Hybrid Nano-Scale Au with ITO structure for High-Performance Near-Infrared Silicon-Based Photodetector with ultralow dark current”為題發(fā)表在Photonics Research上，論文鏈接為：https://doi.org/10.1364/PRJ.398450。相關(guān)工作得到了國家自然科學(xué)基金的支持。

原文標(biāo)題：超低暗電流高性能近紅外硅基光電探測器研究獲進(jìn)展

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