11月20日，據(jù)韓Meizu消息，三星確定在美國(guó)德州奧斯汀新建采用極紫外光(EUV)技術(shù)的半導(dǎo)體工廠，項(xiàng)目總投資規(guī)模約100億美元！

據(jù)報(bào)導(dǎo)，據(jù)三星以及相關(guān)行業(yè)人士近日透露，三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠，并使用EUV光刻機(jī)臺(tái)，生產(chǎn)非記憶體半導(dǎo)體與系統(tǒng)LSI產(chǎn)品，投資規(guī)模預(yù)估100億美元，月產(chǎn)能約7萬(wàn)片。

為了搶攻在2030年成為非記憶體半導(dǎo)體龍頭地位，南韓砸大錢(qián)向ASML買(mǎi)進(jìn)EUV機(jī)臺(tái)，三星集團(tuán)副會(huì)長(zhǎng)李在镕日前也親赴ASML在荷蘭總部，希望能向該公司趕緊拉貨，為的就是希望能在先進(jìn)制程上打敗臺(tái)積電。

韓媒曾報(bào)導(dǎo)，三星還進(jìn)攻客制化系統(tǒng)單芯片(SoC) 團(tuán)隊(duì)，讓旗下系統(tǒng)LSI 部門(mén)成立「 Custom SoC 」客制化單芯片團(tuán)隊(duì)，與全球各大ICT 廠商建立緊密合作關(guān)系。

據(jù)悉，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬(wàn)億韓元，約合1160億美元成為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺(tái)積電，包括10nm、7nm及5nm，不過(guò)5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶(hù)的8nm、7nm訂單。

但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。

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